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 재료공학기초실험 - 세라믹 수축률 측정 ( 4Pages )
1. 실험 목적 세라믹 재료의 소결 전, 후의 dimension을 측정함으로써, 소결 거동을 살펴보고 세라믹 부품 또는 제품을 제조할 경우 최종 제품의 크기를 결정할 수 있도록 한다. 2. 이론적 배경 1) 소결 (Sintering) 일반적으로 금속이나 세라믹 재료가 기공을 포함하고 있는 물질의 기공 안으로 이동하 도록 녹는점 아래에서 열처리하는 것을 말하며, 분말체를 적당한 형상으로 성형한 것을 가열하여 ..
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 SK하이닉스 공정 R&D 합격 자기소개서 ( 6Pages )
하지만 소자를 제작할 때마다 발광률이 일정하지 않은 문제를 발견했습니다. 비록 프로젝트의 목표에서 벗어나는 문제였지만, 조원들과 함께 개선해보기로 했습니다. 일주일 동안 매일 만나서 계속 진행했지만 문제는 해결되지 않았습니다. 그러나 좀처럼 문제가 해결되지 않았고 오랜 시간 동안 고민 끝에 생각의 틀을 바꾸기로 했습니다. 보니 에러가 발생했고, 많은 기능을 각각의 엔티티로뽑아내 코딩을..
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문제, 생각, 장비, 경험, 해결, 이다, 공정, 진행, 시뮬레이션, 새롭다, 증착, 프로젝트, 위해, 결과, 분석, 이용, , , 대한, 보다
 thin film[박막]에 대한 정의와 제조방법 정리 ( 15Pages )
1. What is a thin film thin film(박막)이란 박막은 나노미터에서 마이크로미터 두께까지의 범위를 포함하는 얇은 물질 층이라고 할 수 있다. 전자기적 반도체 장치와 광학적 코팅은 박막기술의 주된 적용 범위라 할 수 있다. 주변에서 쉽게 볼 수 있는 박막기술을 이용해 만든 것은 ‘거울’인데 이것은 빛의 반사를 할 수 있는 유리의 한 쪽 면에 얇은 금속 코팅을 이용해 만든 것이기 때문이다. 이러한..
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 결정질 실리콘 태양전지 제조공정 ( 3Pages )
결정질 실리콘 태양전지 제조공정 1. 전지의 일반 제조 공정 입사광선의 표면 반사율을 줄이고 빛의 수광 효율을 향상시킬 수 있도록 웨이퍼 표면을 처리하는 공정이 표면 구조화(surface texturing) 공정이다. 이 공정이 끝나고 난 후 POCl3나 인산을 이용하여 p형으로 도핑되어 있는 실리콘 웨이퍼에 n형 layer를 형성 시켜서 pn접합을 만든다. 도핑 후에 표면의 패시베이션 및 반사도 감소를 위해서 반..
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 열변형이없는표면개질 ( 14Pages )
목 차 1. 제목 : 열변형이 없는 표면개질 2. 서론 표면개질 3. 본론 . PVD . 플라즈마 CVD . 질화 . 쇼트 피닝 4. 결론 전망과 의견 5. 참고문헌 6. 발표시 질문의 보충설명 7. 사본 열변형이 없는 표면 개질 서 론 표면 개질은 금형이나 공구 , 기계 부품 등에 많이 사용 되고 있다. 불과 수십 m 막이나 개질층을 구성 하는 것만으로도 내 마모성 과 내 식성이 향상 되고 제품의 수명을 비..
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공학, 기술
 OLED의 이해 및 제조공정 분석 ( 39Pages )
디스플레이 공학 복습OLED OLED의 전반적인 이해 EL (Electroluminescence) 형광체에 전류를 흘려주었을 시에 발광하는재료의 전기 발광 현상 발광 층에서 전자와 정공은 재결합에 의해 여기자(Exciton)가 생성되고 이 여기자는 형광 분자(Polaron)를 여기(Excitation) Excitation 된 형광 분자가 기저상태로 돌아올 때특정 파장의 빛이 발광 EL Display의 구조에 따른 분류 분산형 : 발광층이 형광체..
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 OLED의 이해 및 제조공정 분석 ( 39Pages )
디스플레이 공학 복습OLED OLED의 전반적인 이해 EL (Electroluminescence) 형광체에 전류를 흘려주었을 시에 발광하는재료의 전기 발광 현상 발광 층에서 전자와 정공은 재결합에 의해 여기자(Exciton)가 생성되고 이 여기자는 형광 분자(Polaron)를 여기(Excitation) Excitation 된 형광 분자가 기저상태로 돌아올 때특정 파장의 빛이 발광 EL Display의 구조에 따른 분류 분산형 : 발광층이 형광체..
