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저는 대학원에서 양자점(QuantumDot) 기반 반도체 소자연구를 수행하면서, 소재의 미세한 구조변화가 전자이동도와 발광 효율에 미치는 영향을 분석했습니다.
이러한 실용적 연구환경 속에서 저의 전공지식과 실험 경험을 융합하여 양자소재 기반 반도체 소자, 광소자, 측정장비 개발 등 미래 핵심기술의 국산화에 기여하고자 합니다.
이 연구의 목적은 환경규제가 강화됨에 따라 기존 카드뮴(Cd) 기반 양자점을 대체할 수 있는 친환경 양자소재를 개발하고, 이를 기반으로 고효율 발광 소자를 구현하는 것이었습니다.
이러한 경험은 한국전자기술연구원이 추진하는 양자소재 기반 반도체 소자 및 측정장비 개발 프로젝트와 직접적으로 연계될 수 있습니다.
이 경험은 향후 KETI의 양자소재 국산화 및 장비기술 개발 프로젝트에서 실질적인 기여를 할 수 있는 근거가 됩니다.
2단계(입사 3~4년) : 양자소재 기반 소자 설계 및 국산화연구 주도
입사 후 5년 내에 양자소재 기반 광소자 개발 프로젝트의 핵심 연구자로 성장하는 것입니다.
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저는 양자 기술이 미래 산업의 핵심이자 국가경쟁력을 좌우할 분야라고 확신하며, 그 중심에서 기술 상용화를 이끄는 한국전자기술연구원(KETI)에 깊은 관심을 가지게 되었습니다.
제가 수행한 주요 연구는 "Cd-free양자점 기반발광소자의 전하주입 균형 개선연구"입니다.
이 연구의 목적은 환경규제가 강화됨에 따라 기존 카드뮴(Cd) 기반 양자점을 대체할 수 있는 친환경 양자소재를 개발하고, 이를 기반으로 고효율 발광 소자를 구현하는 것이었습니다.
연구 과정에서 저는 전자주입층(ElectronInjectionLayer)과 발광층(EmissionLayer) 사이의 에너지밴드 정렬을 제어하기 위해 유기금속화학 증착법(MOCVD)을 활용했습니다.
또한, 산학협력 프로젝트로 참여한 "양자점적층형 센서 소자 개발"에서는 포토다이오드 구조에 양자점을 삽입하여 광감응도를 높이는 연구를 수행했습니다.
국내 학회 발표 : "무카드뮴(Cd-free) 양자점 기반 QLED의 발광 효율 개선 연구", 한국광학회(2024)
특허 출원 : "양자점 발광소자의 전자주입 층 구조 및 제조방법"(출원번호 10-2025-000XXXX)
또한, 전자주입층내산소공공(oxygenvacancy)이 발광 효율 저하의 주원인임을 규명하고, 플라즈마 처리로 표면 결함을 제어하는 공정을 제시했습니다.
입사 후 저는 양자소재의 물리적 특성과 전자구조를 이해하고, 이를 제어하여 소자 성능으로 연결시키는 연구를 수행하겠습니다.
특히 한국전자기술연구원이 중점 추진 중인 양자소재·소자·장비 기술의 산업화를 위해 다음과 같은 3단계 목표를 수립했습니다.
양자소재의 합성, 박막 증착, 공정제어 실험을 수행하며 장비별 특성을 숙지하겠습니다.
2단계(입사 3~4년) : 양자소재 기반 소자 설계 및 국산화연구 주도
특히 양자 측정장비나 양자광소자 분야에서 핵심부품의 국산화 기술을 확보해, 수입대체 및 수출경쟁력을 강화하겠습니다.
따라서 공정안정성과 측정 정밀도가 곧 경쟁력입니다.
KETI의 공공연구기관으로서의 역할은 객관성과 투명성에 기반해야 한다고 생각합니다. |
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2025.10.23
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