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| [기계공학실험] 관내 유동 실험
1. 실험목적
- 피토관으로 관로내의 유속분포를 측정하여 중심속도와 평균속도와의 관계를 파악한다.
- 베르누이 방정식을 이용한 유량측정 원리를 이해하고 오리피스의 유량계수를 산정한다.
- 유량측정상의 불확실성(uncertainty)에 대한 오차분석을 수행한다.
2. 실험장치
원관의 직경 D=30mm, 오리피스 목의 직경 d1=23.2mm, 피토관의 외경 d2=3mm
[실험장치의 구조 및.. |
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Boost Chopper
에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 부스트-쵸퍼(Boost-Chopper)
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. MOSFET 부스트-쵸퍼의 동작
나. 스위칭 제어신호 주파수의 영향관측
다. 입력 대 출력
5. 검토 및 결론
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| MOSFET의 특성
1. 실험 목적
- NMOS 소자의 Vt 를 측정하고 측정된 값들을 통해 K를 계산한다.
- NMOS 소자의 특성곡선을 측정하고 이를 통해 와 rc 를 계산한다.
2. 실험 결과
A. 소자 문턱 전압의 측정
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| 실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱
1.Orcad 결과
1) ID - VGS 특성
-회로-
-파형-
2) ID - VDS 특성
-회로-
-파형-
3) 마디전압
-회로-
-파형-
4)드레인 전류
-회로-
-파형-
2.실험 결과 값
n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 특성 측정
VGS(V)
10
VDS(V)
1234579
11
ID(mA)
0
0.142
0.424
3.760
6.832
14.654
23.582
33.101
n-채널 MOSFET 의 ID - VDS 특성 측정
VGS(V)
2
VDS(V)
1234579
11.. |
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 전력용 MOSFET 모듈의 사용법에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 개요
나. 전력용 MOSFETS모듈의 사용
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. 전력용 MOSFET 모듈의 내부 접속 스위치
나. 벅쵸퍼에서 전력용 MOSFET 모듈의 동작
4. 실험순서
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Buck-Chopper
에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 벅-쵸퍼(Buck-chopper)
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. MOSFET 벅-쵸퍼의 동작
나. 스위칭제어신호 주파수의 효과를 관측하기
다. 출력전력 대 입력전력
5. 검토 및 결론
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Buck/Boost Chopper에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. 기동 절차
나. MOSFET 벅/부스트-쵸퍼의 동작
2. 관련이론
앞 실험에서 언급된 바와 같이 벅-쵸퍼는 직류전압을 낮은 직류전압으로 변환한다. 그리고 .. |
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| 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
목 차
I. Abstract.
II. Introduction
III. Materials Methods
IV. Result
V. Discussion
VI. Conclusion
I. Abstract
이번 실험은 트랜지스터 2N7000의 특성을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 특성을 이해한다. 실험한 결과,
II. Introduction
1. 2N7000
2. 결과 예측
VGS=-5.348nV IDS.. |
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| 목 차
1. 설계 주제
2. 설계 목적
3. 설계 내용
4. 차동 증폭기란
5. 이론을 사용한 설계
(1) 설계회로
(2) 설계수식
1) 수식
2) 수식
3) 공통모드 이득계산
4) 차동모드 이득계산
5) CMRR 수식
6) MOSFET 트랜지스터 포화상태 확인
6. P-spice를 활용한 설계 시뮬레이션
(1) Trans (공통모드 / 차동모드) 해석
(2) AC sweep (공통모드 / 차동모드) 해석
(3) 이론값들과 시뮬레이션 값 오.. |
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| L E D
(Legend of Early Developer)
LCD 이론
및
제조 공정
Contents
What is LCD
LCD Structure
Operating Principles
Manufacturing Process
Process Equipment
Key Technology Trends
What is LCD
Liquid Crystal
F. Reinitzer
O. Lehmann
LCD Structure
LCD Panel
Optical Components
PCB
Back Light
TFT-Array
Spacer
Color Filter
Seal
Operating Principles
a-Si TFT
MOSFET
Switch (On.. |
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| MOSFET 증폭회로
1. 실험 목적
- MOS 전계 효과 트랜지스터의 소신호 동작과 등가회로를 이해하고, 공통 소스 증폭기와 공통 드레인 증폭기를 구성하여 증폭현상을 관측하며, 증폭기의 중요한 특성을 측정한다. 그리고 동작점의 이동으로 인한 출력 신호 파형의 변화를 실험으로 관찰한다.
2. 실험 해설
A. 소신호 동작과 모델
- 활성 영역에서 동작하도록 바이어스된 MOS 트랜지스터는 신호를 증폭할 .. |
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| ◉ 실험 날짜:
날 씨 : 맑음
온 도 : 27°
습 도 : 43%
1. 실험 목적
- MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다.
C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다.
2. 관련 지식
관련 parameters : Tox NA, ND, VFB, VT, Qf(Nf), Qm(Nm), Qit(Nit)
MOS capacitor
C-V 장치
Metal-oxide-P type Silicon
MOS Caoacitor는 전계를 이용한 소자중 하나이며, 그래서 일반적으로 MOSFET(Metal-Oxid e-Semiconduc.. |
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| PT ( 40분간 공부시간 주고 20분동안 PT하는데 5분정도 설명하고 15분은 질의응답 )
☻ TFT소자 공정과정이랑 제한조건 주어지고 과제를 해결.
공정과정
1. 유리기판에 반도체막 증착
2. TFT구조 만듬
3. 그 위에 일정한 두께로 SIO2절연막 증착
4. A라는 검사기구로 두께 측정
=] 완성된 TFT소자에서 불량이 확인됨 절연에 관해서...
조건
1. 각 관계별 관리자들은 다 다르고 각 단계의 일을 서로 모른.. |
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| - 목차 -
1. 실험 목적
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p. 2
2. 실험 배경
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p. 2
3. 실험 이론
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p. 2
① Si의 특성
···
p. 2
② MOS Capacitor
···
p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···
p. 8
4. 실험 방법
···
p. 9
5. 결과 예측
···
p. 11
6. 결과 분석
···
p. 12
① C-V 결과 분석
···
p. 12
② I-V 결과 분석
···
p. 16
7. 결론
···
p. 19
8. 참고문헌
···
p. 19
1. 실험 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 .. |
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| 1
방사선이 조사된 MOS구조에서의 전기적 특성
2
목차
서론
관계이론
시편의 제작
방사선 조사
5. 실험결과 및 고찰
6. 결론
3
서론
방사선의 발생 과정과 성질
이상적인 MOS 커패시터
제조과정에서 문턱전압에 영향을 미치는 요인
MOSFET 의 Oxide층에서 방사선 작용
4
MOSFET의 구조
5
문턱전압에 영향을 미치는 요인
1. 금속반도체의 일함수차이
2. 산화막고정전하
3. 산화막내의 가동이온
4. 계면트랩.. |
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