|
|
|
|
 |
|
| 전자회로실험 - BJT의 특성 및 bias
1. 실험 제목
BJT의 특성 및 bias
2. 실험 목적
2-1.트랜지스터 바이어스, 동작점, 증폭 작용, 스위치 작용 사이의 상관 관계를 인식함으로써 트랜지스터 회로 설계 능력을 기른다. 특히 동작점의 위치와 증폭기로서의 특성 사이의 관계에 대한 이해를 통하여 증폭기 설계의 기초를 마련한다.
2-2.증폭기로 동작하도록 동작점을 설정하는 기법을 익힌다. 아울러 동.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| MOSFET 증폭회로
1. 실험 목적
- MOS 전계 효과 트랜지스터의 소신호 동작과 등가회로를 이해하고, 공통 소스 증폭기와 공통 드레인 증폭기를 구성하여 증폭현상을 관측하며, 증폭기의 중요한 특성을 측정한다. 그리고 동작점의 이동으로 인한 출력 신호 파형의 변화를 실험으로 관찰한다.
2. 실험 해설
A. 소신호 동작과 모델
- 활성 영역에서 동작하도록 바이어스된 MOS 트랜지스터는 신호를 증폭할 .. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 결과 보고서
1. 실험 제목
CE 구성의 특성곡선 및 측정
2. 실험 목적
․ 트랜지스터의 접속 중 CE접속을 이용하여 회로를 구성, 그에 따른 각 저항 및 소자에서 출력되는 전류, 전압을 측정하여 TR의 동작을 이해한다.
․ pcpice , 이론계산으로 나온 값과 실제 실험을 통하여 나온 값을 비교하여 실제적인 오차를 파악하고 실제로 트랜지스터가 어떻게 작동하는지를 알아본다.
3. 실험 장비 및 재료
․ .. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 반도체란 무엇이며, 반도체는 어떻게 만들어 지는가에 대하여 그림과 함께 설명하였습니다.
반도체는 어떻게 만드는가
반도체 집적회로는 손톱만큼이나 작고 얇은 실리콘칩에 지나지 않지만 그 안에는 수만 개에서
천만개 이상의 전자부품들(트랜지스터, 다이오드, 저항, 캐패시터)이 가득 들어있다. 이러한 전자부품들이 서로 정확하게 연결도어 논리게이트와 기억소자 역할을 하게되는 것이다.
.... |
|
|
|
|
|
 |
|
| 논리게이트
(논리설계 레포트)
(1) 기본 게이트
․컴퓨터 내부의 전자적 회로는 많은 스위치를 연결한 것과 같으며, 기본적인 단위 기능을 수행하는 것을 말한다.
① OR 게이트
․역할 : 어느 하나만 1이면 결과가 1이고, 모두 0이면 결과가 0이 됨
․표기 : OFF(0), ON(1)
․회로표현
그림 . 스위칭 회로
그림 . 트랜지스터 회로
그림 . OR회로 기호
② AND 게이트
․역할 : 두 개의 입력이 모두 1일때.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 1. 실험 목적
교류, 직류에 대한 전기저항, 전류 및 전압을 디지털 멀티테스터로 정확하게 측정한다.
2. 실험 기기
디지털 멀티테스터 (Analog 멀티테스터), 전원 (건전지, DC 어댑터), 각종 저항, 발광 다이오드, 각종 커패시터, 리드전선
3. 실험 이론
멀티테스터기로는 저항, 전류, 전압 등을 측정할 수 있다. 기기의 정확한 사용법의 습득은 정확한 측정, 사용자의 안전, 제품의 유지 및 보수를 가능.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 반도체와 초전도체
Ⅰ실리콘계 반도체
Ⅱ화합물 반도체
Ⅲ초전도체
초기의 반도체 소자를 제작하는데 쓰인 물질은 Ge이며 현재는 Si 및 고속 또는 빛을 방출, 흡수하는데 필요한 소자로 화합물 반도체를 사용한다.
