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방사선이 조사된 MOS구조에서의 전기적 특성
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목차
서론
관계이론
시편의 제작
방사선 조사
5. 실험결과 및 고찰
6. 결론
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서론
방사선의 발생 과정과 성질
이상적인 MOS 커패시터
제조과정에서 문턱전압에 영향을 미치는 요인
MOSFET 의 Oxide층에서 방사선 작용
4
MOSFET의 구조
5
문턱전압에 영향을 미치는 요인
1. 금속반도체의 일함수차이
2. 산화막고정전하
3. 산화막내의 가동이온
4. 계면트랩
5. 방사선이 미치는 영향
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방사선이 조사된 산화층에서 전자정공쌍 생성과정
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시편의 제작
1.MOS 커패시터는 Si 웨이퍼의 표준공정에 의해 제작
2.Oxide층의 두께는 40nm, 60nm, 80nm로
24개 제작
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방사선조사
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2011.04.08
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