|
|
 |
|
| 1. 마이크로프로세서의 발전 과정과 컴퓨터 산업에 기여한 점 그리고 최신 동향을 A4용지 2페이지 이내로 자세히 서술하라.(15점)
20세기 과학기술이 이룩한 수많은 업적 중에서, 우리와 가장 친근하면서 우리 일상생활을 가장 많이 바꾸어 놓은 발명품은 트랜지스터 (transistor), 즉 반도체 소자 (semiconductor device)이다. 반도체 트랜지스터의 발명은 IC(집적회로, integrated circuit) 및 광전소자 .. |
|
|
|
|
|
 |
|
| ◆ 국내 반도체산업 현황
◆ 지역별 반도체 수출 실적
◆ 반도체소자 수급동향
◆ 세계 각 기관별 반도체 시장전망
◆ 반도체산업 국제경쟁력
세부내용은 첨부파일을 참조하시기 바랍니다.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 1. 설계 목적
블록 공중합체는 두가지 이상의 고분자가 공유결합으로 서로 연결되어 있는 구조로diblock, triblock copolymer 등으로 분류 될 수 있다. 이러한 블록 공중합체는 두가지 이상의 서로 다른 성질의 고분자가 공유결합에 의해 연결되어 있기 때문에 주변 환경에 따라서 상분리를 하게 되는데, 이때 형성되는 도메인의 크기 및 모양은 각각의 고분자 segment 들의 길이와 상대적인 양에 따라서 .. |
|
|
|
|
|
 |
|
| Ⅰ.LED
1. LED의 발광 원리
LED란 Light Emitting Diode의 머리글자를 따서 만든 말이다. LED의 발광원리는 매우 전문적인 지식이 필요하기 때문에, 전문지식이 없이도 이해를 할수있도록 풀어서 설명하자면, LED안쪽에 위치한 발광소자에 전기에너지가 가해지면 발광소자가 전기에너지를 빛으로 변환해 출력하는 것이다. 모든 물질은 원자로 이루어져 있으며 원자 내부에는 핵이 있다. 그 주위를 돌고있.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| DIODE 온도 변화에 따른 특성
1. 실험 목표
소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 측정한다.
DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다.
2. 실험 결과
2.1. Si DIODE
Si DIODE의 온도 변화에 따른 I-V 특성과 각 온도에 따른 n, IS, RS값을 구해보고 Spice 시뮬을 통해 결과값과 비교해보자.
2.1.1. Linear Forward.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 디지털공학 설계과제
7-Segment Indicator
7-세그먼트 표시기라고 하는 소자는 0에서 9까지의 숫자를 표시하기 위해 만들어진 소자이다. 막대모양의 LED(Light Emitted Diode) 7개를 8자 모양으로 배열시키고 각 LED에 불을 켜거나 끔으로서 10진 숫자를 표시하도록 되어 있다. 여기서 막대 모양의 LED 하나를 세그먼트(segment)라고 하며, LED가 7개 사용됨으로 7세그먼트 표시기라고 이름이 붙여졌다.
.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| [선경이엔씨합격자기소개서 ]
[선경이엔씨-최신공채합격자기소개서]선경이엔씨자기소개서,선경ENC합격자기소개서,선경이엔씨자소서,선경E C합격자소서,선경자기소개서,선경건축사사무소자소서,입사지원서
목 차
[ 성장과정 ]
[ 성격소개 ]
[ 학창시절 및 경력사항 ]
[ 지원동기 및 포부를 기술하시오 ]
[ 선경이엔씨 조직활동 ]
[ 선경이엔씨 인재상 ]
[ 지원분야 예상 면접 기출문제 ]
[ 성장과.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 디지털공학 설계과제
7-Segment Indicator
1. 분석
7-세그먼트 표시기라고 하는 소자는 0에서 9까지의 숫자를 표시하기 위해 만들어진 소자이다. 막대모양의 LED(Light Emitted Diode) 7개를 8자 모양으로 배열시키고 각 LED에 불을 켜거나 끔으로서 10진 숫자를 표시하도록 되어 있다. 여기서 막대 모양의 LED 하나를 세그먼트(segment)라고 하며, LED가 7개 사용됨으로 7세그먼트 표시기라고 이름이 붙.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 통신공학 실험 - 시분할 다중화방식(TDM)
1. 실험구성원
2. 실험일시
3. 실험 목적
(1) 시간분할 다중화와 DEMUX의 동작을 이해한다.
