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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Buck/Boost Chopper에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. 기동 절차
나. MOSFET 벅/부스트-쵸퍼의 동작
2. 관련이론
앞 실험에서 언급된 바와 같이 벅-쵸퍼는 직류전압을 낮은 직류전압으로 변환한다. 그리고 .. |
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Boost Chopper
에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 부스트-쵸퍼(Boost-Chopper)
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. MOSFET 부스트-쵸퍼의 동작
나. 스위칭 제어신호 주파수의 영향관측
다. 입력 대 출력
5. 검토 및 결론
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Buck-Chopper
에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 벅-쵸퍼(Buck-chopper)
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. MOSFET 벅-쵸퍼의 동작
나. 스위칭제어신호 주파수의 효과를 관측하기
다. 출력전력 대 입력전력
5. 검토 및 결론
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Single-Phase Inverter에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 인버터로서 4상한 쵸퍼의 이용
나. PWM과 180도-변조 단상인버터
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. 4상한 쵸퍼를 이용한 직류전력의 교류전력변환
나. 두 개의 MOSFET로 구성.. |
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 전력용 MOSFET 모듈의 사용법에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 개요
나. 전력용 MOSFETS모듈의 사용
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. 전력용 MOSFET 모듈의 내부 접속 스위치
나. 벅쵸퍼에서 전력용 MOSFET 모듈의 동작
4. 실험순서
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| MOSFET 증폭회로
1. 실험 목적
- MOS 전계 효과 트랜지스터의 소신호 동작과 등가회로를 이해하고, 공통 소스 증폭기와 공통 드레인 증폭기를 구성하여 증폭현상을 관측하며, 증폭기의 중요한 특성을 측정한다. 그리고 동작점의 이동으로 인한 출력 신호 파형의 변화를 실험으로 관찰한다.
2. 실험 해설
A. 소신호 동작과 모델
- 활성 영역에서 동작하도록 바이어스된 MOS 트랜지스터는 신호를 증폭할 .. |
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| 오픈 콜렉터와 오픈 드레인 회로
디지털 소자를 사용하다 보면 간혹 TTL에서 개방 콜렉터(open collector)나 CMOS에서
개방드레인(open drain)형이라는 말을 듣게 된다. 이는 도대체 무엇인가
이를 이해하기 위해서는 먼저 앞의 [기술 노트 1]에서 설명한 TTL 및 CMOS의 기본 원리나
[기술 노트 2]에서 설명한 토템폴(totem-pole) 방식의 TTL 회로를 알아야 한다.
일반적인 TTL 소자는 출력간의 회로가 .. |
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| 오픈 콜렉터와 오픈 드레인 회로
디지털 소자를 사용하다 보면 간혹 TTL에서 개방 콜렉터(open collector)나 CMOS에서
개방드레인(open drain)형이라는 말을 듣게 된다. 이는 도대체 무엇인가
이를 이해하기 위해서는 먼저 앞의 [기술 노트 1]에서 설명한 TTL 및 CMOS의 기본 원리나
[기술 노트 2]에서 설명한 토템폴(totem-pole) 방식의 TTL 회로를 알아야 한다.
일반적인 TTL 소자는 출력간의 회로가 .. |
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Three-Phase Inverter에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 180°-변조 3상인버터
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. MOSFET로 구성한 180도-변조 3상인버터의 동작
나. 중성선 전류 측정
3. 실험요약
6개의 MOSFET로 구성한 180°-변.. |
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| ◉ 실험 날짜:
날 씨 : 맑음
온 도 : 27°
습 도 : 43%
1. 실험 목적
- MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다.
C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다.
2. 관련 지식
관련 parameters : Tox NA, ND, VFB, VT, Qf(Nf), Qm(Nm), Qit(Nit)
MOS capacitor
C-V 장치
Metal-oxide-P type Silicon
MOS Caoacitor는 전계를 이용한 소자중 하나이며, 그래서 일반적으로 MOSFET(Metal-Oxid e-Semiconduc.. |
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 쵸퍼/인버터 제어장치의 사용법 (인버터모드)에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 180° -변조 3상 인버터 MODE(3 ～ 180°)
나. 120°-변조 3상 인버터 MODE( 3～120°)
다. 제어 출력(CONTROL OUTPUTS)부
라. 직류전원 1 (DC SOURCE 1)과 직류전.. |
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| MOSFET의 특성
1. 실험 목적
- NMOS 소자의 Vt 를 측정하고 측정된 값들을 통해 K를 계산한다.
- NMOS 소자의 특성곡선을 측정하고 이를 통해 와 rc 를 계산한다.
2. 실험 결과
A. 소자 문턱 전압의 측정
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 쵸퍼/ 인버터 제어장치의 사용법(쵸퍼모드)에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 모드(MODE)선택부
나. 제어 입력(CONTROL INPUTS)부
다. 제어 출력(CONTROL OUTPUTS)부
라. 직류전원 1 (DC SOURCE 1)과 직류전원 2 (DC SOURCE 2)
마. PWM-제.. |
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| 실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱
1.Orcad 결과
1) ID - VGS 특성
-회로-
-파형-
2) ID - VDS 특성
-회로-
-파형-
3) 마디전압
-회로-
-파형-
4)드레인 전류
-회로-
-파형-
2.실험 결과 값
n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 특성 측정
VGS(V)
10
VDS(V)
1234579
11
ID(mA)
0
0.142
0.424
3.760
6.832
14.654
23.582
33.101
n-채널 MOSFET 의 ID - VDS 특성 측정
VGS(V)
2
VDS(V)
1234579
11.. |
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| 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
목 차
I. Abstract.
II. Introduction
III. Materials Methods
IV. Result
V. Discussion
VI. Conclusion
I. Abstract
이번 실험은 트랜지스터 2N7000의 특성을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 특성을 이해한다. 실험한 결과,
II. Introduction
1. 2N7000
2. 결과 예측
VGS=-5.348nV IDS.. |
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