특히 실리콘은 정류소자, 트랜지스터 및 집적회로에 이용되는 아주 중요한 반도체 물질이다. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 반도체 소재의 종류 및 특성
목차
1. 반도체 소재
1) 반도체 소재란
2) P형 반도체
3) N형 반도체
2. 반도체 소재의 종류
1) 다이오드 (Diode)
2) 트랜지스터(Transister)
3) 사이리스터(thyristor)
반도체 소재란
반도체소재 정의
반도체를 소재로 하여 만든 회로
반도체소재의 재료
게르마늄(Ge), 규소(Si), GaAs 와 아산화구리 ·황화카드뮴
성질상 구분
n형 ·p형 ·진성(眞性) 등, 그들을 단.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| Contents
1234
IBM 기업 소개
IBM의 역사와 초창기의 성공
IBM의 위기
IBM의 위기 타개 과정
1
IBM
IBM 기업 소개
Contents
1234
IBM 기업 소개
IBM의 역사와 초창기의 성공
IBM의 위기
IBM의 위기 타개 과정
IBM의 역사와 초창기의 성공
IBM 85%
PCS시장 점유율
IBM의 역사와 초창기의 성공
IBM의 주요 사건
1939 마크e1
1949 IBM 월드 트레이드 사
1958 컴퓨터 7000
1960 트랜지스터식 계산기
1964 시.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
목 차
I. Abstract.
II. Introduction
III. Materials Methods
IV. Result
V. Discussion
VI. Conclusion
I. Abstract
이번 실험은 트랜지스터 2N7000의 특성을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 특성을 이해한다. 실험한 결과,
II. Introduction
1. 2N7000
2. 결과 예측
VGS=-5.348nV IDS.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 트렌지스터 직류 바이어스 실험
실 험 일 자
지도교수
실 험 자
소 속
학 번
성 명
실 험 목 적
트랙지스터의 여러 가지 바이어스 회로를 구성하고 분석함으로써 직류
바이어스에 대한 개념을 명확히 한다.
실 험 기 기
및
부 품
디지털 멀티미터
파워 서플라이
브레드보드
트랜지스터
저항 330 , 470 , 1, 2, 4.7,
6.8 , 33 , 47 , 1 ,
1 대
1 대
1 [EA]
2 [EA]
각각 1 [EA]
실 험 방 법
6.5.1 베이.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 1. 목 적
차동 증폭기회로에서 DC와 AC전압을 측정한다
2. 실험장비
(1) 계측장비
오실로스코프
DMM
함수 발생기
직류전원 공급기
(2) 부품
◇ 저항
4.3k
10k
20k
◇ 트랜지스터
2N3823(혹은 등가) (3개)
3. 이론개요
▪ BJT 차동증폭기
차동 증폭기는 (+), 혹은 (-) 입력을 가지는 회로이다. 전형적인 동작에서 반대
위상의 입력은 크게 증폭되지만, 동위상의 출력에서 상쇄된다. 그림.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 에미터 공통증폭기의 바이어스와 이득
실험목적
(1)전압 분배바이어스를 이용하여 에미터 공통교류증폭기를 구성한다.
(2)에미터 공통증폭기의 전압이득을 측정한다.
(3)증폭기 이득에 관한 에미터 바이패스 커패시터의 영향을 관찰한다.
실험기기 및 재료
(1)직류전원장치, 오실로스코프, 함수발생기
(2)저항 :560Ω, 1KΩ, 8.2kΩ, 18kΩ, 220kΩ
1/2W
(3)콘덴서 :22F 50V, 100F 50V
(4)트랜지스터 :2N6004
(5).. |
|
|
|
|
|
 |
|
| RS 및 D Flip Flop JK 및 T Flip Flop
Flip Flop 이란
플립플롭은 두 가지 상태 사이를 번갈아 하는 전자회로이다. 플립플롭에 전류가 부가되면,현재의 반대 상태로 변하며 (0 에서 1 로,또는 1 에서 0 으로), 그 상태를 계속 유지하므로 한 비트의 정보를 저장할 수 있는 능력을 가지고 있다. 여러 개의 트랜지스터로 만들어지며 SRAM이나 하드웨어 레지스터 등을 구성하는데 사용 플립플롭에는 RS 플립플.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| FET특성 및 증폭기
1. 관련 이론
전기장 효과 트랜지스터(FET: field effect transistor)
: 단극(單極)트랜지스터 또는 FET라고도 한다. 원리는 반도체의 소스(source)에서 집전극(集電極)의 드레인(drain)에 흐르는 전자류(電子流)를 게이트(gate)에 가한 전압에 의한 전기장으로 제어하는 것이다. 즉, 채널의 저항을 변화시켜 다수 캐리어의 흐름을 제어하는 것이다.
실효단면적을 변화시키는 것과(.. |
|
|
|
|
|
|
|
