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| 실리콘 웨이퍼의 개요
오늘날 반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)는 다결정의 실리콘(Si)을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말합니다.
실리콘은 일반적으로 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재하며 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부 하게 존재하고 있으며 따라서 반도체산업에 매우 안.. |
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| Silicon Wafer, Silicon, Wafer, 실리콘, 웨이퍼, 웨이버, 실리콘웨이버, 실리콘웨이퍼, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 분기별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장
1995년 1분기부터 2002년 3분기까지 분기별 실리콘웨이퍼의 생산, 출하(내수, 수출) 재고 현황 및 전년대비 증감율 표와 그래프 표기 |
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Silicon Wafer, Silicon, Wafer, 실리콘, 웨이퍼, 웨이버, 실리콘웨이버, 실리콘웨이퍼, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 분기별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장 |
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| Silicon Wafer, Silicon, Wafer, 실리콘, 웨이퍼, 웨이버, 실리콘웨이버, 실리콘웨이퍼, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 월별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장동
1995년 1월부터 2002년 10월까지 월별 실리콘웨이퍼의 생산, 출하(내수, 수출) 재고 현황 및 전년대비 증감율 표와 그래프 표기 |
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Silicon Wafer, Silicon, Wafer, 실리콘, 웨이퍼, 웨이버, 실리콘웨이버, 실리콘웨이퍼, 1995년, 1996년, 1997년, 1998년, 1999년, 2000년, 2001년, 2002년, 월별, 생산, 출하, 내수, 수출, 생산량, 출하량, 내수량, 수출량, 재고, 재고량, 전년대비증감율, 증감율, 시장동 |
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| 본 컨텐츠는 시장조사, 수요예측 전문업체인 ㈜밸류애드에서 실리콘웨이퍼에 대한 시장동향 정보입니다.
작성일자를 반드시 확인하시고, 최근에 작성된 정보를 구매하시기 바랍니다.
본 컨텐츠에서는 세세분류 : 실리콘웨이퍼에 대한 간략 개요, 산업동향(2000년부터 2006년4분기까지) 등이 기술되어 있습니다.
통계 중심으로 작성되어 있으며, <밸류애드 산업동향(2005년도) [견본]>이 무료로 제.. |
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| 국내 실리콘웨이퍼 시장통계(2008년까지) 자료 입니다.(사업체수, 생산액, 출하액 포함)
* 시장통계 목차 *
1. 산업 동향
가. 조사범위
나. 제조업 동향(2008년만)
다. 상위 산업통계(2006년부터 2008년까지)
2. 시장 동향
가. 연간 시장통계(2008년까지)
- 사업체수, 생산액(백만원), 출하액(백만원)
나. 지역별 현황 분석
본 제공 자료는 국내 2008년까지 실리콘웨이퍼의 시장통계 자료입.. |
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| 목 차
Ⅰ. 폴리실리콘 현물시장 가격 ………3
Ⅱ. 주요 폴리실리콘 생산업체 ………4
Ⅲ. 폴리실리콘 국제가격 상승 ………5
Ⅳ. 태양전지 수요 증가 ………5
Ⅴ. 국내외 업체간 경쟁 치열 ………6
Ⅵ. 삼성 그룹 내부 경쟁 ………7
Ⅶ. 중복 투자에 대한 교통정리 ………7
Ⅷ. 삼성정밀화학의 높은 생산기술 …………8
Ⅸ. 삼성정밀화학의 최대 강점 ………8
Ⅹ. 향후 전망 ………9
Ⅺ. 시사점 ………9
Ⅰ. 폴 |
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| 목 차
Ⅰ. 폴리실리콘 현물시장 가격 ………3
Ⅱ. 주요 폴리실리콘 생산업체 ………4
Ⅲ. 폴리실리콘 국제가격 상승 ………5
Ⅳ. 태양전지 수요 증가 ………5
Ⅴ. 국내외 업체간 경쟁 치열 ………6
Ⅵ. 삼성 그룹 내부 경쟁 ………7
Ⅶ. 중복 투자에 대한 교통정리 ………7
Ⅷ. 삼성정밀화학의 높은 생산기술 …………8
