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| 실리콘밸리(Silicon Valley)의 형성과정과 경로의존성
1. 실리콘밸리(Silicon Valley)
미국 샌프란시스코의 남방에 위치한 세계적인 첨단산업단지, 반도체 재료인 실리콘(Silicon)과 산타클라라 인근 계곡(Valley)을 합쳐서 만든 말이다. 원래는 양질의 포도주 생산 지대였는데, 전자산업의 기반이라고 할 수 있는 반도체 칩을 생산하는 기업들이 대거 진출하면서 실리콘밸리로 불리게 된, 벤처기업 밀집 .. |
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| 재료공학실험 결과보고서
- Silicon nanowire의 합성 -
1. Silicon nanowire를 합성하는 여러 방법에 대한 조사.
1) vapor-liquid-solid (VLS) growth
- 이 방식은 현재까지 nanowire를 만드는데 가장 잘 알려진 방법이다. 가장 먼저 촉매로서 금의 나노 입자가 실리콘 웨이퍼 위에 도포되고, 이 웨이퍼는 진공 체임버 안에서 금과 시리콘의 공융점이상의 온도로 가열된다.(이상 annealing) 가열 후 실.. |
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| 포토리소(Photolithography)
가공방법 및 적용분야에 대해서
2345
2.1 Silicon with Oxide Layer
6
Coater 제조회사
-TEL(83%)
-Dainippon(8%)
-ASML(4%)
KCTEC
Spinless Coater
PR사용량 1/10
2.1 Silicon with Oxide Layer - Coater
7
2.2 Expose Photoresist
8
Fig. 5 Scaner
Hankook Industry co., LTD
2.2 Expose Photoresist - Scaner
9
2.3 Develop Photoresist
10
2.3 Develop Photoresist - Ste.. |
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| Silicon Wafer, Silicon, Wafer, 실리콘, 웨이퍼, 웨이버, 실리콘웨이버, 실리콘웨이퍼, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 분기별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장
1995년 1분기부터 2002년 3분기까지 분기별 실리콘웨이퍼의 생산, 출하(내수, 수출) 재고 현황 및 전년대비 증감율 표와 그래프 표기 |
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Silicon Wafer, Silicon, Wafer, 실리콘, 웨이퍼, 웨이버, 실리콘웨이버, 실리콘웨이퍼, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 분기별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장 |
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| Silicon Wafer, Silicon, Wafer, 실리콘, 웨이퍼, 웨이버, 실리콘웨이버, 실리콘웨이퍼, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 월별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장동
1995년 1월부터 2002년 10월까지 월별 실리콘웨이퍼의 생산, 출하(내수, 수출) 재고 현황 및 전년대비 증감율 표와 그래프 표기 |
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Silicon Wafer, Silicon, Wafer, 실리콘, 웨이퍼, 웨이버, 실리콘웨이버, 실리콘웨이퍼, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 월별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장동 |
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| Semiconductor-Grade Silicon
Table 4.1
CVD 이용// PVD이용
Back End Processing
1243
5 |
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| Solar cell
Market share
95%
5%
Photo Diode
Similar to the principles of photoelectric effect
When the sufficiently high energy photons fall on
or near the depleted area
Electrons are lifted from the Valence band and roll down into the Conduction band
Holes are swept into the Valence band
Photo Diode
Light with energies less than the smallest BG is not absorbed at all
and .. |
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| 1A
원소주기율표
8B
1H
2
He
1.008
hydrogen
2A
3B
4B
5B
6B
7B
4.003
helium
3
Li
4
Be
번호
기호
5B6C7N8O9F
10
Ne
6.941
lithium
9.012
berylium
원자량
영문이름
10.81
boron
12.01
carbon
14.01
nitrogen
16.00
oxigen
19.00
fluorine
20.18
neon
11
Na
12
Mg
13
Al
14
Si
15
P
16
S
17
Cl
18
Ar
22.99
sodi.. |
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1A
PERIODIC TABLE OF THE ELEMENTS
8B
1H
2
He
1.008
hydrogen
2A
3B
4B
5B
6B
7B
4.003
helium
3
Li
4
Be
번호
기호
5B6C7N8O9F
10
Ne
6.941
lithium
9.012
berylium
원자량
영문이름
10.81
boron
12.01
carbon
14.01
nitrogen
16.00
oxigen
19.00
fluorine
20.18
neon
11
Na
12
Mg
13
Al
14
Si
15
P
16
S
17
Cl
18
Ar
22.99
sodium
24.31
magnesium
3A
4A
5A
6A
7A
8
1B
2B
2.. |
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| ◉ 실험 날짜:
날 씨 : 맑음
온 도 : 27°
습 도 : 43%
1. 실험 목적
- MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다.
