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(검색결과 약 1,179개 중 2페이지)
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| 목 차
Ⅰ. LG전자
1.1 제품의 종류와 특징
1.2 제품의 수준
1.3 발전전망 및 경향
1.4 견학 소감
Ⅱ. 삼성중공업
2.1 Passion과 Cooperation에 대한 철학적 고찰
2.2 삼성중공업에 입사한다면 자신이 할 수 있는 일
2.3 견학 소감
Ⅰ. LG전자
LG전자는 소비 전자제품, 모바일 통신 기기 및 가전 제품 분야의 기술 혁신을 선도하는 글로벌 리더로 전 세계적으로 120개가 넘는 사업장에 93,000.. |
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| [서론]
1. 기업 선정 이유
몇 년 전부터 과거에 비해 웰빙에 대한 인식과 자신의 몸매 관리에 대한 관심 및 노력도가 월등히 높아졌고, 이에 웰빙과 관련된 음료로써 스무디에 대한 관심이 높아지고 있다. 하지만 스무디에 대해서 귀나 눈으로 접한 사람들은 많지만 실제로 스무디가 어떤 것이고 마셔본 사람들은 생각보다 많지는 않다고 한다. 현재 우리나라에서 스무디하면 사람들이 보통 떠올리는 브랜.. |
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| 한국어는 이미 외래어에 많이 오염되어 있습니다. 한국어 발전 측면에서는 애석한 일이나
영어 배우는 입장에서는 그 점이 기회가 될 수 있습니다. 어휘력을 쌓는데 많이 도움이 될 수 있죠.
앞으로 비정기적으로 1000개 단위로 외래어를 소개하려고 합니다. 이번은 1탄입니다.
예컨대,
burrow 버로우(땅 속으로 굴을 파서 들어가다라는 뜻이 있는데 인터넷 상에서 버로우타다란 말을 많이 하죠. 상대방에.. |
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 쵸퍼/ 인버터 제어장치의 사용법(쵸퍼모드)에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 모드(MODE)선택부
나. 제어 입력(CONTROL INPUTS)부
다. 제어 출력(CONTROL OUTPUTS)부
라. 직류전원 1 (DC SOURCE 1)과 직류전원 2 (DC SOURCE 2)
마. PWM-제.. |
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| MOSFET의 특성
1. 실험 목적
- NMOS 소자의 Vt 를 측정하고 측정된 값들을 통해 K를 계산한다.
- NMOS 소자의 특성곡선을 측정하고 이를 통해 와 rc 를 계산한다.
2. 실험 결과
A. 소자 문턱 전압의 측정
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| 실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱
1.Orcad 결과
1) ID - VGS 특성
-회로-
-파형-
2) ID - VDS 특성
-회로-
-파형-
3) 마디전압
-회로-
-파형-
4)드레인 전류
-회로-
-파형-
2.실험 결과 값
n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 특성 측정
VGS(V)
10
VDS(V)
1234579
11
ID(mA)
0
0.142
0.424
3.760
6.832
14.654
23.582
33.101
n-채널 MOSFET 의 ID - VDS 특성 측정
VGS(V)
2
VDS(V)
1234579
11.. |
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| 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
목 차
I. Abstract.
II. Introduction
III. Materials Methods
IV. Result
V. Discussion
VI. Conclusion
I. Abstract
이번 실험은 트랜지스터 2N7000의 특성을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 특성을 이해한다. 실험한 결과,
II. Introduction
1. 2N7000
2. 결과 예측
VGS=-5.348nV IDS.. |
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| 목 차
1. 설계 주제
2. 설계 목적
3. 설계 내용
4. 차동 증폭기란
5. 이론을 사용한 설계
(1) 설계회로
(2) 설계수식
1) 수식
2) 수식
3) 공통모드 이득계산
4) 차동모드 이득계산
5) CMRR 수식
6) MOSFET 트랜지스터 포화상태 확인
6. P-spice를 활용한 설계 시뮬레이션
(1) Trans (공통모드 / 차동모드) 해석
(2) AC sweep (공통모드 / 차동모드) 해석
(3) 이론값들과 시뮬레이션 값 오.. |
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| 프레스햄은 이처럼 일반적으로 고기를 주먹 크기의 반 정도로 절단하여 소금, 아질산염, 인산염 등 염지제와 향신료, 조미료 및 결착제 등을 함께 혼합염지하여 모울 더나 리테이너 또는 케이싱에 충전시킨 후 훈연 또는 열처리한 것이다.
