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 일반물리학 실험 - 휘스톤 브릿지 실험 ( 4Pages )
휘스톤 브릿지 1. 실험목적 한 물질의 전도도(또는 비저항)는 그 물질의 전기적 성질에 관하여 매우 중요한 정보를 제공한다. 이를 실험적으로 결정하기 위하여 먼저 저항을 정확하고 정밀하게 측정하여야 한다. 이를 위하여 휘스톤브릿지가 종종 사용된다. 본 실험에서는 휘스톤 브릿지의 구조와 사용법을 익히고, 미지 저항체의 전기저항을 측정한다. 2. 이론및 원리 ①휘스톤 브릿지의 기본원리 전..
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 사회복지현장에서 클라이언트의 호소에 적절한 대안을 제시하였으나 상담 중 저항이 일어날 때 적절한 표현기술에 대해 토론하시오 ( 2Pages )
사회복지현장에서 클라이언트의 호소에 적절한 대안을 제시하였으나 상담 중 저항이 일어날 때 적절한 표현기술에 대해 토론하시오에 대한 레포트 자료. 사회복지현장에서 클라이언트의 호소에 적절한 대안을 제시하였으나 상담 중 저항이 일어날 때 적절한 표현기술에 대해 토론하시오 사회복지현장에서 클라이언트의 호소에 적절한 대안을 제시하였으나, 상담 중 저항이 일어날 때 활용할 수 있는 표현기..
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개념, 정의, 특징, 과제
 실험보고서 - RLC 회로의 과도응답 및 정상상태응답 ( 7Pages )
RLC 회로의 과도응답 및 정상상태응답 1. 실험요약 RLC 회로를 구성하여 저감쇠, 과감쇠, 임계감쇠 파형을 관찰하고 각각의 특성을 확인하였으며 각 소자의 전압과 위상차를 측정하였다. RLC 회로의 과도응답 및 정상상태응답을 실험을 통해 이해하였으며 R성분이 없는 LC회로에서의 공진 주파수와 C의 전압의 관계를 확인하였다. 2. 실습내용 및 절차 2.1 그림 1과 같이 회로를 구성하라. 입력을 사각파..
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 기초회로실험(예비+결과) - 태브낭의 정리 ( 7Pages )
태브낭의 정리 예비 보고서 1. 목적 (1) 단일 전압원의 DC회로의 등가 저항과 등가 전압을 구하는 방법을 익힌다. (2) 직 병렬 회로의 분석시 등가 저항과 등가 전압의 값을 실험적으로 확인한다. 2. 이론 (1) 테브냉의 정리(Thevenin’s theorem) 전기 회로 이론, 선형 전기 회로에서 테브냉의 정리(Thevenin s theorem)는 두개의 단자를 지닌 전압원, 전류원, 저항의 어떠한 조합이라도 하나의 전압원 V..
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 일반물리 실험 - 휘트스톤 브릿지 시스템 ( 4Pages )
일반물리 실험 - 휘트스톤 브릿지 시스템 1. 목적 한 물질의 전도도(또는 비저항)는 그 물질의 전기적 성질에 관하여 매우 중요한 정보를 제공한다. 이를 실험적으로 결정하기 위하여 먼저 저항을 정확하고 정밀하게 측정하여야 한다. 이를 위하여 휘스톤 브리지가 종종 사용된다. 본 실험에서는 휘스톤 브리지의 구조와 사용법을 익히고, 미지 저항체의 전기 저항을 측정한다. 2. 기본 원리 다음 그림..
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 유도전동기 기동 방법 ( 17Pages )
I1 : 입력전류 g: 여자콘덕턴스 Io : 무부하전류 b: 여자서셉턴스 I1' : 부하전류 r1 :S/T 저항 Ie : 철손전류 x1 :S/T 리액턴스 Iφ : 자화전류 r2 :R/T 저항 x2 :R/T 리액턴스 1.1 입력전류와 부하전류 입력전류 Po : 전동기 출력[kW] : 회전자 출력 + 기계손 부하전류
정보/기술 > 토목/건축 |
 전기전자공학 및 실습 - 테브닌 정리 ( 11Pages )
전기전자공학 및 실습 - 테브닌 정리 1. 실험목적 (1) 단일 전압원을 갖는 직류회로의 테브닌 등가전압()과 등가저항 ()을 결정한다. (2) 직-병렬회로의 해석에 있어서 와 의 값을 실험적으로 입 증한다. 2. 이론적 배경 테브닌 정리는 복잡한 선형회로의 해석에 매우 유용한 수학적 방법이며, 회로내의 임의의 부분에서 전압과 전류를 결정하는데 이용될 수 있다. 테 브닌 정리의 기본개념은 복잡한 ..
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 실험1 R, C, L 값의 측정 ( 9Pages )
1. 실험목적 2. 장비 및 부품 3. 준비지식 4. 실험 5. 고찰 6. 실험후기 1. 실험목적 1) 멀티미터를 이용하여 저항을 측정하는 방법과 저항에 표시된 색 코드를 읽는 방법을 익 힌다. 2) LCR 미터를 이용하여 커패시턴스와 인덕턴스의 크기를 측정하는 방법을 익힌다. 3) 저항 측정시 정격값과 실측값을 측정하여 비교한다. 4) 실험 결과 값들의 오차가 발생하는 이유를 여러 번의 실험을 통해 알아보고, ..
