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 실험보고서 - Thevenin 등가회로 설계 ( 5Pages )
Thevenin 등가회로 설계 1. 실험요약 Thevenin의 정리는 전원을 포함한 선형소자들이 직병렬로 복잡하게 연결된 회로망이 있고, 이 회로망의 출력단자에 부하를 연결했을 때 부하에 걸리는 전압과 전류를 이론적으로 또는 실험적으로 쉽게 구할 때 매우 유용하게 적용된다. Thevenin 등가회로회로해석 시 가장 많이 사용되는 이론으로 이번 실험으로 Thevenin등가회로의 원리를 익히고 실제회로에서의 ..
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 회로이론 실험 - 회로 중첩의 원리 ( 4Pages )
회로이론 실험 - 회로 중첩의 원리 관련 이론 계산 공식 1. 옴의 법칙 : R= V / I ( V=IR , I=V/R) 2. 전압분배기 공식 : V_X=R_X/R_T X V_S 3. 직렬에서의 합성 저항 :〖 R〗_1+R_2+R_3···R_n 4. 병렬에서의 지로가 두 개 일시 합성 저항 : (R_1 〖X R〗_2)/( R_1+R_2 ) 5. 병렬에서의 지로가 두 개 일시 I_1의 전류 : I_2/( I_1+I_2 ) X〖 I〗_T 관련 이론 ( 옴의 법칙 ) 1. 저항은 전압에 비례하며, 전..
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 [a++] 기초회로실험의 모든 레포트 자료 ( 306Pages )
목 차 실험 1 직류-전력 공급기와 멀티미터 작동법 (전압, 전류, 그리고 저항 측정법) 1 실험 2 키르히호프의 전류 법칙과 전압 법칙 그리고 옴의 법칙 10 실험 3 저항기들의 직렬, 병렬, 그리고 직-병렬 접속 15 실험 4 전압-분배 및 전류-분배의 공식 20 실험 5 브리지 회로 24 실험 6 중첩의 원리 27 실험 7 테브난 등가 회로 32 실험 8 노튼 등가 회로 37 실험 9 망로 방정식과 마디 방정식 41 실험 1..
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 전자공학 실험 - BJT의 특성과 바이어스회로 ( 11Pages )
BJT의 특성과 바이어스회로 1. 실험 목적 - 바이폴라 접합 트랜지스터의 직류 특성을 직류 등가 회로와 소신호 등가회로의 모델 파라미터들을 구한다. 그리고 바이어스 원리와 안정화를 학습하고, 전압 분할기 바이어스 회로에서 동작점의 변화에 대한 출력 파형의 변화를 실험으로 관측한다. 2. 실험 해설 - 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT:bipolar junction transistor)는 개별회로나 집접회로의 설계에..
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 [전자회로실험] 다이오드의 반파, 전파 및 브리지 정류 ( 8Pages )
다이오드의 반파, 전파 및 브리지 정류 □ 실험목적 (1) 반파 정류 회로의 출력 파형을 관찰하고 측정한다. (2) 전파 정류 회로의 출력 파형을 관찰하고 측정한다. (3) 브리지 정류 회로의 출력 파형을 관찰하고 측정한다. □ 기본이론 다이오드는 다이오드 양단에 순방향 바이어스에서는 도통되고 역방향 바이어스에서는 회로를 차단하는 성질을 가지고 있다. 다시 말해, 한쪽방향으로만 전류를 흘려주..
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 라플라스 회로 해석 ( 22Pages )
LAPLACE변환에 의한 회로의 해 구하기 미분방정식에 의한 모델과 LAPLACE 변환을 활용한 분석비교 “라플라스 변환 초기조건이 자동으로 포함 보조해나 특별해가 요구되지 않음 특 수 해 초기조건이 주어짐 라플라스 역변환 회로의 요소 구성 접근방식 1. 미분방정식의 모델구축 2. 라플라스 변환 효율적인 접근방식: 1.주파수 영역의 설정 2. 라플라스 등가회로의 구성 3. 라플라스 등가회로를 분석 Ca..
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 기초회로실험 - RLC 회로의 과도응답 및 정상상태 응답 ( 15Pages )
RLC 회로의 과도응답 및 정상상태 응답 1. 실험 목적 - RLC회로를 해석하여 2계 회로의 과도 응답라 정상상태응답을 도출하고 이를 확인한다. 2.실험 준비물 - 오실로스코프 1대 - 함수 발생기(Function Generator)(정현파 발생) 1대 - 저항 1[㏀] 1개 - 인덕터 10[mH] 1개 - 커패시터 0.01[uF] 1개 3. 기초이론 1) 2계회로 커패시터가 2개 들어 있거나, 인덕터가 2개 들어 있거나, 또는 커패시터..
