|
|
|
전체
(검색결과 약 1,555개 중 10페이지)
| |
|
|
|
 |
|
| 생산기술연구소 회로개발직무에 지원한 이유는 무엇인가요?
생산기술연구소에서 의회로 개발과 일반 제품 회로 개발의 차이는 무엇이라 생각하나요?
삼성전자 생산기술연구소에서 저는 기술의 정밀성과 생산성의 효율을 동시에 설계하는 회로 개발자 으성장하고 싶습니다.
그때부터 저는 제품이 만들어지는 과정을 분석하고, 설계 단계부터 양산성, 자동화 가능성, 테스트 편의성까지 고려하는 기술자이되고.. |
|
 |
회로, 설계, 생산, 기술, 성, 개발, 연구소, 제어, 제품, 장비, 테스트, 효율, 시스템, 성과, 생각, 고속, 품질, 부품, 안정, 단순하다 |
|
|
|
|
 |
|
| 결과 보고서
제목: 정류회로
[1] 측정값
가. 반파 정류회로
파형 발생기 주파수 = 60 Hz
Time/Div = 5 ms/div
Volt/Div = 1 volt/div
[sine 파]
나. 전파 정류회로
다. 필터 회로
[ 60 Hz]
[ 200 Hz]
[2] 계산 및 결과
1)다이오드의 특징
다이오드는 한쪽 방향으로는 전류를 잘 통과시키지만 반대 방향으로는 거의 전류를 통과시키지 않는다. 이것은 순방향 저항은 낮은 반면에 역방향 저항은 .. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 계측 및 신호처리
-미/적분회로(differentiator/integrator)-
1. 실험제목
미/적분회로(differentiator/integrator)
2. 실험목적
구성해 보고 구성한 회로의 입력신호가 되어 출력되는 모습을 확인한다.
3. 실험이론
(1) 미분기(differentiator)
-입력신호의 시간적 변화율(시간미분)에 비례하는 출력을 내는 회로.
-왼쪽 회로는 제한된 고주파 이득을 가지는 미분기이다. (높은 주파수에서 이득.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 1. 실험 제목 : RLC 공진회로와 대역필터
2. 실험 목적
- 본 실험을 통해
￭ RLC 공진회로에 대한 기본 개념과 이론을 파악한다.
￭ Q factor, Cut-off 주파수 등 공진회로의 특성을 알아본다.
￭ RLC 회로의 공진 주파수 특성을 실험을 통하여 이해한다.
￭ 주파수 변화에 따른 RLC 회로의 임피던스를 알아본다.
3. 실험 준비물
-오실로스코프
-함수발생기
-디지털 멀티미터(DMM)
-저항
-인턱터
-커패시터
.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| RLC 공진회로
1. 실험 목적
주파수 변화에 따른 RLC 병렬회로의 전류와 임피던스의 변화를 실험을 통하여 확인하고, RLC 병렬회로의 공진주파수를 찾는다.
2. 이론
A. 공진 주파수
L과 C가 병렬로 연결된 그림 1의 회로를 생각 하자. 여기서, 인 조건을 만족시키는 주파수를 병렬공진이 일어나는 공진 주파수로 정의하고, 이때의 는
로 주어진다. 여기서,
,
이다.
B. 전류
식 , 에 의하면 주파수 .. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 일반물리실험 - RC회로 충방전 과정 결과
1. 실험목적: 저항과 축전기(콘덴서)로 이루어진 RC 회로의 충방전 과정을 이해한다.
2.실험이론:
1.시정수
시정수란 어떤 회로가 외부로부터의 입력에 얼마나 빠르게 반응할 수 있는지를 나타내는 지표이다. 저항(R)과 콘덴서(C)가 직렬로 연결된 회로가 있을 때, 시간 0 에서 일정 전압을 주면 콘텐서의 전압은 지수함수적으로 상승하고, 어느 정도의 시간이 .. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 디지털 회로 실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 전자부품회로설계의 기초에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 개요
1.1 전압, 전류, 저항
1.2 직류와 교류
1.3 주파수와 주기
1-4. 회로의 기본법칙
2. 전자 부품의 종류 및 사용방법
2.1 저항
2.2 콘덴서
2.3 다이오드
2.4 트랜지스터
2.5 OP AMP (반전 증.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱
1.Orcad 결과
1) ID - VGS 특성
-회로-
-파형-
2) ID - VDS 특성
-회로-
-파형-
3) 마디전압
-회로-
-파형-
4)드레인 전류
-회로-
-파형-
2.실험 결과 값
n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 특성 측정
VGS(V)
10
VDS(V)
1234579
11
ID(mA)
0
0.142
0.424
3.760
6.832
14.654
23.582
33.101
n-채널 MOSFET 의 ID - VDS 특성 측정
VGS(V)
2
VDS(V)
1234579
11.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 영상 디스플레이 회로 개발에서 가장 중요하다고 생각하는 설계 포인트는 무엇인가요?