C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다.
2. 관련 지식
관련 parameters : Tox NA, ND, VFB, VT, Qf(Nf), Qm(Nm), Qit(Nit)
MOS capacitor
C-V 장치
Metal-oxide-P type Silicon
MOS Caoacitor는 전계를 이용한 소자중 하나이며, 그래서 일반적으로 MOSFET(Metal-Oxid e-Semiconduc.. |
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| Zeolite(제올라이트)
목차
정의
구조 및 분류
천연 제올라이트 (동영상자료)
합성 제올라이트
물리, 화학적 성질
용도 (기사자료)
전망 (기사자료)
출처
1. 제올라이트의 정의
제올라이트 (zeolite)
→ 끓는 (zeo) + 돌 (lithos)
2. 제올라이트의 구조
중심원자(실리콘,silicon 알루미늄,aluminium)가 산소(oxygen)원자 네개와
정사면체 형태로 배위구조를 이루며 결합 → 결정성 복합 산화물
※ SBU
Secondary.. |
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| 1. 실험 목적
(1) 반도체 다이오드(diode)의 순방향 및 역방향의 전압 전류 특성을 이해한다.
(2) 실리콘과 게르마늄 다이오드의 문턱 전압을 측정한다.
2. 이론
(1) 다이오드
반도체 다이오드는 셀레늄(selenium : Se)을 주체로 한 것과 실리콘(silicon : Si), 게르마늄(germanium : Ge)을 주체로 한 것이 있으나 정류용으로는 Si이 주로 쓰인다.
[그림 19-1] 다이오드의 기본 구조
다이오드는 그림.. |
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| 1. Title 유리세공
2. Introduction
유리는 일반적으로 비 결정 고형물 이라 한다 따라서 원자가 불규칙하고 녹는점이 불분명하다 이를 이용하여 실험에서 유리관을 자르고 구부리는 작업을 통하여 간단한 장치를 만드는 법을 실습하여 본다.
3. Principle Theory
유리는 완전한 결정형 고체가 아닌 비결정고형물 이다. 열을 가하여도 끓지 않고 녹아서 신축성있는 물질로 변했다고 식어서 단단한 물.. |
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| LETTER OF SELF-INTRODUCTION
PROCESS OF GROWTH
I was born as an elder son with a younger sister and my family moved to Navy cities like Seoul, Gyeonggi Province, Busan, Daejeon and Ulsan, because my father was a Navy solder.
PERSONALITY AND SPECIALTIES (PROGRESSIVE, SINCERE, CREATIVE, COMPETITIVE, EFFICIENT FOR COLLECTING INFORMATION)
I am positive and progressive. I like to.. |
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| Closely focused for early career development
Hxxx27 Lxxx AvenueSouth San Francisco, California 94080Telephone: (000) 999
OBJECTIVE
A position in which I can advance my career in security and management through special assignment as an undercover investigator.
Areas of Knowledge and Experience
EMPLOYMENT EXPERIENCE
Company A, Cityname, CA 1995 presentSECURITY OFFIC.. |
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