BJT 실습
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BJT 실습
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2013.05.01
10페이지
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BJT 실습
BJT 실습

Simulation Using Smart-spice
2
Bipolar Junction Transistor
(c)
3
NPN Bipolar Junction Transistor
* BJT

.option scale=1u post
.dc VBE 0 0.8 1m VCE 0 5 1

VCE VCE 0 DC 1
VBE VBE 0 DC 0
Q1 VCE VBE 0 0 Q2N3904

.model Q2N3904 NPN (Is=6.734f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=5.03 Bf=416.4
+ Ne=1.259 Ise=6.734f Ikf=66.78m Xtb=1.5 Br=.7371 Nc=2 Isc=0
+ Ikr=0 Rc=0.1 Cjc=3.638p Mjc=.3085 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=4.493p
+ Mje=.2593 Vje=.75 Tr=239.5n Tf=301.2p Itf=.4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10)

.let IC=-i(VCE)
.plot IC

.end
4
Gateway simulation
.dc LIN VBE 0 0.8 1m LIN VCE 0 5 1

.model Q2N3904 NPN (Is=6.734f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=5.03 Bf=416.4
+ Ne=1.259 Ise=6.734f Ikf=66.78m Xtb=1.5 Br=.7371 Nc=2 Isc=0
+ Ikr=0 Rc=0.1 Cjc=3.638p Mjc=.3085 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=4.493p
+ Mje=.2593 Vje=.75 Tr=239.5n Tf=301.2p Itf=.4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10)
5
NPN Bipolar Junction Transistor
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