영상디스플레이 회로 개발에서 가장 핵심적인 설계 포인트는 고속 신호의 정합성과 전원 안정성, 그리고 EMI/EMC 대응 설계입니다.
이를 위해 입사 후 초기에는 영상보드 설계, 전원회로 개발, 고속인터페이스 설계 등 개별 기능회로 설계 경험을 체계적으로 축적하고 싶습니다.
초기엔 소프트웨어 문제로 의심했으나, .. |
|
|
회로, 설계, 디스플레이, 신호, 성, 개발, 시스템, 영상, 이다, 싶다, 기술, 전원, 고속, 경험, 되어다, 안정, 제품, 인터페이스, 모듈, 동시 |
|
|
|
|
 |
|
| 실험. 비안정 멀티바이브레이터(구형파 발생기)
1.Orcad 결과
[비안정 멀티바이브레이터 회로의 발진 파형들]
-회로-
-파형-
(입력 전압)
(출력 전압)
2.오실로스코프 파형
(Ch 1 : - 입력 전압 , Ch 2 : + 입력 전압)
(Ch 1 : 출력 전압)
3. 고찰
이번 실험은 비안정 멀티바이브레이터에 관한 실험이었다.
.... |
|
|
|
|
|
 |
|
| 1.실험제목
-RLC회로의 임피던스
2.실험목적
-저항, 인덕터 및 축전기로 구성된 교류회로에서 주파수에 따라 변화하는 를 각각 측정하고, RLC회로의 임피던스 Z를 구한다
3.실험이론
[1] RL 직렬 회로
① R 양단 전압 : VR=RI, VR은 전류 I와 동상② L 양단 전압 : VL=XLI=LI, VL은 전류 I보다 /2[rad]만큼 앞선 위상③ 전압 : ④ 전류 : ⑤ 위상차 : ⑥ 임피던스 : 교류에서 전류의 흐름을 방해하는 R, L, C의.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 전자회로실험 - 반파 및 전파 정류 회로
목 차
1. 목적
2. 이론
3. 사용기기 및 재료
4. 실험방법
5. 고찰 및 평가
1.목적
1) 다이오드를 사용한 반파 및 전파 정류 회로의 작용을 이해한다.
2) 반파 및 전파 정류 회로의 파형을 관찰하고, 평균 직류 전압을 구하여 본다.
2. 이론
전기, 전자 및 통신기기 등에 사용하는 전원은 일반적으로 직류 전원을 필요로 하는 경우가 많다. 그러나 소비전력이 큰.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 일반물리학 실험 - RLC회로의 임피던스
1. 실험 제목 : RLC회로의 임피던스
2. 목적
- 저항(resistor), 인덕터(inductor) 및 축전기(capacitor)로 구성된 교류회로에서 주파수에 따라 변화하는 , 를 각각 측정하고, RLC회로의 임피던스 Z를 구한다.
3. 이론
직류(DC)회로에서 전류는 같은 방향으로 흐른다. 교류(AC)회로에서 전류는 한쪽 방향으 로 잠깐 흘렀다가 방향을 바꾸어 역방향으로 같은 시간 .. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 일반물리학 실험 - 기초회로실험
1.실험제목
-기초회로실험
2.실험목적
-저항체의 양 끝에 걸리는 전압에 따라 이 저항체에 흐르는 전류의 변화를 조사하여, 일반 저항체에 대한 옴의 법칙과 이의 저항 값에 대한 색 코드를 확인하고, 반도체 다이오드의 전기(정류) 특성을 본다. 이를 통하여 물질에 따른 전기특성의 차이를 비교하여 본다.
3.관련이론
.... |
|
|
|
|
|
 |
|
| ◈ 실험 제목 : 테브난의 정리
◈ 실험 목적 :
(1) 단일 전압원의 DC회로의 등가 저항()과 등가 전압()을 구하는 방법을 익힌다.
(2) 직·병렬 회로의 분석시 와 의 값을 실험적으로 확인한다.
◈ 실험 일자 : 2014년 3월 24일 월요일
◈ 실험 관련 이론
- 테브냉의 정리 -
복잡한 회로에서 어떤 한 부분의 전류나 전압 값만 알고 싶을 경우가 있을 것이다. 그럴 때 테브냉의 정리를 이용하면 모든 회로를.. |
|
|
|
|
|
|
|
