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| Silicon Wafer, Silicon, Wafer, 실리콘, 웨이퍼, 웨이버, 실리콘웨이버, 실리콘웨이퍼, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 분기별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장
1995년 1분기부터 2002년 3분기까지 분기별 실리콘웨이퍼의 생산, 출하(내수, 수출) 재고 현황 및 전년대비 증감율 표와 그래프 표기 |
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Silicon Wafer, Silicon, Wafer, 실리콘, 웨이퍼, 웨이버, 실리콘웨이버, 실리콘웨이퍼, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 분기별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장 |
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| Silicon Wafer, Silicon, Wafer, 실리콘, 웨이퍼, 웨이버, 실리콘웨이버, 실리콘웨이퍼, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 월별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장동
1995년 1월부터 2002년 10월까지 월별 실리콘웨이퍼의 생산, 출하(내수, 수출) 재고 현황 및 전년대비 증감율 표와 그래프 표기 |
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Silicon Wafer, Silicon, Wafer, 실리콘, 웨이퍼, 웨이버, 실리콘웨이버, 실리콘웨이퍼, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 월별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장동 |
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| 실리콘 웨이퍼의 개요
오늘날 반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)는 다결정의 실리콘(Si)을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말합니다.
실리콘은 일반적으로 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재하며 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부 하게 존재하고 있으며 따라서 반도체산업에 매우 안.. |
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| 본 컨텐츠는 시장조사, 수요예측 전문업체인 ㈜밸류애드에서 Wafer에 대한 시장동향 정보입니다.
작성일자를 반드시 확인하시고, 최근에 작성된 정보를 구매하시기 바랍니다.
본 컨텐츠에서는 국내 Wafer의 , 2005년까지 수출액(천US$), 2005년까지 수입액(천US$), 2005년까지 무역수지(천US$)이 기술되어 있습니다.
통계 중심으로 작성되어 있으며, <밸류애드 정보통신산업 동향(2005년도) [견본].. |
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| Wafer cleaning
1. Types and sources of contamination
Particles- 먼지, 꽃가루, clothing particles, 박테리아 등. 보통의 공간(1큐빅 피트 안에)에는0.5 micron 이상 크기의 입자 10 6 개 이상 있다. 20 micron 이상의 지름을 갖는 입자의 경우 쉽게 가라 앉으므로 주로 문제가 되는 입자는 0.1 to 20 micron 의 지름을 갖는 입자이다.
Inorganic contaminants - 염, 용액의 이온, 무거운 metal 원자... |
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| 실험 1 : Cleaning Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
Wafer
Oxidation temperature
Oxidation time
Si (100)
p-type, 1~10 cm
1000℃
2 hours
4 hours
6 hours
나.. |
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| 실험: Annealing(Silcidation)
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Metal deposition 을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 변화 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정하여 온도에 따라 어떻게 변화.. |
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| 실리콘밸리(Silicon Valley)의 형성과정과 경로의존성
1. 실리콘밸리(Silicon Valley)
미국 샌프란시스코의 남방에 위치한 세계적인 첨단산업단지, 반도체 재료인 실리콘(Silicon)과 산타클라라 인근 계곡(Valley)을 합쳐서 만든 말이다. 원래는 양질의 포도주 생산 지대였는데, 전자산업의 기반이라고 할 수 있는 반도체 칩을 생산하는 기업들이 대거 진출하면서 실리콘밸리로 불리게 된, 벤처기업 밀집 .. |
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| 반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계
목 차
1. 단결정 성장
2. 규소봉 절단
3. Wafer 표면 연마
4. 회로 설계
5. Mask 제작
6. 산화공정
7. 감광액 도포
8. 노광공정
9. 현상공정
10. 식각공정
11. 이온주입공정
12. 화학기상 증착
13. 금속배선
14. Wafer 자동선별
15. Wafer 절단
16. 칩 집착
17. 금속연결
18. 성 형
1. 단결정 성장
특수 공정을 이용해 웨이퍼 위에 전자회로를 새긴 후, 웨이퍼 위 .. |
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| 재료공학실험 결과보고서
- Silicon nanowire의 합성 -
1. Silicon nanowire를 합성하는 여러 방법에 대한 조사.
1) vapor-liquid-solid (VLS) growth
- 이 방식은 현재까지 nanowire를 만드는데 가장 잘 알려진 방법이다. 가장 먼저 촉매로서 금의 나노 입자가 실리콘 웨이퍼 위에 도포되고, 이 웨이퍼는 진공 체임버 안에서 금과 시리콘의 공융점이상의 온도로 가열된다.(이상 annealing) 가열 후 실.. |
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| 실험: Photo Lithography
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 Photo lithography 를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
PR공정 결과.. |
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| 실험 4 : Metal Deposition
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Dry etching 을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 Metal deposition 을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는
금속을 Ni로 증착 두께를 10nm, 20nm, 30nm로 변화를 주어 증착 두께를 조정함에 따라
제품의 면저항에 어떤 영향을 끼치는지 확인하고자 한다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
증착 금속
증.. |
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| 광학현미경의 조직 검사 및 시편 준비
이론적배경:
①에칭
화학약품을 사용하여 금속, 세라믹스, 반도체 등의 표면을 부식시키는 것. 부식이라고도 한다. 표면 연마와 반도체의 정밀가공, 인쇄제판 공정 등에서 재료를 패턴상으로 부식시키기 위해서 한다. 최근 반도체 공업에서는 에칭액을 사용하지 않는 드라이 에칭이 많이 사용되고 있다.
동의어 부식
화학적으로 접촉되는 부분을 녹여서 제거하는 공정.. |
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| 반도체 산업에서 많이 사용하는 용어를 모은 자료입니다
본문내용
본 자료는 표로 작성되고 일부는 그림이 있으나 자료설명(본문)에는 삽입 할수가 없었습니다. 이해 하시길...
특성검사 조립 진행 중인 반제품의 특성을 주어진 검사규격에 의해 시험 평가하는 검사
Audit(오디트) 품질 및 현재 수준에 대해서 감사를 하는 활동.
C.C.N.
(씨.씨.엔) Change Control Notice(체인지 컨트롤 노티스)의 줄임 .. |
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| 실험: Dry etching
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Photolithography 공정을 실시한 후 Si기판을
플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 Dry etching 을 실시하며 FE-SEM을 이용하여
SiO2 inspection을 측정한다. 이번 실험에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을
3min, 5min, 7min으로 변화를 주어 에칭 시간을 조정함에 따라 제품의 SiO2 inspection이
어떤 영향을 받는지 확인하고.. |
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