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 가족복지론 - 현대가족의 변화와 특징 ( 8Pages )
현대가족의 변화와 특징 [목차] 1. 가족의 의미 2. 가족의 변화에 영향을 주는 현대사회의 요소 3. 현대가족의 특징 1) 가족의 형태적 측면에서 본 현대가족의 경향적 특징 가) 핵가족 나) 확대가족 다) 노인가족 라) 편부모가족 마) 재혼가정 바) 기타, 소년소녀가족. 소호족(원룸텔에서 집무와 살림을 동시에 할수있는공간을 이용) 2) 가족의 기능적 측면에서 본 현대가족의 경향적 특징 3) Rouce..
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 [가족복지론] 현대가족의 변화와 특징 ( 7Pages )
현대가족의 변화와 특징 [목차] 1. 가족의 의미 2. 가족의 변화에 영향을 주는 현대사회의 요소 3. 현대가족의 특징 1) 가족의 형태적 측면에서 본 현대가족의 경향적 특징 가) 핵가족 나) 확대가족 다) 노인가족 라) 편부모가족 마) 재혼가정 바) 기타, 소년소녀가족. 소호족(원룸텔에서 집무와 살림을 동시에 할수있는공간을 이용) 2) 가족의 기능적 측면에서 본 현대가족의 경향적 특징 3) Roucek와 War..
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 일반물리실험 - RLC로 이루어진 교류회로에서의 임피던스 ( 4Pages )
일반물리실험 - RLC로 이루어진 교류회로에서의 임피던스 ⊙ 실험목적 교류회로에서 저항, 콘덴서, 코일의 저항 성분인 임피던스를 측정하여 그 개념을 이해하고 주파수에 따른 임피던스 변화와 교류 회로에서의 전압분배 및 위상차를 살펴본다. ⊙ 이론 1) RLC 소자 RLC 소자들은 구조적 물질적 특성으로 인해 외부의 전압에 대해 각각 다른 양상을 띈다. 저항의 경우 직류에서나 교류에서나 일정한 전기..
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 전기전자 실험 - diode[다이오드] 특성곡선 및 LED구동 ( 4Pages )
diode[다이오드] 특성곡선 및 LED구동 목적 diode 특성을 파악하고 그기에 맞는 곡선이 나오는지 확인하라. LED 구동 하고 전압과 전류를 측정하라. 이론 1.diode(1N4001) 전압 대 전류의 그래프가 직선이 아니기 때문에 비선형소자이다. 전압이 전위장벽보다 낮을때 다이오드 전류는 적고, 전위장벽보다 높으면 다이오드 전류는 가파르게 증가한다. 옆에 그림에서 P쪽을 양극(anode), n쪽을 음극..
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 [디지털공학실험] 기본논리게이트 ( 7Pages )
[디지털공학실험] 기본논리게이트 1. 목 적 기본논리게이트인 NOT, AND, OR, NAND, NOR, XOR 게이트의 동작 특성 및 응용에 대하여 살펴본다. 2. 이 론 디지털 시스템은 “1”과 “0” 두 가지 상태만을 가지는 소자들로 구성되며, 이들의 논리연산에는 부울 대수가 사용된다. 부울 대수의 함수를 논리함수라고 부르고, 논리함수를 실현하는 전기적 스위칭 회로를 논리회로라 하며, 이 중 기본이 되는 간단..
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 [화학공학실험] LED 및 LD특성평가 ( 8Pages )
1.서론 1)실험목적 전도체와 LED, LD등의 개념과 원리를 익힌다. LED의 극성(순방향바이어스와 역방향바이어스)을 알아보고, LED와 LD의 특성평가를 통해 이것들이 의미하는 것을 알아본다. 2)이론 반도체는 전기적인 도체와 절연체 사이의 저항 값을 가지는 고체이다. 반도체 제품으로는 트랜지스터, 접합 다이오드, IC, SCR 등 헤아릴 수 없을 정도로 많다. 그 중에서 가장 기본이라고 할 수 있는 것이 ..
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 [전기회로 검사법] PSpice 사용법 ( 14Pages )
[전기회로 검사법] PSpice 사용법 1. PSpice 일반 1-1. PSpice 란 전기, 전자 및 디지털 회로 등을 설계 할 경우에는 회로 특성을 평가할 수 있는 정확한 방법이 필요하다. 이러한 회로를 직접 제작하여 실험할 수도 있지만, 회로 구성 및 특성 해석에 많은 시간과 계측장비 및 경비가 필요하기 때문에 실제로 회로를 제작하기 전에 컴퓨터를 이용하여 계산하고, 측정, 평가하는 과정을 거치는 것이 현재 ..
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공학, 기술
 다이오드에 대해서 ( 3Pages )
1.다이오드 1)원리 다이오드는 순방향 바이어스에 의해서 작동하며, 이 경우 작은 전압의 변화에도 전류는 큰 변화를 보인다. 역방향 바이어스인 경우는 소수 캐리어에 의해 매우 작은 누설전류(역방향 전류)만 흐르게 되는데 역방향 바이어스가 어느 이상이 되면 갑자기 큰 역방향 전류가 흐르게 되고 다이오드는 파손된다. 이런 현상을 항복(breakdown)이라 하는데 다이오드를 손상시키지 않으면서 의도적..
