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DB하이텍지원 동기 및 향후 계획을 작성해 주십시오.
SiC 전력반도체 소자 개발 및 공정 최적화 업무를 수행하며, 특히 SiCMOSFET의 공정 특성 확보와 수율 향상에 중점을 두고 실질적인 개선성과를 창출해 왔습니다.
입사 후에는 SiCMOSFET 및 SBD(Schottky BarrierDiode) 기반 제품의 구조 최적화, 공정 수율 향상, Gate산화 막 신뢰성 확보 등 실질적인 과제를 주도할 수 있으며, 장기적으로는 SiCHybridM odule 또는 SiC+GaN 기반 복합시스템 대응 기술까지 준비하여, 차세대 파워반도체 시장의 리더로 자리매김할 수 있도록 기여하고 싶습니다.
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자기소개서 작성시 참고할 수 있는 실질적인 예시로 활용 가능합니다.
SiC 전력반도체 소자 개발 및 공정 최적화 업무를 수행하며, 특히 SiCMOSFET의 공정 특성 확보와 수율 향상에 중점을 두고 실질적인 개선성과를 창출해 왔습니다.
또한, SiC 기판의 표면 거칠기와 DefectDensity 관리가 전기적 특성에 미치는 영향을 분석하여 CMP 조건 및 EPI 두께 균일도를 최적화한 경험도 있습니다.
입사 후에는 SiCMOSFET 및 SBD(Schottky BarrierDiode) 기반 제품의 구조 최적화, 공정 수율 향상, Gate산화 막 신뢰성 확보 등 실질적인 과제를 주도할 수 있으며, 장기적으로는 SiCHybridM odule 또는 SiC+GaN 기반 복합시스템 대응 기술까지 준비하여, 차세대 파워반도체 시장의 리더로 자리매김할 수 있도록 기여하고 싶습니다. |
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2025.06.07
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