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| 전기전자회로실험
제안서
Contents
1. transistor
2. Brain Storming
3. Circuit Diagram, Description
4. Motivation
5. Function Summary
6. Problem Solution
7. Weekly Plans
8. Individual Role
1. transistor
트랜지스터의 역사
1.1948년 미국의 벨 전화연구소에서 탄생
1948년에 트랜지스터가 발명되었으며 당시 전자 공업계에 상당한 충격을 주었습니다. 그로부터 전자 산업은 빠르.. |
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| 디스플레이공학
제목 : 그래핀 소재에 관한 연구
- 목 차 -
Ⅰ. 기술의 개요
1. 기술의 중요성(필요성)
2. 국내․외 관련기술의 현황
3. 기술의 예상 파급효과
4. 기술의 예상 활용방안
Ⅱ. 시장 및 기업의 현항
1. 시장규모
2. 국내외 관련 기업의 현황
Ⅲ. 기술의 내용
1. 기본(현재) 기술
2. 기술 개발의 방향 및 내용
IV. 결론
1.
2.
* 참고자료
Ⅰ. 기술의 개요
1. 사업의 중요성(필요.. |
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| 실험: Annealing(Silcidation)
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Metal deposition 을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 변화 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정하여 온도에 따라 어떻게 변화.. |
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| 기초전자회로실험 - 다이오드의 특성
내 용
내 용
내 용
내 용
내 용
내 용
내 용
1. 목적
- 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고 , 비교하고, 그리고 측정한다.
2. 실험장비
1) 계측기
-DMM
2) 부품
-저항
(1) 1㏀
(2) 1㏁
-다이오드
(1) Si
(2) Ge
-전원
직류전원
-기판
브레드보드
3. 이론
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| INNO DESIGN의 성공사례
목 차
- 글로벌시대의 현황
- INNO DESIGN 소개
- CEO 김영세
산업디자인 시장분석
- INNO DESIGN 분석
- INNO DESIGN 성공요인
글로벌시대의 현황
전세계 가치의 흐름
세계 기업의 디자인 중시경향
감성마케팅
INNO DESIGN 소개
1986년 미국 실리콘벨리에서 설립
1999년 서울지사 설립
2004년 베이징 지사 설립
종업원수 40명
Inno man
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| 전기전자공학계론
목차
연산 증폭기
연산증폭기는 단일 실리콘 웨이퍼에 많은 개별적인 전자회로를 집적시켜 놓은 집적회로이다. 연산 증폭기는, 이상적인 증폭기와 이상적인 회로소자의 특성에 기초한 가산, 필터링, 적분 등 많은 작업을 수행할 수 있다.
기본 연산회로 두가지
1.비반전 연산증폭기
2.반전 연산증폭기
(1) 연산 증폭기의 구성
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| 신소재 공학 - 태양전지의 원리 및 이용
[ 목 차 ]
태양광 이용 기술
태양 전지의 역사
태양 전지의 장점
태양 전지의 단점
태양 전지의 이해
태양 전지의 원리
태양 전지의 종류
태양 전지의 핵심 기술
태양 전지의 이용 분야
전세계 및 우리나라 동향/현황
태양광 이용 기술
• 태양광 발전은 태양광을 직접 전기에너지로 변환시키는 기술
• 햇빛을 받으면 광전효과에 의해 전기를 발생하는 태.. |
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| 태양전지 - 태양 전지의 직렬, 병렬 특성, 태양 전지 종류, 태양광 발전시스템의 분류
목 차
○ 태양 전지의 직렬/병렬 특성
○ 태양 전지 종류
○ 태양광 발전시스템의 분류
○ 태양 전지의 직렬/병렬 특성
●직렬연결
직렬 연결은 전기회로에서 두개 이상의 전기 기구나 저항의 단자를 순서대로 하나씩
연결하는 방법입니다. 전압을 올려주기 위하여 많이 사용합니다. 태양전지 여러개를 직렬 연결하면 전.. |
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| 전기전자 - 반도체 소자의 제작공정 MEMS
목 차
#반도체 소자의 제작공정
#MEMS (micro electro mechanical systems)
반도체 소자의 제작공정
1단계 단결정 성장
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정규소봉(INGOT)을 성장시킴
2단계 규소봉절단
성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다. 웨이퍼의 크그는 규소봉의 구경에 따라
3 ,4 ,6 ,8 로 만들어.. |
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| 1. 실험 목적
(1) 반도체 다이오드(diode)의 순방향 및 역방향의 전압 전류 특성을 이해한다.
