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 [레포트] 광운대학교 자동제어실험 ( 2Pages )
자동제어실험 □ Source단에 Pulse Generator를 달아 PWM을 발생시켜 입력한다. PWM : 1Khz,10Khz,100Khz 결과파형 제시, 파형비교 분석, (분석시,수식이용하여 파형의 결과값 분석할것) DC모터 파라미터 PDF 파일 참고 Current Output Voltage ....
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 전자 회로실험 - 트랜지스터 특성 실험 ( 27Pages )
트랜지스터 특성 실험 10조 목차 트랜지스터의 구조 기본적인 트랜지스터의 동작 트랜지스터 특성과 파라미터 트랜지스터의 구조 바이폴라 접합 트랜지스터 BJT(Bipolar Junction Transistor) 에피택셜 플래너(epitaxial planar) 구조 두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 세 개의 반도체 영역으로 구성 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector) 기본적인 트랜지스터의 동작 트랜지스터의 동..
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 트랜지스터등가회로 ( 4Pages )
목 적 정상바이어스된 트랜지스터의 소신호 입력에 대한 하이브리드 파라미터 모델(hybrid parameter model) 과 T-등가회로 (T-equivalent circuit)를 각각, 그리고 상호 연관지어, 이해하고 측정하여 트랜지스터의 등가회로를 꾸민다. 이 론 여기서 는 가 순방향바이어스 되어 나타나는 저항으로서 작은 값을 가지며, 정상온도에서 동작점이 정해지면 동작점의 전류 (mA)에 대해서 (Ω) 식 1 의 관계..
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공학, 기술
 달링턴 ( 16Pages )
달링턴(Darlington) 쌍 목차 실험 제목, 동기 및 목적 달링턴쌍 이론 실험준비물 및 실험절차 실험결과 및 Simulation 결과 달링턴(Darlington)쌍을 이용한 달링턴 증폭회로 실험 실험 동기 실험 목적 달링턴쌍이란 두 개의 트랜지스터를 접속하여 하나의 트랜지스터로 동작 시키는 결합 달링턴 결합 실험준비물 및 실험절차 실험회로 회로 구성 실험준비물 및 실험절차 트랜지스터 Q2N3904 (x2) 저항 1..
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 Matlab을 이용한 직렬 RLC회로의 해석 ( 23Pages )
Matlab을 이용한직렬 RLC회로의 해석 차 례 1. RLC 직렬회로의 해석 2. 회로해석을 통한 전류 3. Matlab 구현 4. 파라미터 변화와 응답특성 5. 근사화를 통해 구한전류 6. 참고문헌및 질문 1. RLC 직렬회로의 해석 그림 1. RLC 직렬회로 2. 회로해석을 통한 전류 특성방정식의 근 : 자연응답의 형태 결정 , 2. 회로해석을 통한 전류 B값에 따른 응답특성 2. 회로해석을 통한 전류 응답특성에 따른 개략적..
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 전자회로실험 - 공통이미터 증폭기와 이미터 폴로어의 조합 ( 7Pages )
공통이미터 증폭기와 이미터 폴로어의 조합 1. 실험목적 이 실험의 목적은 공통이미터 증폭기와 이미터 폴로어를 조합한 증폭기의 동작특성을 알아보는 것에 있다. 즉 컬렉터로부터 얻는 출력신호에 관한 한 전압이득이 1이면서 입력신호와의 위상차가 180°인 공통이미터 증폭기의 특성과 이미터 폴로어로부터 얻은 출력신호와 입력신호의 위상이 같음을 확인하는 것에 있다. 2. 배선(회로)도 [그림 1] ..
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 4G이동통신 LTE Long Term Evolution ( 12Pages )
(4G 이동통신) LTE (Long Term Evolution)의 통신기술에 관한 자세한 글입니다. LTE의 4G이동통신 기술에 대하여 알아보고, LTE의 기술개요 및 특징, 기술성능 및 세부사항, WIMAX, GSM, CDMA와의 기술비교 및 향 후 전망에 대하여 자세히 알아 본 글입니다. LTE 통신 기술의 모든 것을 알 수 있는 방대한 자료 입니다. 1. LTE의 기술소개 및 개요 2. 통신기술 진화 로드맵 - LTE 진화 로드맵 ..
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4G이동통신, LTE, LTE기술, LTE 통신, WIMAX
 트랜지스터 ( 3Pages )
목적 트랜지스터의 개념을 이해하고, 베이스공통(common base)회로의 특성을 알아본다. 이론 (1) 트랜지스터의 구조 트랜지스터는 p형과 n형의 반도체 세 개를 결합시킨 소자로써, 그 구성에 따라서 pnp형과 npn형으로 나뉜다. 세 부분의 반도체는 각각 이미터(emitter) E, 베이스 (base) B, 컬렉터 (collector) C로 명명되며, 각각 진공관의 음극(cathode) K, 그리드 (grid) G, 양극 (plate) P와 비슷..
