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| 국내 하이브리드 집적회로 시장통계(2008년까지) 자료 입니다.(사업체수, 생산액, 출하액 포함)
* 시장통계 목차 *
1. 산업 동향
가. 조사범위
나. 제조업 동향(2008년만)
다. 상위 산업통계(2006년부터 2008년까지)
2. 시장 동향
가. 연간 시장통계(2008년까지)
- 사업체수, 생산액(백만원), 출하액(백만원)
나. 지역별 현황 분석
본 제공 자료는 국내 2008년까지 하이브리드 집적회로의 .. |
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| 국내 아날로그 집적회로 시장통계(2008년까지) 자료 입니다.(사업체수, 생산액, 출하액 포함)
* 시장통계 목차 *
1. 산업 동향
가. 조사범위
나. 제조업 동향(2008년만)
다. 상위 산업통계(2006년부터 2008년까지)
2. 시장 동향
가. 연간 시장통계(2008년까지)
- 사업체수, 생산액(백만원), 출하액(백만원)
나. 지역별 현황 분석
본 제공 자료는 국내 2008년까지 아날로그 집적회로의 시장.. |
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| 국내 전자 집적회로 부분품 시장통계(2008년까지) 자료 입니다.(사업체수, 생산액, 출하액 포함)
* 시장통계 목차 *
1. 산업 동향
가. 조사범위
나. 제조업 동향(2008년만)
다. 상위 산업통계(2006년부터 2008년까지)
2. 시장 동향
가. 연간 시장통계(2008년까지)
- 사업체수, 생산액(백만원), 출하액(백만원)
나. 지역별 현황 분석
본 제공 자료는 국내 2008년까지 전자 집적회로 부분품의.. |
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| 집적회로(VLSI)의 설계 과정
VLSI 설계
전반부 : Gate Level 설계
후반부 : Layout 데이터 생성
최근의 설계
전반부 : 동작적 설계(Behavioral Design) ==] Gate Level 설계
후반부 : Layout 데이터 생성
2.1 상위 레벨 합성(High Level Synthesis)
2비트 입력 4비트 출력
X(0) F(0)
X(1) F(1)
Y(0) F(2)
Y(1) F(3)
(a) 설계 사양의 블록도 (b) 설계 사양의 입출력
library ieee;
use ieee.st.. |
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| 마이크로프로세서의 발전 과정과 컴퓨터 산업에 기여한 점 그리고 최신 동향을 A4용지 2페이지 이내로 자세히 서술하라.
1. 마이크로프로세서의 기여도 와 전망
SIA(semiconductor industry association) 로드맵(roadmap)에 의하면 2000년대로 접어들면서 수십 나노미터에 불과한 게이트 길이를 갖는 트랜지스터들이 구현, 집적될 것이다. 이와 같은 추세라면 2010년경의 개인용 컴퓨터에 사용되는 마이크.. |
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| 중국의 반도체산업 현황과 정책(Ⅱ)
Ⅲ.북경시 반도체산업단지 조성계획
□ 서문
◦1958년 반도체 실리콘 집적회로가 탄생했으며 40년이 지난 현재 Microelectronics technology는 대규모 집적회로 개발 단계
◦현재 정보화사회의 전략적 기반 산업인 집적회로 산업의 기술 수준과 규모는 국가 경제 개발과 과학 발전 및 경쟁력을 가늠하는 중요한 지표
◦중국정부는 집적회로 개발에 관심을 갖고 지원
-MII와 N.. |
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| 트랜지스터 특성 실험
10조
목차
트랜지스터의 구조
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터 특성과 파라미터
트랜지스터의 구조
바이폴라 접합 트랜지스터
BJT(Bipolar Junction Transistor)
에피택셜 플래너(epitaxial planar) 구조
두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 세 개의 반도체 영역으로 구성
이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터의 동.. |
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| 목차
실험 목적
예비 지식
준비
기기 및 부품
실험 과정
PSPICE 실험 결과
고찰
결론 및 오차
실험 목적
활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.
BJT를 활성 모드에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱(biasing) 회로를 실험을 통해 이해한다.