국내에서는 이러한 일반적인 프레스햄 외에 육괴를 쵸퍼에서 5~28㎜홀 프레이트를 이용하여 쵸핑한 다음염지제와 함께 혼합염지하여 리테이너나 케이싱에 충전시키고 .. |
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염, 액, 육괴, 열처리, 프레스햄, 주입, 이하, 첨가, 혼합, 사용, 제품, 함량, 훈연, 소금, 일반, 표면, 원료, 향신료, 물, 아질산염 |
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| L E D
(Legend of Early Developer)
LCD 이론
및
제조 공정
Contents
What is LCD
LCD Structure
Operating Principles
Manufacturing Process
Process Equipment
Key Technology Trends
What is LCD
Liquid Crystal
F. Reinitzer
O. Lehmann
LCD Structure
LCD Panel
Optical Components
PCB
Back Light
TFT-Array
Spacer
Color Filter
Seal
Operating Principles
a-Si TFT
MOSFET
Switch (On.. |
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| PT ( 40분간 공부시간 주고 20분동안 PT하는데 5분정도 설명하고 15분은 질의응답 )
☻ TFT소자 공정과정이랑 제한조건 주어지고 과제를 해결.
공정과정
1. 유리기판에 반도체막 증착
2. TFT구조 만듬
3. 그 위에 일정한 두께로 SIO2절연막 증착
4. A라는 검사기구로 두께 측정
=] 완성된 TFT소자에서 불량이 확인됨 절연에 관해서...
조건
1. 각 관계별 관리자들은 다 다르고 각 단계의 일을 서로 모른.. |
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| - 목차 -
1. 실험 목적
···
p. 2
2. 실험 배경
···
p. 2
3. 실험 이론
···
p. 2
① Si의 특성
···
p. 2
② MOS Capacitor
···
p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···
p. 8
4. 실험 방법
···
p. 9
5. 결과 예측
···
p. 11
6. 결과 분석
···
p. 12
① C-V 결과 분석
···
p. 12
② I-V 결과 분석
···
p. 16
7. 결론
···
p. 19
8. 참고문헌
···
p. 19
1. 실험 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 .. |
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| 1
방사선이 조사된 MOS구조에서의 전기적 특성
2
목차
서론
관계이론
시편의 제작
방사선 조사
5. 실험결과 및 고찰
6. 결론
3
서론
방사선의 발생 과정과 성질
이상적인 MOS 커패시터
제조과정에서 문턱전압에 영향을 미치는 요인
MOSFET 의 Oxide층에서 방사선 작용
4
MOSFET의 구조
5
문턱전압에 영향을 미치는 요인
1. 금속반도체의 일함수차이
2. 산화막고정전하
3. 산화막내의 가동이온
4. 계면트랩.. |
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| 트랜지스터
1.트랜지스터의 원리
트랜지스터는 다이오드의 원리를 이용하여 신호를 증폭하기 위한 용도로 만들어졌으며, 트랜지스터의 발명은 전자회로에 있어 일대 혁명을 가져오게 되었다. 스위치를 켜면 한참을 기다려야 정상적인 음이 나오던 옛날의 진공관식 거대한 라디오나 에니악과 같이 트럭 크기의 컴퓨터를 들고 다닐 수 있게 만든 트랜지스터의 정체는 과연 무엇인가
트랜지스터를 알기 위해서.. |
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| 그리고 이 기술들을 LG디스플레이에 입사해 제가 만들겠다는 결심을 했습니다.
VLSI 설계(2014-1)/B0 학점 취득
MOSFET을 이용한 SARADC를 설계 '프로젝트
통신 집적회로 설계(201X-1)/A-학점 취득
VLSI 설계(201X-1)/B0 학점 취득
전자회로 2(201X-2)/ B+학점 취득
물리전자(201X-2)/B0 학점 취득
전자회로 실험(201X-2)/B0 학점 취득
LG디스플레이 및 지원 직무에 지원하는 동기에 대해 기술해 주십시오
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내용, mosfet, 직무, 관련, 추가, 경험, lgd, 디스플레이, 위해, 력, 역량, 주점, 입사, 보다, 대한, 설계, 이다, 동아리, 지원, 강점 |
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