Ⅸ. 삼성정밀화학의 최대 강점 ………8
Ⅹ. 향후 전망 ………9
Ⅺ. 시사점 ………9
Ⅰ. 폴 |
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| 산화공정
1. 실험목적
실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼 표면에 산화층을 열적으로 성장시키는 능력이다. 실리콘 기판 속으로 불순물을 확산시켜서 산화층을 열적으로 성장시키고 식각시키고 패턴화되는 산화막 마스킹 공정이 1950년부터 두드러지게 개발되었다. 이 개발은 트랜지스터를 대량으로 제작하기 위한 공정 개발에 있어서 기본적인 요소이다. 이러한 방법으로 산화공정은 실리콘 평면 기.. |
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| 반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계
목 차
1. 단결정 성장
2. 규소봉 절단
3. Wafer 표면 연마
4. 회로 설계
5. Mask 제작
6. 산화공정
7. 감광액 도포
8. 노광공정
9. 현상공정
10. 식각공정
11. 이온주입공정
12. 화학기상 증착
13. 금속배선
14. Wafer 자동선별
15. Wafer 절단
16. 칩 집착
17. 금속연결
18. 성 형
1. 단결정 성장
특수 공정을 이용해 웨이퍼 위에 전자회로를 새긴 후, 웨이퍼 위 .. |
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| 전기전자 - 반도체 소자의 제작공정 MEMS
목 차
#반도체 소자의 제작공정
#MEMS (micro electro mechanical systems)
반도체 소자의 제작공정
1단계 단결정 성장
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정규소봉(INGOT)을 성장시킴
2단계 규소봉절단
성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다. 웨이퍼의 크그는 규소봉의 구경에 따라
3 ,4 ,6 ,8 로 만들어.. |
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| 재료공학실험 결과보고서
- Silicon nanowire의 합성 -
1. Silicon nanowire를 합성하는 여러 방법에 대한 조사.
1) vapor-liquid-solid (VLS) growth
- 이 방식은 현재까지 nanowire를 만드는데 가장 잘 알려진 방법이다. 가장 먼저 촉매로서 금의 나노 입자가 실리콘 웨이퍼 위에 도포되고, 이 웨이퍼는 진공 체임버 안에서 금과 시리콘의 공융점이상의 온도로 가열된다.(이상 annealing) 가열 후 실.. |
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| 결정질 실리콘 태양전지 제조공정
1. 전지의 일반 제조 공정
입사광선의 표면 반사율을 줄이고 빛의 수광 효율을 향상시킬 수 있도록 웨이퍼 표면을 처리하는 공정이 표면 구조화(surface texturing) 공정이다. 이 공정이 끝나고 난 후 POCl3나 인산을 이용하여 p형으로 도핑되어 있는 실리콘 웨이퍼에 n형 layer를 형성 시켜서 pn접합을 만든다. 도핑 후에 표면의 패시베이션 및 반사도 감소를 위해서 반.. |
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| Fabrication process of CMOS
(CMOS 제작공정)
■ CMOS
p 채널의 MOS 트랜지스터와 n 채널의 그것을 서로 절연하여 동일 칩에 만들어 넣어 양자가 상보적으로 동작하도록 한 것으로, 소비 전력은 W 정도이고 동작은 고속, 잡음 배제성이 좋다. 전원 전압의 넓은 범위에서 동작하고, TTL에 적합하며 동일 회로 내에서 공존 가능하다. 팬아웃 용량도 크다.
소비 전력이 매우 적다는 이점을 가지며 휴대용 계산.. |
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| 제목 : 산화 공정 (Oxidation)
목적 : 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다. 실리콘 산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체소자에 서 매우 우수한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질 의 SiO₂박막을 성장시키는 산.. |
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| 전기전자공학계론
목차
연산 증폭기
연산증폭기는 단일 실리콘 웨이퍼에 많은 개별적인 전자회로를 집적시켜 놓은 집적회로이다. 연산 증폭기는, 이상적인 증폭기와 이상적인 회로소자의 특성에 기초한 가산, 필터링, 적분 등 많은 작업을 수행할 수 있다.
기본 연산회로 두가지
1.비반전 연산증폭기
2.반전 연산증폭기
(1) 연산 증폭기의 구성
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