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| 포토리소(Photolithography)
가공방법 및 적용분야에 대해서
2345
2.1 Silicon with Oxide Layer
6
Coater 제조회사
-TEL(83%)
-Dainippon(8%)
-ASML(4%)
KCTEC
Spinless Coater
PR사용량 1/10
2.1 Silicon with Oxide Layer - Coater
7
2.2 Expose Photoresist
8
Fig. 5 Scaner
Hankook Industry co., LTD
2.2 Expose Photoresist - Scaner
9
2.3 Develop Photoresist
10
2.3 Develop Photoresist - Ste.. |
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| - 목차 -
1. 실험 목적
···
p. 2
2. 실험 배경
···
p. 2
3. 실험 이론
···
p. 2
① Si의 특성
···
p. 2
② MOS Capacitor
···
p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···
p. 8
4. 실험 방법
···
p. 9
5. 결과 예측
···
p. 11
6. 결과 분석
···
p. 12
① C-V 결과 분석
···
p. 12
② I-V 결과 분석
···
p. 16
7. 결론
···
p. 19
8. 참고문헌
···
p. 19
1. 실험 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 .. |
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| 1. 포토리소그래피(Photolithography)
ⅰ) 포토리소그래피(Photolithography)란
Photolithography 공정은 어떤 특정한 화학약품(Photo resist)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜서 성질이 변하는 월리를 이용하여, 얻고자 하는 patten의 mask를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 mask patten과 동일한 patten을 형성시키는 공정이다. Photolithography 공정은 일반사진의 film에 해당하는 photo .. |
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| Contact Angle
Ⅰ. 실험 결과 및 분석
① Roughness 에 따른 접촉각 측정 (Water 사용)
기본(Si-wafer)
800
400
80
※ 숫자가 작을수록 Roughness가 커짐
구 분
Roughness
contact angle
Average
contact angle
COS (평균값)
11
기본
37.3
37.86
0.7894
2
38.0
3
38.0
4
38.0
5
38.0
21
800
35.3
35.34
0.8156
2
35.4
3
35.4
4
35.3
5
35.3
31
400
31.2
31.1
0.8560
2
31.2
3
31.0
4
31.1
5
31.0
41
80
2.. |
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| 반도체 공정
(wafer fabrication)
목차
1. 반도체란
2. 반도체의 기본이 되는 트랜지스터, 그 중 대세인 MOSFET
3. 풀노드와 하프노드
4. 공정에서 칩의 크기를 줄이려는 이유
5. 반도체 공정재료와 장비
6. 반도체 관련 용어
7. 반도체 공정 요약
8. 구체적인 반도체공정
1. 반도체란
전기전도도에 따라 물질을 분류하면 크게 도체, 반도체, 부도체로 나뉜다. 반도체는 순수한 상태에서 부도체와 비슷한.. |
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| 본 컨텐츠는 시장조사, 수요예측 전문업체인 ㈜밸류애드에서 반도체장비에 대한 시장동향 정보입니다.
작성일자를 반드시 확인하시고, 최근에 작성된 정보를 구매하시기 바랍니다.
본 컨텐츠에서는 세세분류 : 반도체장비에 대한 간략 개요, 산업동향(2000년부터 2006년4분기까지) 등이 기술되어 있습니다.
통계 중심으로 작성되어 있으며, <밸류애드 산업동향(2005년도) [견본]>이 무료로 제공되.. |
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| Hazard of TFT-LCDManufacturing Process
2004. 4. 26
한 승 용
Contents
TFT-LCD(Thin Film Transistor LCD)
LC(Liquid Crystal)
Manufacturing Process
TFT Process
Cell Process
Module Process
Hazards
MSDS NFPA 704 M Code
TFT-LCD
구성
TFT가 형성되어 있는 아래 유리기판
Color Filter가 형성되어 있는 윗 유리기판
TFT 와 Color Filter 사이에 주입된 액정(LC)으로 구성
원리
TFT는 전기적 신호.. |
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| 1. 실험목적
실험을 통해 HALL IC의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할 수 있다.
2. 실험이론
1) Hall IC
Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.
현재 많은 온도 센서, 압력 센서, 광센서 등의 제품이 IC화되었지만 그 .. |
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| 1. 실험목적
실험을 통해 HALL IC의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할 수 있다.
2. 실험이론
1) Hall IC
Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.
현재 많은 온도 센서, 압력 센서, 광센서 등의 제품이 IC화되었지만 그 .. |
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| ◀목 차▶
【성공사례】
1. 회사개요
2. 기업개선작업 신청 배경
3. 기업개선작업 진행 경과 및 경영관리단
4. 기업개선작업 계획
5. 구조조정 추진 전략 및 현황
6. 장기 경영전망 및 과제
【실패사례】
1. 솔루션 업체 S사의 잘못된 판단
2. 비즈니스 마인드, 현실 감각 부족
3. 위기, 어떻게 극복해야 했을까
4. 구조조정 기회를 놓쳤다
보고서를 작성하면서...
【성공사례】
1. 회사 .. |
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| 1. 한국 반도체의 역사
우리나라 반도체 산업의 최초 시작은 1965년 ~ 1970년대에 외국의 자본에 의한 조립 생산단계로부터 시작하여 1983년 ~ 1990년대 국내 기업들에 의한 조립 및 개별소자 생산단계로 발전하였고 국산 고유 상표에 의한 수출단계 이후 1996년 이후 생산체제 고도화 단계의 순서로 발전이 되었다.
국내 반도체 산업의 역사는 1965년 미국 코미(Commy) 사와 국내 코미 반도체의 합작에 .. |
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| Semiconductor-Grade Silicon
Table 4.1
CVD 이용// PVD이용
Back End Processing
1243
5 |
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| Solar cell
Market share
95%
5%
Photo Diode
Similar to the principles of photoelectric effect
When the sufficiently high energy photons fall on
or near the depleted area
Electrons are lifted from the Valence band and roll down into the Conduction band
Holes are swept into the Valence band
Photo Diode
Light with energies less than the smallest BG is not absorbed at all
and .. |
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| 1A
원소주기율표
8B
1H
2
He
1.008
hydrogen
2A
3B
4B
5B
6B
7B
4.003
helium
3
Li
4
Be
번호
기호
5B6C7N8O9F
10
Ne
6.941
lithium
9.012
berylium
원자량
영문이름
10.81
boron
12.01
carbon
14.01
nitrogen
16.00
oxigen
19.00
fluorine
20.18
neon
11
Na
12
Mg
13
Al
14
Si
15
P
16
S
17
Cl
18
Ar
22.99
sodi.. |
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1A
PERIODIC TABLE OF THE ELEMENTS
8B
1H
2
He
1.008
hydrogen
2A
3B
4B
5B
6B
7B
4.003
helium
3
Li
4
Be
번호
기호
5B6C7N8O9F
10
Ne
6.941
lithium
9.012
berylium
원자량
영문이름
10.81
boron
12.01
carbon
14.01
nitrogen
16.00
oxigen
19.00
fluorine
20.18
neon
11
Na
12
Mg
13
Al
14
Si
15
P
16
S
17
Cl
18
Ar
22.99
sodium
24.31
magnesium
3A
4A
5A
6A
7A
8
1B
2B
2.. |
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