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 기초회로실험 - 직렬 및 병렬 공진 회로와 필터 ( 13Pages )
직렬 및 병렬 공진 회로와 필터 1. 실험 목적 RLC 직렬회로 및 병렬회로의 주파수응답을 해석하여 직렬 및 병렬 공진현상을 이해한다. RLC 공진회로를 이용하여 대역 통과 필터와 대역 저지 필터로 사용될 수 있음을 확인한다. 2. 실험 준비물 오실로스코프 1대, 함수발생기(정현파 발생) 1대, 멀티미터(교류 저항 측정) 1대, 저항 1[㏀] 1개, 커패시터 0.01[㎌] 1개, 인덕터 10[mH] 3. 기초이론 (1)..
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 일반물리 - 정류 회로 ( 5Pages )
결과 보고서 제목: 정류회로 [1] 측정값 가. 반파 정류회로 파형 발생기 주파수 = 60 Hz Time/Div = 5 ms/div Volt/Div = 1 volt/div [sine 파] 나. 전파 정류회로 다. 필터 회로 [ 60 Hz] [ 200 Hz] [2] 계산 및 결과 1)다이오드의 특징 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류를 잘 통과시키지만 반대 방향으로는 거의 전류를 통과시키지 않는다. 이것은 순방향 저항은 낮은 반면에 역방향 저항은 ..
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 미적분회로(differentiatorintegrator) ( 9Pages )
계측 및 신호처리 -미/적분회로(differentiator/integrator)- 1. 실험제목 미/적분회로(differentiator/integrator) 2. 실험목적 구성해 보고 구성한 회로의 입력신호가 되어 출력되는 모습을 확인한다. 3. 실험이론 (1) 미분기(differentiator) -입력신호의 시간적 변화율(시간미분)에 비례하는 출력을 내는 회로. -왼쪽 회로는 제한된 고주파 이득을 가지는 미분기이다. (높은 주파수에서 이득..
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 물리학 실험 - RLC 공진회로와 대역필터 ( 3Pages )
1. 실험 제목 : RLC 공진회로와 대역필터 2. 실험 목적 - 본 실험을 통해 ■ RLC 공진회로에 대한 기본 개념과 이론을 파악한다. ■ Q factor, Cut-off 주파수 등 공진회로의 특성을 알아본다. ■ RLC 회로의 공진 주파수 특성을 실험을 통하여 이해한다. ■ 주파수 변화에 따른 RLC 회로의 임피던스를 알아본다. 3. 실험 준비물 -오실로스코프 -함수발생기 -디지털 멀티미터(DMM) -저항 -인턱터 -커패시터 ..
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 RLC 공진회로 ( 3Pages )
RLC 공진회로 1. 실험 목적 주파수 변화에 따른 RLC 병렬회로의 전류와 임피던스의 변화를 실험을 통하여 확인하고, RLC 병렬회로의 공진주파수를 찾는다. 2. 이론 A. 공진 주파수 L과 C가 병렬로 연결된 그림 1의 회로를 생각 하자. 여기서, 인 조건을 만족시키는 주파수를 병렬공진이 일어나는 공진 주파수로 정의하고, 이때의 는 로 주어진다. 여기서, , 이다. B. 전류 식 , 에 의하면 주파수 ..
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 일반물리실험 - RC회로 충방전 과정 결과 ( 5Pages )
일반물리실험 - RC회로 충방전 과정 결과 1. 실험목적: 저항과 축전기(콘덴서)로 이루어진 RC 회로의 충방전 과정을 이해한다. 2.실험이론: 1.시정수 시정수란 어떤 회로가 외부로부터의 입력에 얼마나 빠르게 반응할 수 있는지를 나타내는 지표이다. 저항(R)과 콘덴서(C)가 직렬로 연결된 회로가 있을 때, 시간 0 에서 일정 전압을 주면 콘텐서의 전압은 지수함수적으로 상승하고, 어느 정도의 시간이 ..
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 전자부품회로설계의 기초 ( 92Pages )
본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 디지털 회로 실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 전자부품회로설계의 기초에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임. 1. 개요 1.1 전압, 전류, 저항 1.2 직류와 교류 1.3 주파수와 주기 1-4. 회로의 기본법칙 2. 전자 부품의 종류 및 사용방법 2.1 저항 2.2 콘덴서 2.3 다이오드 2.4 트랜지스터 2.5 OP AMP (반전 증..
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전자부품회로설계의 기초, 디지털회로실습, 전자부품종류 및 사용방법, 전자부품회로도의 해석
 [전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 결과 ( 5Pages )
실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 1.Orcad 결과 1) ID - VGS 특성 -회로- -파형- 2) ID - VDS 특성 -회로- -파형- 3) 마디전압 -회로- -파형- 4)드레인 전류 -회로- -파형- 2.실험 결과 값 n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 특성 측정 VGS(V) 10 VDS(V) 1234579 11 ID(mA) 0 0.142 0.424 3.760 6.832 14.654 23.582 33.101 n-채널 MOSFET 의 ID - VDS 특성 측정 VGS(V) 2 VDS(V) 1234579 11..
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