예비 지식
트랜지스터는 세 개의 반도체영역, 즉 emitter영역, base영역,collector영역으로 구.. |
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| 실험 5 FET
요약 - FET가 각 조건에 따라 어떻게 동작하는지 바이어스, 동작점, 증폭 작용, 스위치 작용 사이의 상관관계를 인식한다. 아울러 동작점이 회로 및 소자와 어떻게 연관되어 있는지 이해한다.
Ⅰ. 실험의 필요성 및 배경
FET의 실험을 통하여 동작에 대한 특징을 이해함으로써 FET를 이용한 증폭회로, 스위치회로를 해석하고 구현할 수 있다. 또한 BJT와의 차이를 확인함으로써 FET의 장점과 .. |
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| 실험. Timer LM555실험 : 비안정 바이브레이터
1.Orcad 결과
[ RA = 4.7k , RB = 4.7k 일때 ]
-회로-
-파형-
[ RA = 4.7k , RB = 2.35k 일때 ]
-회로-
-파형-
[ RA = 4.7k , RB = 9.4k 일때 ]
-회로-
-파형-
[ Astable operation (비안정 발진 동작)]
-회로-
-파형-
2. 실험 결과 값과 이론 값 비교
[ RA = 4.7k , RB = 4.7k 일때 ]
D = = = = 0.33
이론 값 : 33%
실험 결과 값 : 100% - 67.31% = .. |
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| 전자회로실험 - JEFT 바이어스 회로
목 차
1. 목적
2. 실험장비
3. 이론개요
4. 실험순서
5. 토의 및 고찰
1. 목 적
고정, 자기 전압분배기 바이어스 JEFT 회로를 해석한다.
2. 실험장비
(1) 계측장비
DMM
(2) 부품
◇ 저 항
1kΩ (1개)
1.2kΩ (1개)
2.2kΩ (1개)
3kΩ (1개)
10kΩ (1개)
10mΩ (1개)
1kΩ 전위차계 (1개)
◇ 트랜지스터
JEFT 2N4116 (1개)
(3) 공급기
직류전원 공급기
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| 목 적
정상바이어스된 트랜지스터의 소신호 입력에 대한 하이브리드 파라미터 모델(hybrid parameter model) 과 T-등가회로 (T-equivalent circuit)를 각각, 그리고 상호 연관지어, 이해하고 측정하여 트랜지스터의 등가회로를 꾸민다.
이 론
여기서 는 가 순방향바이어스 되어 나타나는 저항으로서 작은 값을 가지며, 정상온도에서 동작점이 정해지면 동작점의 전류 (mA)에 대해서
(Ω) 식 1
의 관계.. |
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| 전자 주사위
목 차
1.설계 목표
2.전자 주사위 회로도
3.전자 주사위 패턴도
4. 동작원리
- 비안정 멀티 바이브레이터(AMV)
회로와 스위칭 회로
- 비안정 멀티 바이브레이터 회로도
- IC 74LS92 카운터
- LED 배치와 74LS10, 74LS04 회로
5. 동작 모습
-비안정 멀티 바이브레이터
-전자 주사위
6. 실험 과정에서 겪은 에러 사항
7. 느낀 점
설계 목표
논리회로를 이용한 전자주사위 구현
IC칩을 .. |
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| (접수인란)
(결재인란)
담당
심사관
배치설계관리인말소등록신청서
신청인
(관리인 또는 배치설계권자)
성명
주민등록번호
주소
(전화번호)
국적
배치설계권설정등록번호
반도체집적회로의 명칭
권리의표시
등록원인 및 발생연월일
등록의목적
반도체집적회로의배치설계에관한시행규칙 제20조의 규정에 의하여 위와
같이 신청합니다.
년월일
신청인(관리인 또는 배치설계권자) (인)
특허청장.. |
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| (접수인란)
(결재인란)
담당
심사관
배치설계관리인선임(변경)등록신청서
신청인
(관리인 또는 배치설계권자)
성명
주민등록번호
주소
(전화번호)
국적
배치설계권설정등록번호
반도체집적회로의 명칭
권리의표시
배치설계권자의 표시
(배치설계권자가 신청하는 경우 관리인의 표시)
성명
주민등록번호
주소
(전화번호
국적
대리권의범위
등록원인 및 발생연월일
등록의목적
반도체집적회.. |
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