전체 (검색결과 약 4,705개 중 37페이지)

 트랜지스터증폭기 ( 5Pages )
목 적 베이스공통증폭기와 이미터 폴로워를 구성, 측정하여 그 특성을 이해, 확인한다. 이 론 (1) 베이스공통증폭기 전류증폭도는 1보다 약간 작으나 전압증폭도는 이미터 공통의 경우만큼 크다. 또, 입력저항은 대단히 낮고 출력저항이 대단히 높다. 이미터공통증폭기의 경우와 마찬가지로 이 증폭기의 제반특성은 h-파라미터나 T-등가회로에 의해서 해석할 수 있다. 여기서도 h-파라미터에 의해서 해..
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공학, 기술
 실험보고서 - 랩뷰(Lab View) 프로그램을 이용하여 저항 값을 측정 ( 5Pages )
실험보고서 - 랩뷰(Lab View) 프로그램을 이용하여 저항 값을 측정 1. 실험목적 Lab View 프로그램을 이용하여 저항 값을 측정하고 그 과정을 분석해 보자. 2. 실험방법 ① 전원 공급 장치, 전압측정기, 그리고 컴퓨터를 케이블로 연결한다. ② 전원 공급 장치와 미지저항을 연결한다. ③ Lab View 프로그램을 이용하여 저항을 측정한다. ④ 측정된 저항 값의 그래프와 설정된 Lab View 프로그램의 회로도를 ..
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 [물리실험] RLC회로에 의한 임피던스 측정 ( 4Pages )
일 자 조 실험자(학번) 공동실험자 1. 제 목 : RLC 회로에 의한 임피던스 측정 2. 목적 및 원리 : 교류 회로에서 도체 내의 전자는 계속해서 방향을 바꾸어 흐른다. 그러므로 전압전류 또한 계속해서 변하는데, 전압 E와 전류 는 다음과 같이 나타 낼 수 있다. E= sin = 여기서, :최대전압 :최대전류, t:시간 =2/ T=2:각 진동수 :초기 위상각 다음은 R.L.C의 직렬 회로이다. 회로에서 각각의 소..
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 MOSFET Boost Chopper ( 11Pages )
본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Boost Chopper 에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임. 1. 실험 목적 2. 관련 이론 가. 부스트-쵸퍼(Boost-Chopper) 3. 실험 요약 4. 실험 순서 가. MOSFET 부스트-쵸퍼의 동작 나. 스위칭 제어신호 주파수의 영향관측 다. 입력 대 출력 5. 검토 및 결론 ..
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MOSFET Boost Chopper, 부스트-쵸퍼, MOSFET 부스트-쵸퍼의 동작, 입력 대 출력
 전기전자 기초실험 - 역률 측정 실험 ( 3Pages )
1. 실험목적 전력계의 원리를 이해하며 전력계의 취급법 및 정확히 전력을 측정하는 방법을 배운다. 2. 실험 예비지식 전력계는 부하에 공급된 전력을 측정하는 계기이며, 직류회로 및 교류회로에서의 전력 p는 다음과 같다. ∎ 직류 : P = VI [W] ∎ 교류 : P = VIcos⊖ [W] 전력계는 사용하는 전류의 성질에 따라 직류, 단상교류 및 다상 교류의 세 종류로 분류된다. 또 동작원리에 의하여 전력계형과 ..
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 TheoremsandTerminologies ( 13Pages )
Theorems and Terminologies 1.Ohm's law 옴의 법칙은 전류와 볼트 그리고 저항간의 관계를 보여주는 법칙이다. 이 공식에서는 전류전압은 비례하고 전류와 저항은 반비례한다는 것을 알 수 있다. I V 위 그림은 옴의 법칙을 그래프화 시킨 것이다. 그런데 뭔가 이상한 점을 발견할 수 있다. 공식대로라면 이 그래프는 직선으로 전류전압이 비례하는 그래프가 그려져야 하는 게 정상인데 ..
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리포트, 레포트
 [기초회로실험] 테브닌-노턴(Thevenin Norton 정리)정리 ( 14Pages )
Thevenin Norton 정리 1. 실험의 목적 테브닌-노턴의 정리에서 등가 회로의 개념을 이해하고 이것을 회로 해석에 응용한다. 직․병렬 회로의 해석에 있어서 테브닌 등가전압과 등가저항의 값을 실험적으로 관찰한다. 노턴 등가전류와 등가저항의 값을 실험적으로 측정한다. 2. 실험 준비물 ▶ 멀티 미터(전류 측정) 1대 ▶ 직류 전원 장치 ( Power Supply ) 1대 ▶ 저항 100Ω, 200Ω, 240Ω. 470Ω, 1㏀, 2..