리포트 > 공학/기술 |
R값 측정, C값 측정, L값 측정, R C L값 측정, R C L값 측정 실험, R C L값 측정 실험장비, R C L값 측정 실험부품, R C L값 측정 실험고찰, R C L값 측정 실험결과, R C L값 측정 실험후기
 [물리학 실험] 키르히호프의 법칙 ( 3Pages )
1. 실험 제목 : 키르히호프의 법칙 2. 실험 목적 • 실험을 통해 저항소자에 흐르는 전류관계를 확인하여 키르히호프의 전 류법칙을 이해한다. • 저항소자에 흐르는 전압관계를 확인하여 키르히호프의 전압법칙을 이해 한다. 3. 실험 준비물 - 전원 공급기, 멀티미터(VM, AM, OM), 저항 : 1KΩ, 3.3KΩ, 4.7KΩ, 10KΩ 4. 실험 순서 ① 실험에 사용되는 저항을 실제로 측정한 후, 다음의 회로를 구성한다..
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 기초회로실험 - 직렬, 병렬 조합회로 ( 17Pages )
직.병렬 조합회로 실험목적 이 실험을 통해 다음을 할수있도록 한다.1. 직.병렬회로 해석을 간단히 하기 위해 등가회로의 개념을 사용한다.2. 직.병렬 조합회로에서 전류와 전압을 계산하 고 측정을 통해 계산 값을 증명한다. 이론요약대부분의 전기회로가 단지 직렬 또는 병렬회로만 되어 있는 것은 아니다. 직렬회로에선 동일한 전류가 모든 소자들을 통해 흐르며 직렬저항들의 합성저항 값은 각각의 ..
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 탐브랜즈-문화적 저항의 극복( Tambrands-Overcoming Cultural Resistance ) ( 4Pages )
국제마케팅론 - CASE STUDY로 International Marketing, 13th edition, Phillip Cateora and John Graham, Irwin/McGraw Hill. pp.656-658 case study을 읽고 해당문제의 답안을 작성한 것임. 1. Proter & Gamble의 부분이 되어가고 있는 탐브랜즈(tambrands)의 지혜에 대해 평가해 보시오. 2. 탐브랜즈는 각 클러스트 시장에서 유사한 방법으로 글로벌 광고계획을 나타냈다. 그 목표를 토론해 보시오. P&G..
리포트 > 경영/경제 |
국제경영, 글로벌 경영, 경영전략
 [정치학] 미국의 패권주의와 이슬람의 이유있는 저항 ( 7Pages )
미국의 패권주의와 이슬람의 이유있는 저항 Ⅰ. 서론 지난 9월 11일 세계가 경악을 금치 못하는 테러 사건이 미국에서 발생했다. 미국의 상징이라 할수 있는 세계무역센터 쌍둥이빌딩과 미국의 심장이라 할수 있는 워싱턴의 미국 국방부 펜타곤건물이 잇따라 파괴되어 미국의 자존심이 붕괴되고, 6000여명 사망이라는 대규모 인명피해와 수십조원의 재산상 피해가 발생한 사상 최악의 테러 사건이었다. 참..
리포트 > 사회과학 |
 전자회로 - [bjt]바이폴라 트랜지스터의 원리 ( 11Pages )
전자회로 - 바이폴라 트랜지스터의 원리 1. 실험주제 바이폴라 트랜지스터의 원리 2. 실험 목표 npn 바이폴라 트랜지스터의 특성 이해 3. 부품과 실험장치 ① 트랜지스터 : 2N2222 npn 또는 2N3904 npn 2개 ② 저항 : 100(1), 1㏀(1), 10㏀(4), 100㏀(1), 10㏀가변저항(1) ③ DVM ④ 전원장치 ⑤ 2 채널 오실로스코프 ⑥ 파형 발생기 ⑦ 저항에서의 전압강하를 측정하여 간접적으로 전류를 구할 예정이므로, 정..
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 일반물리학 실험 - 옴(Ohm)의 법칙 결과 보고서 ( 5Pages )
1. 실험 제목 [ Ohm의 법칙 ] 본 실험을 통해 ∎ 전기회로에서 전압과 전류, 저항의 관계를 이해한다. ∎ 실험장비의 사용법과 측정법을 익힌다. 2. 관련이론 1. 전기저항(저항) : 전하의 흐름을 방해하는 소자나 그러한 소자의 전기적 특성을 나타내는 용어로서 통상적으로 기호 R로 표기한다. 저항의 크기를 나타내는 단위로는 옴(ohm, 기호[])을 사용한다. 1[]은 도체의 양단에 1[V]의 전압을 가..
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 [전자회로 실습] 전자아이스파이스 PN접합 ( 24Pages )
1.과제명: PN접합 2.이론: PN Diode 순방향과 역방향의 특성 P형과 N형 반도체가 서로 맞닿아 있는 부분을 PN접합 이라하고, PN접합으로 이루어진 소자를 PN접합 diode라 한다. 3.실험 실험① 그림 3-3의 회로에서 저항 R1의 값을 10~1000의 범위로 변화시키면서 정 특성의 순방향 특성을 측정하시오. 저항이 1 일 때 저항이 10 일 때 저항이 100 일 때 저항이 500 일 때 저항이 1000 일 때 저항..
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