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공학, 기술
 트랜지스터증폭기 ( 5Pages )
목 적 베이스공통증폭기와 이미터 폴로워를 구성, 측정하여 그 특성을 이해, 확인한다. 이 론 (1) 베이스공통증폭기 전류증폭도는 1보다 약간 작으나 전압증폭도는 이미터 공통의 경우만큼 크다. 또, 입력저항은 대단히 낮고 출력저항이 대단히 높다. 이미터공통증폭기의 경우와 마찬가지로 이 증폭기의 제반특성은 h-파라미터나 T-등가회로에 의해서 해석할 수 있다. 여기서도 h-파라미터에 의해서 해..
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공학, 기술
 패턴인식 개론 - 선형판별함수를 유도 ( 7Pages )
(패턴인식개론) Problem 1 (20) 3차원 특징 벡터 집합으로부터 정의되는 다음과 같은 가우시안 파라미터로 이루어진 클래스1, 2 에 대한 선형판별함수를 유도하고 특징벡터 x=[0.2 0.9 0.8]T 가 어느 클래스에 속하는지 결정하시오 1 = [0 0 0] T ,  2 = [2 2 2] T  and p(2) = 2 p(1)   0.2 + 0.9 + 0.8 = 1.9 2.96237125 ⇒ Problem 2 (45) 주어진 다변량 밀도가 다음과 같은 평균과 공분산 행렬을 ..
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 ERP ( 46Pages )
Introduction Of ERP Ⅰ. ERP란 무엇인가 Ⅱ. ERP System 구성개요 Ⅲ. ERP 도입 및 구축 IV. 확장형 ERP Ⅰ. ERP란 무엇인가 1. ERP 정의 2. ERP 등장배경 3. 경영환경 변화과정 4. ERP 발전과정 5. ERP 특징 6. ERP 도입의 필요성 7. ERP 사스템의 필요성 8. ERP 시스템의 도입효과 9. ERP 도입효과 조사결과(국내) 10. ERP 도입효과 조사결과(해외) 11. ERP 도입현황(국내) 12. ..
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 전사적 자원관리(ERP)의 개념(정의)과 특징 ( 11Pages )
전사적 자원관리(ERP)의 개념(정의)과 특징 목차 * 전사적 자원관리(ERP) Ⅰ. ERP의 개념 및 정의 Ⅱ. ERP의 특징 1. 다양한 산업에 대한 복합적 지원 2. 분산, 통합적 지원을 통한 전체 업무 최적화 3. 파라미터 변경 방식의 시스템 설정 4. 패키지 수정과 변경 5. BPR 지원 6. 시뮬레이션 7. GUI 및 멀티미디어 지원 8. 최신 컴퓨터 및 정보기술 Ⅲ. ERP의 통합성 예 1. FI모듈의 물류 관련 모듈과..
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개념 정의설명, 특성 특징 중요성, 문제점 해결방안, 영향요인 실태분석, 비교분석 견해, 개선과제 개념이해, 연구방법 사례
 웹프로그래밍 - 피보나치 수 구하기, 소수 판별 ( 5Pages )
Report 제목 : 피보나치 수 구하기, 소수 판별 과 목 명: 웹프로그래밍 학 과: 컴퓨터정보공학 학 번: 이 름: 제 출 일: 담당교수: 문제1. 피보나치 수 구하기 [ Page Capture ] [ Source ] ▪ main.html : 프레임을 나누기 위한 파일 [HTML] [HEAD] [TITLE]피보나치 수 구하기[/TITLE] [FRAMESET rows= 90, * ] [!-- 프레임을 나누어 한페이지에서 모두 나타나게 함 --] [FRAME src= top.html nam..
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 MOSFET Boost Chopper ( 11Pages )
본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Boost Chopper 에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임. 1. 실험 목적 2. 관련 이론 가. 부스트-쵸퍼(Boost-Chopper) 3. 실험 요약 4. 실험 순서 가. MOSFET 부스트-쵸퍼의 동작 나. 스위칭 제어신호 주파수의 영향관측 다. 입력 대 출력 5. 검토 및 결론 ..
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MOSFET Boost Chopper, 부스트-쵸퍼, MOSFET 부스트-쵸퍼의 동작, 입력 대 출력
 반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성 ( 15Pages )
DIODE 온도 변화에 따른 특성 1. 실험 목표 소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 측정한다. DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다. 2. 실험 결과 2.1. Si DIODE Si DIODE의 온도 변화에 따른 I-V 특성과 각 온도에 따른 n, IS, RS값을 구해보고 Spice 시뮬을 통해 결과값과 비교해보자. 2.1.1. Linear Forward..
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