TR

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TROLLEY C/V TR-3 구동부 ASSY ( 1Pages )

TROLLEY CONVEYOR DRIVE-UNIT ASS'Y TR-348

정보/기술 > 설계/사양서

개방화와 세계화의 진전과 뉴라운드(GR, BR, TR, CR, ER) ( 7Pages )

개방화와 세계화의 진전과 뉴라운드(GR, BR, TR, CR, ER) 목차 개방화와 세계화의 진전과 뉴라운드 Ⅰ. GR(Green Round) 1. 환경문제와 무역전쟁 2. 한국경제와 그린라운드 Ⅱ. BR(Blue Round) Ⅲ. TR(Technology Round) Ⅳ. CR(Competition Round) Ⅴ. ER(Ethics Round) 개방화와 세계화의 진전과 뉴라운드 21세기에는 세계경제가 새로운 환경으로 전개되고 있는 가운데 우리나라 경제는 불가피하..

리포트 > 경영/경제

개념정의, 특징특성, 종류유형, 문제점해결방안

HPLC의 기본개념 및 기초원리 ( 3Pages )

HPLC의 기본개념 및 기초원리 (High Performance Liquid Chromatography) I. 분리의 개념 1. 머무름(Retention) 크로마토그램에서 각 시료 성분의 피크에 해당되는 부피 또는 시간을 각각 머무른 부피(VR) 및 머무른 시간(tR)이라 하는데 이 값을 용매피크의 머무름(tM)에 대하여 보정한 tR-tM과 VR-VM을 각각 tR 과 VR 으로 표시하고 조정된 머무른 시간 혹은 부피라고 한다. 그런데 시료물질의 머무른 ..

리포트 > 자연과학

기초전기전자 실험 - 트랜지스터(고정 bias 회로설계) ( 6Pages )

기초전기전자 실험 - 트랜지스터(고정 bias 회로설계) 1. 목 적 1)TR의 특성을 이해하고 특성중 전류증폭을 확인하라. 2)펑션 제너레이터를 이용하여 전류증폭작용을 DSO를 통해 확인하자. 2. 이 론 저번주 실험은 트랜지스터의 “스위치작용”였고 이번 실험은 “전류증폭”이다. 그래서 이론은 트랜지스터 이므로 동일하여 같이 사용하고 전류증폭에 관련된 것을 뒤에 더 추가하였다. 트렌지스터 (TR) ..

리포트 > 공학/기술

트랜지스터의 분기별 시장동향 ( 3Pages )

Transistor, TR, TR, t r, 트랜지, 트렌지스터, 트랜지스터, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 분기별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장동향, 시장, 동향, 1995년 1분기부터 2002년 3분기까지 분기별 트랜지스터의 생산, 출하(내수, 수출) 재고 현황 및 전년대비 증감율 표와 그래프 표기

비지니스 > 경제동향

Transistor, TR, TR, t r, 트랜지, 트렌지스터, 트랜지스터, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 분기별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장동향, 시장, 동향,

트랜지스터의 월별 시장동향 ( 4Pages )

Transistor, TR, TR, t r, 트랜지, 트렌지스터, 트랜지스터, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 월별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장동향, 시장, 동향, 1995년 1월부터 2002년 10월까지 월별 트랜지스터의 생산, 출하(내수, 수출) 재고 현황 및 전년대비 증감율 표와 그래프 표기

비지니스 > 경제동향

Transistor, TR, TR, t r, 트랜지, 트렌지스터, 트랜지스터, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 월별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장동향, 시장, 동향,

반사회적인격장애,장애 ( 15Pages )

반사회적 인격장애 Antisocial Personality Disorder 목차 정의 II. 특성 III. 원인 IV. 치료 정의 자기 외 타인의 가치를 경시하여 사회에 해악적 행위를 일삼는 인격장애 진단 기준(DSM-IV-TR) ....

리포트 > 경영/경제

멀티미터 전원공급기 ( 6Pages )

직류 전원 공급기 1. 실험목적 ①전원 공급기의 사용법과 기능을 익힌다. 2. 직류 전원 공급기(HC-233AD 모델) (1)패널(panel)및 기능 ① 전원 스위치 : ON으로 전원 공금 ② CURRENT ADJUST : 정전류시 출력 전류 조정 노브 ③ VOLTAGE ADJUST : 정전압시 출력 조정 노브 ④ (-) TERMINAL : 부( - )극 출력 단자 ⑤ (+) TERMINAL : 정( +)극 출력단자 ⑥ GND TERMINAL : 접지 단자로 어스에 접지하여 사..

