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| 1.실험 방법
① 모든 밸브가 잠겨있는지 확인한다.
②증착시키려는 소스를 철판 위에 작은 시약 스푼으로 한 스푼 올려놓는다.
③ 셔터를 닫은 상태에서 슬라이드를 끼운다.
④ Rotary Pump Switch를 ON으로 한다.
⑤ Rough Valve를 풀어준다.
⑥ 진공의 정도를 까지 (Tube 안이 무색이 될 때) 확인한다.
⑦ Rough Valve를 잠그고, Foreline Valve를 연 후, Diffusion Pump를 ON으로 한다.
다.
⑧ Foreline Valve를.. |
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| 화학공학실험 - 진공 상에서의 물질의 증착
Ⅰ 실험목표
진공 상에서의 물질의 증착을 이해하고, 압력에 따라 변화하는 챔버 안의 증발 분자량을 계산한다.
Ⅱ 실험 이론
① 압력 단위 환산
1atm = 101325Pa = 1.01325bar = 760mmHg(torr) = 14.696 psi
② 증착속도(Å/s)
deposition tickness
monitor device
옹스트롬 [angstrom] 으로, 빛의 파장, 원자 사이의 거리를 재는 데 사용하는 길이의 단위이.. |
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| 실험 - Vacuum deposition의 이해와 증착속도에 따른 압력 변화측정[예비]
1. 실험 목적
진공 상에서의 물질의 증착을 이해하고, 압력에 따라 변화하는 챔버 안의 증발 분자량을 계산한다.
2. 실험 과정
시료 및 장치 준비 과정(모든 세척과정에서는 반드시 일회용 비닐 장갑을 낀다.)
1) 기판 준비
① ultrasonic에 기판을 10분간 돌리고 20분간 150℃로 Dry Oven에 말린다.
② heating boat를 2개 준비.. |
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| Sputtering을 이용한 Ti 증착
목차
실험 목적
실험 이론
실험 방법
결과 및 토의
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
구슬치기의 원리
스퍼터링 장치의 구성
Vacuum chamber
Target-Ti 특성
원자번호 22번, 원자량 47.88
가볍고, 강하고, 내식성이 크다.
비자.. |
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| 실험 4 : Metal Deposition
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Dry etching 을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 Metal deposition 을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는
금속을 Ni로 증착 두께를 10nm, 20nm, 30nm로 변화를 주어 증착 두께를 조정함에 따라
제품의 면저항에 어떤 영향을 끼치는지 확인하고자 한다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
증착 금속
증.. |
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| 소재공정실험
구 성
2/16
Thin Film Application
Thin Film
부피대비 표면적 비율이 높은 막을 의미하며 ㎚ ~ ㎛ 단위를 지닌다.
막박
Physical Vapor Deposition
진공 중에서 금속을 기화시켜 기판에 증착.
vaporation
E
1. 증착 하려는 source material을 도가니에 넣고 가열.
2. Source material이 기체상태가 되어 기판의 표면에 충돌.
3. 충돌된 기체상태의 금속원자가 기판에 증착됨.
Hermal Evapo.. |
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| 반도체 전前공정 및 CVD 공정
반도체 전前공정요약
웨이퍼제조공정
12
웨이퍼8대가공공정
1.산화
2.감광액
5.식각
3.노광
6.이온주입
4.현상
8.금속배선
7.화학기상증착
CVD
.... |
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| 1. 실험방법
◉ 기판 세정
① 준비된 glass를 2×2 cm2 크기로 자른 뒤, boat에 담는다.
② TCE, Acetone, Methanol, DI Water 순으로 각각 10분씩 초음파 세척을 한다.
③ 세척 후 N2 기체로 blow drying 한다.
④ 잔류 유기물과 수분을 제거하기 위해서 Convection Oven에서 10분간 건조시킨다.
◉ Spin coating에 의한 박막증착
① 유기용제에 증착을 원하는 유기물을 넣고 용액을 만든다.
② Spin coate.. |
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| PT ( 40분간 공부시간 주고 20분동안 PT하는데 5분정도 설명하고 15분은 질의응답 )
☻ TFT소자 공정과정이랑 제한조건 주어지고 과제를 해결.
공정과정
1. 유리기판에 반도체막 증착
2. TFT구조 만듬
3. 그 위에 일정한 두께로 SIO2절연막 증착
4. A라는 검사기구로 두께 측정
=] 완성된 TFT소자에서 불량이 확인됨 절연에 관해서...
조건
1. 각 관계별 관리자들은 다 다르고 각 단계의 일을 서로 모른.. |
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| Hazard of TFT-LCDManufacturing Process
2004. 4. 26
한 승 용
Contents
TFT-LCD(Thin Film Transistor LCD)
LC(Liquid Crystal)
Manufacturing Process
TFT Process
Cell Process
Module Process
Hazards
MSDS NFPA 704 M Code
TFT-LCD
구성
TFT가 형성되어 있는 아래 유리기판
Color Filter가 형성되어 있는 윗 유리기판
TFT 와 Color Filter 사이에 주입된 액정(LC)으로 구성
원리
TFT는 전기적 신호.. |
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| 목 차
1. 서론
2. PVD법
2.1 PVD 란
2.1 PVD 원리
2.3 PVD 개요
2.4 PVD 영상
2.5 PVD 장·단점
3. PVD 종류
3.1 PVD 종류
3.2 증발 (아크증발법)
3.3 이온도금 (이온주입법)
3.4 스퍼터링
3.4.1 강화된 스퍼터링
4. PVD 장비
5. 진공의 필요성
6. 박막 성장 기구
7. PVD 코팅층의 미세구조
8. PVD 적용 예
9. 제조공정
10. 최근 연구 동향
1. 서 론
왜 이런 방식의 코팅을 하느냐
이런 시계와 .. |
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| 목 차
1. 서론
2. PVD법
2.1 PVD 란
2.1 PVD 원리
2.3 PVD 개요
2.4 PVD 영상
2.5 PVD 장·단점
3. PVD 종류
3.1 PVD 종류
3.2 증발 (아크증발법)
3.3 이온도금 (이온주입법)
3.4 스퍼터링
3.4.1 강화된 스퍼터링
4. PVD 장비
5. 진공의 필요성
6. 박막 성장 기구
7. PVD 코팅층의 미세구조
8. PVD 적용 예
9. 제조공정
10. 최근 연구 동향
1. 서 론
왜 이런 방식의 코팅을 하느냐
이런 시계와 .. |
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| 실험1 R, C, L 값의 측정
1. 실험목적
1) 멀티미터를 이용하여 저항을 측정하는 방법과 저항에 표시된 색 코드를 읽는 방법을 익 힌다.
2) LCR 미터를 이용하여 커패시턴스와 인덕턴스의 크기를 측정하는 방법을 익힌다.
3) 저항 측정시 정격값과 실측값을 측정하여 비교한다.
4) 실험 결과 값들의 오차가 발생하는 이유를 여러 번의 실험을 통해 알아보고, 오차가 최 대한 적게 나올 수 있는 방법을 .. |
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| 1. 실험 목적
세라믹 재료의 소결 전, 후의 dimension을 측정함으로써, 소결 거동을 살펴보고 세라믹 부품 또는 제품을 제조할 경우 최종 제품의 크기를 결정할 수 있도록 한다.
2. 이론적 배경
1) 소결 (Sintering)
일반적으로 금속이나 세라믹 재료가 기공을 포함하고 있는 물질의 기공 안으로 이동하 도록 녹는점 아래에서 열처리하는 것을 말하며, 분말체를 적당한 형상으로 성형한 것을 가열하여 .. |
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