(2) 실리콘과 게르마늄 다이오드의 문턱 전압을 측정한다.
2. 이론
(1) 다이오드
반도체 다이오드는 셀레늄(selenium : Se)을 주체로 한 것과 실리콘(silicon : Si), 게르마늄(germanium : Ge)을 주체로 한 것이 있으나 정류용으로는 Si이 주로 쓰인다.
[그림 19-1] 다이오드의 기본 구조
다이오드는 그림.. |
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| 1 기업소개
2 산업분석
3 경쟁전략분석
4 재무분석
5 Forecast
6 Valuation
Contents
해외계열사
국내계열사
기업소개 계열사소개
1980s
1960s
1970s
1990s
기업소개 연혁
1959년 동양화학 출범
소다회 사업 시작
설비 및 사업 확장
(농약, 인산칼슘, 과산화수소)
1
현재성장동력
2000s
-소디프 신소재 인수
-2009년 OCI 탄생
-단열재 사업 진출
폴리실리콘
상업 생산 성공
옥시 설립, 삼광유리공업 인수,
T.. |
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| ◇LED package란
내부에 LED 칩을 실장하고 있으며, PCB에 부착이 가능하도록 제조된 LED 소자
◇LED package의 기본 구조
LED 패키지는 크게 칩, 접착제, 봉지재, 형광체 및 방열부속품 등으로 구성되어 있다.
- 칩
빛이 발생하는 부분. p-n 접합 구조를 가지고 있어 전류의 흐름에 따라 여분의 전자와 정공이 발광성 재결합에 의해 빛이 발생한다.
- 접착제
LED패키지에서 각 물질들 간의 접착에 주로 사용.. |
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| 1.실험제목: 스트레인게이지[Strain Gauge]
2. 목적
스트레인게이지의 원리와 이용방법을 이해하고 스트레인게이지를 이용하여 변형률(strain)과 응력(stress)을 측정한다.
3. 이론
1. 스트레인 게이지
물체가 외력으로 변형될 때 등에 변형을 측정하는 측정기를 말하며, 물체에 부착시켜 측정한다. 합금선은 인장방향의 변형을 받으면 길이가 증가하여 단면적이 감소되어 전기저항이 증가하며, 그 증가.. |
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| 세계의 지역혁신 현황
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실리콘벨리와 루트128
2
영국 캠브리리 테크노 폴
3
영국 쉐필드
4
프랑스 소피아 앙띠폴리스
5
프랑스 테크노 폴 메쯔 2000
6
이탈리아 혁신의 심장부 밀라노
7
독일 바덴뷔르템베르크
8
스웨덴 시스타
9
일본 도쿄도 오오타구
10
대만 신주과학산업단지
11
중국 중관춘
1
실리콘벨리와 루트128
○두 지역은 스탠포드, MIT 등 연구중심대학을 축으로 미국.. |
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| 반도체 및 MEMS 기술
Ⅰ.반도체
1.반도체의 정의
반도체는 전기가 통하는 도체와 전기가 통하지 않는 부도체의 중간 물질로, 제작자의 의도에 의해 도체도 될 수 있고 부도체도 될 수 있는 성질을 가진 것이 있는데 이것을 반도체라고 부른다.전기를 통해 주거나 빛을 비춰 주거나 다른 물질을 섞어 주는 등 어떤 특정한 조건에서 전기가 통하는 물질을 말한다.
2. 반도체의 구성
반도체 물질에서 전기를 .. |
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