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 STM32 FAT32(SD카드) 포팅 소스와 회로도 ( 1037Pages )
STM32의 SD카드 FAT32 포팅 소스와 회로도입니다. SPI를 통해서 SD카드의 파일을 엑세스할수 있습니다. 풀소스코드가 첨부되어 빌드에는 문제가 없으며, 구현하고자 하시는 프로젝트에 바로 적용 가능합니다. SPI/ FAT 파일시스템 참고용 소스로 사용하셔도 좋습니다. STM32 SD카드(FATFS) 포팅 소스와 회로도 자료 소개 STM32F103의 FAT 파일시스템 포팅 소스와 회로도 입니다. SD카드는 STM32F..
정보/기술 > 전기전자 |
STM32, FAT32, SD카드, SPI
 STM32 uCOS-ii / FreeRTOS 포팅 소스 ( 1931Pages )
STM32에 uCOS-ii와 FreeRTOS를 포팅한 소스입니다. 풀소스를 압축하였기 때문에 바로 구현하고자하는 프로젝트에 적용가능합니다. RTOS 어렵지 않습니다. 직접 한번 사용해 보시기 바랍니다. STM32F103 RTOS 포팅 소스 자료 소개 STM32F103의 uCOS-ii / FreeRTOS포팅 소스와 테스트 보드 회로도 입니다. RTOS 예제는4개의 TASK가 생성되며 0.5초 간격으로 LED를 깜빡이도록 되어 있습니다. 기본 포팅 소스..
정보/기술 > 전기전자 |
STM32, RTOS, uCOS-ii, FreeRTOS
 [물리화학실험] STM ( 4Pages )
1. 실험 제목 : STM 2. 실험 결과 (1) STM Image 분석 실험을 직접 하지 않았기 때문에 인터넷에서 찾은 Graphite의 STM Image를 분석하기 로 한다. 오른쪽 Image는 왼쪽 Image를 확대한 것으로 하늘색 육각형으로 표시한 부분이 아래 그림에서 나타나고 있는 Graphite의 Hexagonal Pattern을 나타내고, 마주보는 변 사이 의 길이, 정육각형 한 변의 길이, Plane 사이의 거리가 표시되어 있다. 이제 ..
리포트 > 자연과학 |
 STM을 이용한 기록매체 ( 7Pages )
STM을 이용한 기록매체 ① 필요성 미국·유럽·일본 등지에서는 과거 수십 년간 분자 수준에서의 전자소자(molecular electronics and devices) 개발 연구가 활발히 진행되어 왔다. 이것은 기존의 실리콘을 주축으로 반도체 소자들의 고집적화가 궁극적으로는 한계에 부딪히고 이를 극복하기 위해서는 분자를 직접 설계하고 변조하여 이들 분자간의 접합소자를 제조하는 것이라고 판단한 때문이었다. 과거 ..
리포트 > 사회과학 |
 [공업분석화학] Scanning Tunneling Microscopy(STM)기기 ( 6Pages )
[공업분석화학] Scanning Tunneling Microscopy(STM) 목 차 Ⅰ Introduction Ⅱ Theory (양자 터널링 현상) Ⅲ Principle Ⅳ STM의 장점 및 주의점 Ⅴ 다른 기기와의 비교분석 Ⅵ 참고문헌 Ⅰ Introduction 주사 터널링 현미경[scanning tunneling microscope(STM)]은 전자의 터널링 효과를 이용해 물질의 미세구조를 측정하는 장치이다. 물질의 미세한 구조를 관찰할 필요성을 느낀 스위스 취리히 소재의 ..
리포트 > 공학/기술 |
 한자를 통한 생명과학 개발 및 발견 사례 및 특징 조사분석 ( 5Pages )
Report ( 한자를 통한 생명과학 개발 및 발견 사례 및 특징 조사분석 ) 목 차 1. 전자현미경으로 원자 수준으로 한자를 기록하여 관찰할 수 있다. 2. 세균을 배양할 때 한자를 이용하여 배양한다 3. 한자의 생김새를 이용해서 신의약품 개발에 사용한다. 4. 고온 초전도체에 응용할 수 있다. 5. 인공장기의 구조를 만들때에 한자를 참조할 수 있다. 6. 한자를 화장품개발에 사용한다. ‘생명과학과’..
리포트 > 인문/어학 |
 리소그래피Lithography4 ( 3Pages )
리소그래피(Lithography) 개념: 집적회로를 만들 때 중요한 부분에 사진기술이 사용된다. 실리콘칩 표면에 만들고자 하는 부품의 패턴을 빛으로 촬영하고 그것이 감광된 수지 를 칩 표면에 고정한 후 화학처리나 확산처리를 하는데 이를 총칭하여 리소그래피(lithography)라 한다. 이 기술의 핵심은 짧은 파장의 빛을 사용하여 정밀도를 높이는 것으로 처음에는 가시광선 자외선을 사용했으나 최근에는 전..
리포트 > 공학/기술 |
 재료 현대 물리 - 터널링 디바이스 및 자연현상에서의의 터널링 ( 3Pages )
재료 현대 물리 - 터널링 디바이스 및 자연현상에서의의 터널링 -터널링 관련 디바이스 주사터널링현미경 [scanning tunneling microscope(STM)] 전도성을 가진 시료의 표면을 아주 첨예한 터널링 탐침으로 스캐닝하여 시료표면의 형태를 관찰하는 디바이스이다. 뾰족한 탐침을 시료 표면에 접근시키고 양단간에 적당한 전압을 걸어주면 비록 두 개의 도체가 떨어져 있다 하더라도 그 간격이 아주 작을 ..