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 (컴퓨터의 이해/1학년공통)마이크로프로세서의 발전 과정과 컴퓨터 산업에 기여한 점 그리고 최신동향을 A4 용지 2페이지 이내로 자세히 서술하라. ( 4Pages )
(컴퓨터의 이해/1학년공통)마이크로프로세서의 발전 과정과 컴퓨터 산업에 기여한 점 그리고 최신동향을 A4 용지 2페이지 이내로 자세히 서술하라. 1. 학우님들의 무궁한 발전을 기원합니다. 2. 인터넷 막펌 자료가 아닌 자료를 토대로 작성한 레포트입니다. 3. 맨 앞장은 제목과 목차, 본 주제에 대한 서론, 본론, 결론순으로 참고문헌까지 완벽하게 기입하였습니다. 4. 잘 참고하시오 좋은 성적 받으..
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마이크프로세서, 마이크로프로세서의 발전과정, CPU와 인텔
 하이닉스 반도체 기업분석 보고서(2006년 자료) ( 18Pages )
   하이닉스 반도체 기업분석 보고서 지난 2001년 세계 반도체 업계에 거대한 태풍이 몰아쳤다. 반도체 D램 가격이 유례 없는 대폭락을 이어가면서 반도체 업계 사상 최악의 불황이 시작된 것이다. 태풍은 한국에 이르러 가장 파괴적인 힘을 과시했다. 우리나라 반도체 산업의 양대 산맥 중 하나인 하이닉스 반도체가 무려 15조원에 이르는 천문학적인 액수의 부채를 떠안고 한순간에 무너진 것이다. 그..
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 마이크로프로세서의 발전과정+QR코드 ( 4Pages )
마이크로프로세서의 발전 과정과 컴퓨터 산업에 기여한 점 그리고 최신 동향을 A4용지 2페이지 이내로 자세히 서술하라. 1. 마이크로프로세서의 기여도 와 전망 SIA(semiconductor industry association) 로드맵(roadmap)에 의하면 2000년대로 접어들면서 수십 나노미터에 불과한 게이트 길이를 갖는 트랜지스터들이 구현, 집적될 것이다. 이와 같은 추세라면 2010년경의 개인용 컴퓨터에 사용되는 마이크..
리포트 > 공학/기술 |
 산화공정 실험보고서 ( 4Pages )
산화공정 1. 실험목적 실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼 표면에 산화층을 열적으로 성장시키는 능력이다. 실리콘 기판 속으로 불순물을 확산시켜서 산화층을 열적으로 성장시키고 식각시키고 패턴화되는 산화막 마스킹 공정이 1950년부터 두드러지게 개발되었다. 이 개발은 트랜지스터를 대량으로 제작하기 위한 공정 개발에 있어서 기본적인 요소이다. 이러한 방법으로 산화공정은 실리콘 평면 기..
리포트 > 자연과학 |
 삼성전자 System LSI 사업부 합격 자기소개서 ( 2Pages )
제가 회사를 선택하는 기준은 '다양한 경험을 할 수 있는가'입니다. 새로운 경험과 도전을 즐기고 싶어 다양한 관심 분야를 두다 결과적으로 4차 산업혁명의 중심에는 삼성전자 SystemL SI 사업부가 있다고 생각합니다. 삼성 취업을 선택한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오. 제가 회사를 선택하는 기준은 '다양한 경험을 할 수 있는가'입니다. 특히 S.LSI 사업부는 모바일 AP, 스마..
서식 > 자기소개서 |
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 저출산의 요인과 문제점 해결방안에 관한 고찰 ( 4Pages )
저출산의 요인과 문제점 해결방안에 관한 고찰. 목 차 I. 서론 II. 저출산 요인과 문제점 2.저출산의 문제점 3.해결방안 Ⅲ. 결론 -참고 문헌- I.서론 인구의 기아 급수적 증가는 경제발전의 저해 요인으로 보고 사회 경제적 발전과 국민들의 생활수준 향상, 가족에 대한 가치관의 변화로 경제 개발 계획의 수립과 동시에 1990년대 이전까지 추진 해왔던 가족계획 출산억제 정책 등에 의하여 우리나라는 ..
리포트 > 사회과학 |
 전자공학 - 접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT) ( 4Pages )
접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT) 1. 접합형 트랜지스터(Bipolar junction transistor ; BJT)란 - 바이폴라 트랜지스터(Bipolar transistor 또는 Bipolar junction transistor ; BJT)는 접합형 트랜지스터라고도 불리는 트랜지스터의 일종이다. n-형과 p-형 반도체, 그리고 이들의 접합(接合) 형성과 이용이 개발되었다. N형과 P형 반도체가 P-N-P 또는 N-P-N 의 접합구조를 가지고 ..
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