리포트 > 자연과학

열전대 ( 40Pages )

1. 열전대 온도계 열전대는 구조적으로 간단하고 조작이 간편하여 산업현장이나 실험실등에서 많이 쓰이는 전기 신호식 온도계이다. 측정값이 전기적 신호인 전압크기로 출력되어 측정값을 먼 거리까지 전송할 수 있어 중앙제어에 유용하게 활용되고 있는 범용의 온도센서이다. 열전대는 0.5K부터 2500℃까지 광범위한 측정범위를 갖고 있고 0.1 ～ 1% 의 정밀도를 갖고 있다. 300여종의 열전대가 있으나 한..

리포트 > 자연과학

발달정신병리학_자폐 ( 21Pages )

영아기 : 자폐 스펙트럼 장애 자폐장애에 대한 DSM-Ⅳ TR의 규준 합계하여 6개 또는 그 이상의 항목을 보이며, 범주 1에서 적어도 2개 이상의 항목을 보인다. 1. 사회적 상호작용의 질적 손상을 보임. 다음 중 적어도 두 가지가 나타나는 경우 a. 사회적 상호작용을 조절하기 위한 눈맞 춤, 얼굴 표정, 그리고 몸의 자세와 몸짓 등과 같은 다양한 비언어적 행동의 사용이 뚜렷하게 손상됨. b. 발달..

리포트 > 의/약학

슈미트 트리거ppt ( 11Pages )

실험. 슈미트 트리거 실험 목적 슈미트 트리거의 동작특성을 실험적으로 측정한다. OP앰프 슈미트 트리거의 트립점을 측정한다. 정현파로 슈미트 트리거를 구동시켜서 구형파를 발생시킨다. OP앰프 이장발진기를 사용하여 구형파를 발생시킨다. 슈미트 트리거 TR 슈미트 트리거(TR Schmitt trigger) - 정현파 입력을 구형파 출력으로 바꿔주는 회로 동작원리 1 Q1에 입력이 인가되지 않는 경우 -..

리포트 > 자연과학

외현화장애, 품행장애 ( 46Pages )

품 행 장 애 [ Conduct disorder] Contents Chpater 1. 정의 및 출현율 Chpater 1. 정의 및 출현율 1). 정의[DSM-IV-TR] 2). 출 현 율 3). 발 달 과 정 공격적 증후군 비행 증후군 구분 구분 4/5 6/7 8/9 10/11 12/13 14/15 16/17 18 02468 10 男女 원점수평균 공격적 증후군 연령에 따른 남아와 여아의 공격적 증후군과 비행증후군 점수 4/5 6/7 8/9 10/11 12/13 14/15 16/17 18 012男女 원점수평균 비행 ..

리포트 > 기타

[사회복지학] 치매어르신을 위한 TR 개입전략 ( 25Pages )

치매어르신을 위한치료레크리에이션 개입전략 개요 및 필요성 치매란(dementia)란 정상적으로 성숙한 뇌가 후천적인 외상이나 질병 등의 요인에 의하여 기질적 손상내지는 파괴되어 전반적으로 지능, 학습, 언어 등의 인지기능과 고등 정신 기능이 감퇴하는 임상증후군을 일관하여 지칭하는 것. Cont. 치매는 주로 노년기에 많이 발생하며, 현재 심장병, 암, 뇌졸중에 이어 4대 주요 사인. 치매의 유..

리포트 > 사회과학

BJT 실습 ( 10Pages )

BJT 실습 Simulation Using Smart-spice 2 Bipolar Junction Transistor (c) 3 NPN Bipolar Junction Transistor * BJT .option scale=1u post .dc VBE 0 0.8 1m VCE 0 5 1 VCE VCE 0 DC 1 VBE VBE 0 DC 0 Q1 VCE VBE 0 0 Q2N3904 .model Q2N3904 NPN (Is=6.734f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=5.03 Bf=416.4 + Ne=1.259 Ise=6.734f Ikf=66.78m Xtb=1.5 Br=.7371 Nc=2 Isc=0 + Ikr=0 Rc=0.1 Cjc=3.638p Mjc=.3085 V..

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[회로실험] 트랜지스터의 기초 ( 3Pages )

① 실험목적 1. 트랜지스터의 기본 동작원리를 이해하며 2. 트랜지스터의 단자를 식별하고 3. ICBO를 측정한다 ② 사용기기 및 부품 1. 직류가변전원 : 0-30V*2 2. 멀티미터 3. 저항 : 100Ω 1/2W, 820Ω/10W 4. 가변저항 : 2.5kΩ 1/2W 5. 트랜지스터 : 2SC1815, 2SA1270 6. 스위치 ③ 이론 (그림 6-1) 트랜지스터는 다이오드와는 달리 3단자 소자로서, 소형이고 가볍고 낮은 전압에서 동작하고 전력..

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