리포트 > 공학/기술 |
 [기억발달] 기억의 발달 - 기억의 구조(감각기억, 단기기억, 장기기억), 기억의 과정(단계), 기억발달이론 ( 6Pages )
[기억발달] 기억의 발달 - 기억의 구조(감각기억, 단기기억, 장기기억), 기억의 과정(단계), 기억발달이론 목차 기억발달 I. 기억의 구조 1. 감각기억(STSS) 2. 단기기억(STM) 3. 장기기억(LTM) II. 기억의 과정 1. 기명 2. 파지 3. 회상 III. 기억의 발달 1. 기억의 선천적 기능 2. 환경과의 상호작용 기억발달 기억은 주의와 함께 지적 활동의 중요한 틀이 된다. 기억은 생후 3개월 결에..
리포트 > 경영/경제 |
개념, 정의, 특징, 특성, 문제점
 작업기억 ( 18Pages )
작업기억 ☆목차 작업기억 1)단기기억 청크/쇠잔 간섭/인출/부호화 2)작업기억의 모형 조음루프/시공간 스케치판/중앙집 행기 /작업기억의 폭/신경학적 증거 *메멘토-단기기억상실증 *레인맨-자폐증, 비상한 기억력 중다기억 저장소 모형 작업기억(working memory) 정의: 의식적인 정신적 노력이 필요한 정신적 작업공간. 장기기억과의 조합도 이루어 짐. (대화) 작업기억 ] 일차기억,즉시기억,단..
리포트 > 생활/환경 |
 레드불_마케팅전략 ( 16Pages )
Marketing Plan for RED BULL 목 차 I. Terms of reference 1 II. Procedure 1-2 III. Findings(Marketing Plan) 3 III.1 Situation Analysis 1. Analysis of the External Environment 3-7 2. Analysis of the Internal Environment 8 3. Analysis of the Customer Environment 8-9 III.2 SWOT Analysis 9 1. Strengths 9 2. Weaknesses 9 3. Opportunities 9 4. Threats 9 III.3 STM Strategy 10-..
리포트 > 경영/경제 |
 나노기술의어제오늘그리고내일 ( 23Pages )
나노 기술의 어제, 오늘, 그리고 내일 Contents 1. 나노기술.. 난쟁이를 뜻하는 그리스어 나노스(nanos)에서 유래된 단어로 10억 분의 1의 크기를 의미. 즉, 나노 기술(Nano-Technology)란 이러한 아주 작은 크기의 정밀도를 요구하는 극미세 가공 과학기술을 말한다. ◈ 나노(Nano) 란 1. 나노기술.. ◈ 나노기술의 목적 효과 * 목적 재료 분야들을 횡적으로 연결 학문과 인적자원 사이의 시너지 효과 유도 ..
리포트 > 의/약학 |
 작업기억 단기기억 u_ 단기기억 쇠잔 단기기억 간섭 단기기억 인출 단기기억 부호화 단기기억 작업기억 모형 조음루프 작업기억 중앙집행기 작업기억 시공간 스케치판 ( 18Pages )
작업기억 ☆목차 작업기억 1)단기기억 청크/쇠잔 간섭/인출/부호화 2)작업기억의 모형 조음루프/시공간 스케치판/중앙집 행기 /작업기억의 폭/신경학적 증거 *메멘토-단기기억상실증 *레인맨-자폐증, 비상한 기억력 중다기억 저장소 모형 작업기억(working memory) 정의: 의식적인 정신적 노력이 필요한 정신적 작업공간. 장기기억과의 조합도 이루어 짐. (대화) 작업기억 ] 일차기억,즉시기억,단..
리포트 > 인문/어학 |
 물리학실험 - 양자 꿰뚫기 ( 10Pages )
제목: 양자 꿰뚫기 과 목 학 과 학 번 이 름 제 출 일 담당조교 1. 도입 물체의 전자구조는 양자적인 특성이다. 전자구조에 따라 물체는 금속(도체), 반도체, 부도체로 나뉜다. 부도체 막을 사이에 둔 두 금속 사이의 전기전도 특성도 부도체 막의 두께가 매우 얇거나 가해 준 전위차가 크면 전기를 통한다. 이는 양자역학적인 꿰뚫기(터널링) 현상의 한 예이다. 이 양자역학적 꿰뚫기는 주사 터..
리포트 > 공학/기술 |
 LG CNS 지식경영 ( 4Pages )
- LG CNS 지식경영- Ⅰ.회사소개 1.연혁 LG CNS는 1987년에 탄생하였고 연혁을 크게 3가지로 분류하면 ‘탄생과도전시기’, ‘성장 기’, ‘도약기’로 나눌 수 있다. ‘탄생과도전시기’는 1987년부터 1994까지의 시기로써 STM(System Technology Management)의 사명으로 탄생하였고, LG자매사의 전산시스템을 주력으로 시장진출을 위한 기술력을 내재화 하였다. ‘성장기’는 1995년부터 2001까지였고, 사명이 LG-E..
리포트 > 경영/경제 |
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