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 물리학 실험 - ohms law[옴의 법칙] ( 4Pages )
옴의 법칙 Georg Simon Oh은 전류, 전압, 저항이라는 세가지 중요한 전기적인 양의 상호작용을 발견하였다. 그 상호작용과 저항의 단위 모두를 물리학에 대한 그의 공헌을 기념하기위해 그의 이름으로 지어졌다. 옴의 법칙의 한 가지 진술은 저항을 통과하는 전류전압에 비례한다는 것이다. 이번실험에서 당신은 Current Voltage Probe System과 컴퓨터로 몇 개의 다른 회로에서 이 법칙의 진위를 판명..
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 전기전자 응용 - 다이오드 ( 5Pages )
1. 다이오드 (1) 다이오드의 구조와 동작 다이오드 : + 의 전기를 많이 가지고 있는 p형 물질과 - 의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있다. p는 인듐(In)이나 갈륨(Ga)과 같은 물질을 규소에 합성하여 + 성분(hole:정공)이 많게 만든 물질이고, n은 비소(As)나 안티몬(Sb)과 같은 물..
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 기관운전일지(석박사) ( 1Pages )
기관운전일지 (석박사) 결재 주임 담당 20 년월일 요일 일기 호기별 적요 제1 호기 제2 호기 제3 호기 제4 호기 제5호기 전압전류 전압 V 송풍기전류 A 버너전류 A 급수펌프전류 A 연료의종류 연료공급압력 ㎏/㎠ 연료사용압력 mmAq POINT조작 M/A POINT개도 % 급수조작 M/A 급수온도 。C 증기압력 ㎏/㎠ 연소용공기온도 。C 배기가스온도 。C 청관제 금일 투입량(PH) 누계 외기온..
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 일반물리학 실험 - 옴(Ohm)의 법칙 결과 보고서 ( 5Pages )
1. 실험 제목 [ Ohm의 법칙 ] 본 실험을 통해 ∎ 전기회로에서 전압전류, 저항의 관계를 이해한다. ∎ 실험장비의 사용법과 측정법을 익힌다. 2. 관련이론 1. 전기저항(저항) : 전하의 흐름을 방해하는 소자나 그러한 소자의 전기적 특성을 나타내는 용어로서 통상적으로 기호 R로 표기한다. 저항의 크기를 나타내는 단위로는 옴(ohm, 기호[])을 사용한다. 1[]은 도체의 양단에 1[V]의 전압을 가..
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 다이오드의 특성 측정 ( 3Pages )
1. 실험 목적 (1) 반도체 다이오드(diode)의 순방향 및 역방향의 전압 전류 특성을 이해한다. (2) 실리콘과 게르마늄 다이오드의 문턱 전압을 측정한다. 2. 이론 (1) 다이오드 반도체 다이오드는 셀레늄(selenium : Se)을 주체로 한 것과 실리콘(silicon : Si), 게르마늄(germanium : Ge)을 주체로 한 것이 있으나 정류용으로는 Si이 주로 쓰인다. [그림 19-1] 다이오드의 기본 구조 다이오드는 그림..
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 실험2 전기회로에서 저항의 연결 ( 13Pages )
1. 실험목적 2. 장비 및 부품 4. 실험 5. 고찰 6. 실험후기 1. 실험목적 1) 저항의 직렬 및 병렬연결 시 합성 저항 값에 대하여 이해한다. 2) 저항의 직렬연결 시 전압과 저항의 관계를 알아본다. 3) 저항의 병렬연결 시 전류와 저항의 관계를 알아본다. 4) 옴의 법칙이 성립하는가를 실험을 통하여 확인한다. 5) KCL과 KVL 법칙이 성립하는가를 실험을 통하여 확인한다. 6) 전압분배법칙과 전류분배법..
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전기회로에서 저항의 연결, 전기회로, 저항, 저항의 연결, 전기공학, 전기공학 실험, 전기회로에서 저항의 연결, 저항의 직렬, 저항의 병렬연결, 저항의 관계
 MOSFET Buck-Chopper ( 11Pages )
본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 MOSFET Buck-Chopper 에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임. 1. 실험 목적 2. 관련 이론 가. 벅-쵸퍼(Buck-chopper) 3. 실험 요약 4. 실험 순서 가. MOSFET 벅-쵸퍼의 동작 나. 스위칭제어신호 주파수의 효과를 관측하기 다. 출력전력 대 입력전력 5. 검토 및 결론 ..
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MOSFET Buck-Chopper, 벅-쵸퍼, MOSFET 벅-쵸퍼의 동작, 출력전력 대 입력전력
 전기전자응용실험 - 다이오드 ( 5Pages )
1. 다이오드 (1) 다이오드의 구조와 동작 다이오드 : + 의 전기를 많이 가지고 있는 p형 물질과 - 의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있다. p는 인듐(In)이나 갈륨(Ga)과 같은 물질을 규소에 합성하여 + 성분(hole:정공)이 많게 만든 물질이고, n은 비소(As)나 안티몬(Sb)과 같은 물..
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