4.실험 기자재 및 부품
저 항
(1)470Ω, (7)1KΩ,
(2)100kΩ, (7)10KΩ
커패시터
(2)0.01uF, (1)0.1uF
가변저항기
(1)100KΩ, (3)10㏀
능동소자
CD4017
decade counters (2)
능동소자
LM 555 타이머
능동소자
LM741 OP AMP
능동소자
LM 2907 FVC
능동소자
IN 400.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| [반도체] 포토리소그래피에 관한 조사[포토리소그래피의 원리, 작업공정, 사용 범위 등에 대해]
목 차
1. 서론
2. 본론
1) Photoresist coat(PR코팅)
2) Soft Bake
3) Photo exposure
4)Develop
5)Hard bake
3.결론
1. 서론
시대는 변화하고 그 시대에 변화에 따라 과학기술 또한 매우 발전하였다. 예전에는 상상으로만 해왔던 모든 일들이 지금 현실로 이루어져 있고, 앞으로는 어떠한 기술이 나.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| [서론]
1) 실험 목적
실험을 통하여 저항소자의 저항을 측정하고 저항에 따른 전압과 전류의 변화를 살펴보며
옴의 법칙을 이해해 보자.
2) 이론 -옴의 법칙(Ohm s Law)
폐회로에 연결된 저항에 흐르는 전류는 그 저항 양단에 걸리는 전압에 비례하고, 저항 값에 반비례 한다.
이러한 특성을 옴의 법칙이라고 하며, 전기 이론 중 가장 기본이 되는 공식이다. 전압, 전류, 저항을 각각 V[V], I[A], R[Ω.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 1. 실험 목적
(1) 반도체 다이오드(diode)의 순방향 및 역방향의 전압 전류 특성을 이해한다.
(2) 실리콘과 게르마늄 다이오드의 문턱 전압을 측정한다.
2. 이론
(1) 다이오드
반도체 다이오드는 셀레늄(selenium : Se)을 주체로 한 것과 실리콘(silicon : Si), 게르마늄(germanium : Ge)을 주체로 한 것이 있으나 정류용으로는 Si이 주로 쓰인다.
[그림 19-1] 다이오드의 기본 구조
다이오드는 그림.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 슈뢰딩거 방정식
시간 t와 위치 x에서 자유롭게 운동하고 있는 전자를 발견할 확률을 기술하는 파동함수를 만들었다. 파동함수와 물리와의 연관성은 de Broglie 관계식 와 Planck 관계식
에 의하여 주어진다. 그러면 파동묶음은
- 1식
와 같이 다시 쓸 수 있다. 이제 자유입자에 대해서 으로 선택하자. 군속도는
로 주어지며 이 결과는 에너지와의 관계가 옳다는 것을 확인시켜 준다. 여기서
는 식에서 A.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| PT ( 40분간 공부시간 주고 20분동안 PT하는데 5분정도 설명하고 15분은 질의응답 )
☻ TFT소자 공정과정이랑 제한조건 주어지고 과제를 해결.
공정과정
1. 유리기판에 반도체막 증착
2. TFT구조 만듬
3. 그 위에 일정한 두께로 SIO2절연막 증착
4. A라는 검사기구로 두께 측정
=] 완성된 TFT소자에서 불량이 확인됨 절연에 관해서...
조건
1. 각 관계별 관리자들은 다 다르고 각 단계의 일을 서로 모른.. |
|
|
|
|
|
 |
|
| 오픈 콜렉터와 오픈 드레인 회로
디지털 소자를 사용하다 보면 간혹 TTL에서 개방 콜렉터(open collector)나 CMOS에서
개방드레인(open drain)형이라는 말을 듣게 된다. 이는 도대체 무엇인가
이를 이해하기 위해서는 먼저 앞의 [기술 노트 1]에서 설명한 TTL 및 CMOS의 기본 원리나
[기술 노트 2]에서 설명한 토템폴(totem-pole) 방식의 TTL 회로를 알아야 한다.
일반적인 TTL 소자는 출력간의 회로가 .. |
|
|
|
|
|
