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| Contents
Introduce Company
Main Business
System Integration
WiBro
DVR
Outsourcing
Consulting
네트워크 통합
strategic business
POSDATA
C41,국방통합시스템,국방정보통신망
전쟁연습모델 개발 등
ETCS,ITS,BIS,DBS,교통
시뮬레이션 등
u-통신,u-방범, u-환경, u-교통
U-홈 등 미래형 첨단기능
도시서비스 제공
Billing 서비스,
OSS,CTI,CRM,DW 등
다양한 텔레콤 서비스 제공
세계 최고의 포스코 정.. |
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기본단위(SI단위) 개정에 따른 검사업무 처리방법 및 환산표
□ 기본단위(SI단위) 정의 및 개정 근거
◦ 기본단위(SI단위) 개정근거
- 계량에 관한 법률(전문개정 2000. 1. 21. : 법률제6193호)
- 산업자원부령 제138호(2001. 7. 12)“고압가스안전관리법시행규칙중 개정령안”
◦ 계량단위의 정의(계량에관한 법률) : [별첨 참조]
- 기본단위 : 국가표준기본법 제10조의 규정에 따른 측정 단위
․길이의 측.. |
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| 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성
실험 목적 : 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 측정한다.
*실제 실험은 si 다이오드만 이용하여 측정하였다.
실험 순서
1.다이오드 검사
다이오드 검사 단자
그림과 같이 다이오드 양쪽에 멀티미터를 연결하여 전위를 측정한다.
다이오드가 정상이라면 순방향 연결시 약간의 전압강하가 일어난다.
역방향 연결시는 개방회로를 .. |
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| 박막형 태양전지 CIGS
목차
CIGS의 발전배경
What is CIGS
CIGS의 박막기술
CIGS의 박막기술(국내 기술 동향)
CIGS의 특징
CIGS의 장점
CIGS의 단점
CIGS의 시장
CIGS의 미래
Reference
CIGS 발전배경
기존 결정질 Si 태양전지
· 장점 : 고효율, 신뢰성
· 단점 : 저가화 한계
두께 한계 : 2~300um
공정이 단속적
기존 기술의 보완
· 고효율, 저가화
· 박판 직접 제조, 구형화, 원료 재생
· 웨이퍼 박형화 .. |
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| 아이콜스[주] 회사소개
아이콜스 VISION
Industry
Community
On-Line
Services
산업 전체의 IT 경쟁력이 Global 경쟁력 입니다.
아이콜스 VISION
Industry Community On-Line Enabler
Corporate Profile
회사개요
* IR book : 20 page 참고
태동기
1998. 01 마이티정보시스템(주) 설립 : 종업원지주회사로 출범
1999. 01 만도기계(주) ERP, SCM, PDM KMS PROJECT 수주
1999. 09 한국전력기술,금강기획,팬텍.. |
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| 실험: Photo Lithography
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 Photo lithography 를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
PR공정 결과.. |
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| Solar Cell Report
[a-SI Solar cell]
2
목 차
Photonic Chemistron
역할분담
3
태양전지의 정의
Chapter. 1-1
4
태양전지의 정의
태양전지 란
태양광 에너지를 직접 전기로 변환시키는 반도체 화합물 소자 (ex : 실리콘(Si))
5
왜 태양전지인가
Chapter. 1-2
6
왜 태양전지인가 (1)
7
왜 태양전지인가 (2)
8
왜 태양전지인가 (3)
9
왜 태양전지인가 (4)
10
태양전지의 구조
Chapter. 1-3
11
태양전지의.. |
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| 1.실험제목
- 다이오드(Diode)
2.실험목표
- Si, Ge, zenor, 발광 다이오드의 특성을 실험을 통해 이해한다.
3.실험재료
- 디지털 멀티미터, 전원공급기, 오실로스코프, 함수발생기, Si, Ge, zenor, 발광 다이오드
4.실험과정 및 결과
1) 그림 4(a)의 회로를 결선하라.
V
그림4(a)
2) 다이오드 양단의 순방향 전압을 측정하라.
- 0.6895[V]
3) 회로에 흐르는 전류 를 측정하라.
- 9.42[mA]
4) 발광.. |
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| 반도체와 초전도체
Ⅰ실리콘계 반도체
Ⅱ화합물 반도체
Ⅲ초전도체
초기의 반도체 소자를 제작하는데 쓰인 물질은 Ge이며 현재는 Si 및 고속 또는 빛을 방출, 흡수하는데 필요한 소자로 화합물 반도체를 사용한다.
특히 실리콘은 정류소자, 트랜지스터 및 집적회로에 이용되는 아주 중요한 반도체 물질이다. |
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| - 목차 -
1. 실험 목적
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p. 2
2. 실험 배경
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p. 2
3. 실험 이론
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p. 2
① Si의 특성
···
p. 2
② MOS Capacitor
···
p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···
p. 8
4. 실험 방법
···
p. 9
5. 결과 예측
···
p. 11
6. 결과 분석
···
p. 12
① C-V 결과 분석
···
p. 12
② I-V 결과 분석
···
p. 16
7. 결론
···
p. 19
8. 참고문헌
···
p. 19
1. 실험 목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 .. |
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| 전자회로 설계 및 실험 - 직렬 및 병렬 다이오드 구조
실험 목적 : 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고
측정한다.
실험 소요장비
계측기 - DMM
부품 - 저항 - 다이오드
1) 1k , 2.2k 1)Si , 2)Ge
-전원 (직류전원)
실험 순서
1.문턱전압 VT
Si과 Ge 두 다이오드에 대해서 DMM의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서를 사용하여 문.. |
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| 실험 4 : Metal Deposition
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Dry etching 을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 Metal deposition 을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는
금속을 Ni로 증착 두께를 10nm, 20nm, 30nm로 변화를 주어 증착 두께를 조정함에 따라
제품의 면저항에 어떤 영향을 끼치는지 확인하고자 한다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
증착 금속
증.. |
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| 점 도 계 (Viscometer)
1. 점도계란
2. 공업용 점도계의 종류와 원리
3. 세관식 점도계
4. 회전식 점도계
5. 낙구식 점도계
6. 진동식 점도계
목 차
1.점도의 기본개념
점도:물체의 끈끈한 정도를 나타내는 물리적 단위
점도(Viscosity)=전단응력/전단율
점도의 단위
pa*s [SI Unit]: pascal*second
mpa*s
P [CGS Unit]: Poise
cP
1-1.동점도의 개념
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| L E D
(Legend of Early Developer)
LCD 이론
및
제조 공정
Contents
What is LCD
LCD Structure
Operating Principles
Manufacturing Process
Process Equipment
Key Technology Trends
What is LCD
Liquid Crystal
F. Reinitzer
O. Lehmann
LCD Structure
LCD Panel
Optical Components
PCB
Back Light
TFT-Array
Spacer
Color Filter
Seal
Operating Principles
a-Si TFT
MOSFET
Switch (On.. |
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| 마케팅 전문가 과정
목차
제1부 마케팅 및 마케팅 관리과정
제2부 시장기회 분석
제3부 마케팅전략 및 마케팅믹스 관리
제4부 사업구조 설계
제5부 밸런스 스코어 카드
제6부 사이버 마케팅
제7부 마케팅 전략기획 방법론
참석자 소개
수강생
소속
성명
Back-Ground
배우고자 하는것
강사
성명 :
Back-Ground :
과정의 목적
마케팅 개념
SI 및 IT 추세
SI 마케팅 전략수립
사업계획 수립 사례
마케팅 .. |
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