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 박막재료의 제작과 평가 ( 5Pages )
박막재료의 제작과 평가 목차 ° 실험 목적 ° 실험 관련 이론 ° 실험 방법 ° 실험 결과 ° 결과에 대한 고찰 1. 실험 목적 ITO에 대한 기본적인 이론을 숙지하고, 직접 제작을 통해 제작 과정과 막 특성 평가를 통해 실제 ITO와의 차이를 비교해보고 고찰하자. 2. 실험 관련 이론 ▒ 스퍼터링 스퍼터링은 스퍼터링 가스를 진공챔너 내로 주입하여 박막으로 입힐 타겟물질과 충돌시켜 플라즈마를 ..
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 [전자재료실험] MOS Capacitor ( 19Pages )
- 목차 - 1. 실험 목적 ··· p. 2 2. 실험 배경 ··· p. 2 3. 실험 이론 ··· p. 2 ① Si의 특성 ··· p. 2 ② MOS Capacitor ··· p. 3 ③ E-Beam의 구조와 증착원리 ··· p. 8 4. 실험 방법 ··· p. 9 5. 결과 예측 ··· p. 11 6. 결과 분석 ··· p. 12 ① C-V 결과 분석 ··· p. 12 ② I-V 결과 분석 ··· p. 16 7. 결론 ··· p. 19 8. 참고문헌 ··· p. 19 1. 실험 목적 MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 ..
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 반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계 ( 11Pages )
반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계 목 차 1. 단결정 성장 2. 규소봉 절단 3. Wafer 표면 연마 4. 회로 설계 5. Mask 제작 6. 산화공정 7. 감광액 도포 8. 노광공정 9. 현상공정 10. 식각공정 11. 이온주입공정 12. 화학기상 증착 13. 금속배선 14. Wafer 자동선별 15. Wafer 절단 16. 칩 집착 17. 금속연결 18. 성 형 1. 단결정 성장 특수 공정을 이용해 웨이퍼 위에 전자회로를 새긴 후, 웨이퍼 위 ..
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 OLED ( 54Pages )
OLED (Organic Light Emitting Device) 서 론 ] OLED 기초  1) What is OLED  2) OLED History 본 론 ] OLED 원리 구조 및 특성  1) OLED 원리와 구조  2) OLED 특성 ] OLED 제조공정 및 소재  1) 제조 공정 소개  2) 패턴 형성공정  3) 진공 박막증착 공정  4) 봉지 공정  5) 저분자와 고분자의 공정 비교 ] OLED 응용 분야 결 론 ] 해결해야할 과제 및 향후 전망 참고문헌 4장. OLED(Organ..
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 스퍼터와 포포인트프로브에 관해서 ( 6Pages )
1. 스퍼터 1.1 개념 스퍼터링(Sputtering)는 집적회로 생산라인 공정에서 많이 쓰이는 진공 증착법의 일종으로 비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 이온화된 아르곤등의 가스를 가속하여 타겟에 충돌. 원자를 분출시켜 웨이퍼 기판상에 막을 만드는 방법을 뜻한다. 스퍼터링 장비에서는 타겟쪽을 음극(Cathode)로 하고 기판쪽을 양극(Anode)로 한다. 스퍼터링 공정을 진행하는 장비를 스퍼터라 한다. 일반..
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 프라즈마 공학 - 프라즈마에 대해서 ( 14Pages )
프라즈마 공학 1. 플라즈마란 무엇인가 플라즈마라는 말을 물리학 용어로 처음 사용한 사람은 미국의 물리학자 Langmuir (랑뮈어)로서, 전기적인 방전으로 인해 생기는 전하를 띤 양이온과 전자들의 집단을 플라즈마라고 하고 그 물리적인 성질을 연구하는 것이 플라즈마 물리학이다. 물질 중 가장 낮은 에너지 상태는 고체이다. 이것이 열(에너지)을 받아서 차츰 액체로 되고 그 다음에는 기체로 전이를..
리포트 > 공학/기술 |
 [다원시스 전기전자제어 합격 자기소개서] 다원시스 전기전자제어, 다원시스 전기전자제어 자기소개서, 자소서, 합격자기소개서, 자기소개서자소서, 합격 자기소개서, 합격자소서, 합격자기소개서,합격자소서,기업 자기소개서, 기업 자소서, 기업자기소개서, 기업자소서, 취업 자소서, 취업 자기소개서, 면접 자소서, 면접 자기소개서, 이력서 ( 5Pages )
이런 경험들을 통해서 함께 일하고 소통하는 법을 배웠습니다. 이 런 경험을 통해 문제 해결력과 분석 능력도 길렀습니다. 저는 3D 프린터에 도전한 경험이 있습니다. 저는 전기 직무에 관한 관심으로 현장에서 전기안전 및 승강기 안전관리 업무를 하였습니다. 이런 경험들을 통해서 함께 일하고 소통하는 법을 배웠습니다. 이러한 경험을 통해 타 부서의 직무도 관심을 가지며 함께 협력할 수 있는 인재가..
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 반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation) ( 3Pages )
실험: Annealing(Silcidation) 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Metal deposition 을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃, 800℃로 변화 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정하여 온도에 따라 어떻게 변화..
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