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 일반물리학 실험 - RLC 임피던스 ( 3Pages )
1. 제목 : RLC 임피던스 2. 목적 : 저항, 인덕터 및 축전기로 구성된 교류회로에서 주파수에 따라 변화하는 , 를 각각 측정하고, RLC회로의 임피던스 Z를 구한다. 3. 이론 : 직류(DC)회로에서 전류는 같은 방향으로 흐른다. 교류(AC)회로에서 전류는 한쪽 방향으로 잠깐 흘렀다가 방향을 바꾸어 역방향으로 같은 시간 동안 흐르고는 다시 방향을 바꾼다. 이러한 변화는 1초에 여러차례 반복 된다. 60Hz의 ..
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 PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR ( 11Pages )
PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR >>>목적 1. PUT의 도식적인 기호를 그려라. 2. PUT의 작동을 설명하라. 3. PUT의 firing point를 어떻게 계산하고 회로에 맞출수 있는지 보여라. 4. 진동회로에서 PUT가 어떻게 사용 되는지 보여라. 5. PUT를 저항계로 측정하라. 6. PUT진동회로의 고장을 해결하라. >>>이론 7-1a 구조와 도식적인 기호 PUT는 반도체의 나눔이며 그림 7-1과같이 P와 N물질..
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리포트, 레포트
 전기전자 실험 - 브리지정류회로 결과 보고서 ( 5Pages )
◉실습목적 -정류다이오드를 이용하여 브리지 정류회로를 구성하고 다이오드 입출력 전압을 비교하여 다이오드의 특성을 파악하고, 정류회로의 기능을 이해한다. 또한, 브리지 정류회로의 장단점을 확인 하여 본다. ◉정류회로의 동작원리 -다이오드는 다이오드 양단에 순방향 바이어스에서는 도통되고 역방향 바이어스에서는 회로를 차단하는 성질을 가지고 있다. 즉, 한쪽방향으로만 전류를 흘려주는 성..
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 MOS Capacitor의 제작 방법과 특성와 C-V등을 측정 ( 18Pages )
◉ 실험 날짜: 날 씨 : 맑음 온 도 : 27° 습 도 : 43% 1. 실험 목적 - MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다. C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다. 2. 관련 지식 관련 parameters : Tox NA, ND, VFB, VT, Qf(Nf), Qm(Nm), Qit(Nit) MOS capacitor C-V 장치 Metal-oxide-P type Silicon MOS Caoacitor는 전계를 이용한 소자중 하나이며, 그래서 일반적으로 MOSFET(Metal-Oxid e-Semiconduc..
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 다이오드의 특성 측정 ( 3Pages )
1. 실험 목적 (1) 반도체 다이오드(diode)의 순방향 및 역방향의 전압 전류 특성을 이해한다. (2) 실리콘과 게르마늄 다이오드의 문턱 전압을 측정한다. 2. 이론 (1) 다이오드 반도체 다이오드는 셀레늄(selenium : Se)을 주체로 한 것과 실리콘(silicon : Si), 게르마늄(germanium : Ge)을 주체로 한 것이 있으나 정류용으로는 Si이 주로 쓰인다. [그림 19-1] 다이오드의 기본 구조 다이오드는 그림..
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 다이오드 실험 ( 5Pages )
다이오드 실험 1 1. 그림자료 ① 다이오드(0.620 , 2.002) 1) x축은 전압, y축은 전류이며 기울기는 즉 1/저항 이다. 2) 2.002 mA 일때 0.620V이다. ② 적색 (1.729 , 2.002) 1) x축은 전압, y축은 전류이며 기울기는 즉 1/저항 이다. 2) 2.002 mA 일때 1.729V이다. ③ 노란색(1.875 , 2.002) 1) x축은 전압, y축은 전류이며 기울기는 즉 1/저항 이다. 2) 2.002 mA 일때 1.875V이다. ④ 녹색(1.904 , ..
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 예비 보고서 - 접합 다이오드의 특성 ( 6Pages )
접합 다이오드의 특성 1. 실험 목적 1) 순방향 바이어스와 역방향 바이어스가 접합 다이오드의 전류에 미치는 영향을 측정한다. 2) 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 실험적으로 측정하고 이를 그래프로 도시한다. 3) 저항계(ohmmeter)로 접합 다이오드를 시험한다. 2. 기초 이론 반도체 반도체는 그 비저항 값이 도체와 절연체 사이에 있는 고체이며 컴퓨터, TV 등 많은 전자제품에 사용되고 있다. ..
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 [전자회로실험] 다이오드의 반파, 전파 및 브리지 정류 ( 8Pages )
다이오드의 반파, 전파 및 브리지 정류 □ 실험목적 (1) 반파 정류 회로의 출력 파형을 관찰하고 측정한다. (2) 전파 정류 회로의 출력 파형을 관찰하고 측정한다. (3) 브리지 정류 회로의 출력 파형을 관찰하고 측정한다. □ 기본이론 다이오드는 다이오드 양단에 순방향 바이어스에서는 도통되고 역방향 바이어스에서는 회로를 차단하는 성질을 가지고 있다. 다시 말해, 한쪽방향으로만 전류를 흘려주..
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 임피던스 측정 R-L-C ( 5Pages )
[임피던스 측정(R-L-C)] 1. 목 적 저항, 코일 및 콘덴서로 구성된 교류회로에서 저항 R, 인덕턴스 L, 전기용량 C를 각각 측정하고, 직 렬 R-L-C 회로의 임피던스를 구한다. 2. 원 리 직류회로에서 전류는 한 방향으로 흐른다. 그러나 교류회로에서는 한 방향으로 잠깐 흘렀다가 방향 을 역방향으로 같은 시간동안 흐르고는 다시 방향을 바꾼다. 예를들어 60 Hz의 교류회로에서는 1초 에 120번의 방향..
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 천왕성과 혜왕성 및 명왕성 ( 3Pages )
천왕성과 혜왕성 및 명왕성 1. 천왕성(PLANET URANUS) 그림. 천왕성 천왕성(Uranus)은 망원경을 사용해 발견된 첫번째 행성이다. 영국의 허셀이 1781년 발견하여 조지왕 3세라는 이름이 붙을 뻔했지만 전통적인 관례에 따라 그리이스 신화에 나오는 신의 이름을 붙이게 되었다. 천왕성은 5.7등급으로 망원경으로 보면 옅은 청색의 작은 원반으로 보인다. 만약 정확한 위치를 안다면 맨눈이나 쌍안경으로..
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 전자부품회로설계의 기초 ( 92Pages )
본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 디지털 회로 실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 전자부품회로설계의 기초에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임. 1. 개요 1.1 전압, 전류, 저항 1.2 직류와 교류 1.3 주파수와 주기 1-4. 회로의 기본법칙 2. 전자 부품의 종류 및 사용방법 2.1 저항 2.2 콘덴서 2.3 다이오드 2.4 트랜지스터 2.5 OP AMP (반전 증..
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전자부품회로설계의 기초, 디지털회로실습, 전자부품종류 및 사용방법, 전자부품회로도의 해석
 일반물리학 실험 - RLC회로의 임피던스 ( 6Pages )
일반물리학 실험 - RLC회로의 임피던스 1. 실험 제목 : RLC회로의 임피던스 2. 목적 - 저항(resistor), 인덕터(inductor) 및 축전기(capacitor)로 구성된 교류회로에서 주파수에 따라 변화하는 , 를 각각 측정하고, RLC회로의 임피던스 Z를 구한다. 3. 이론 직류(DC)회로에서 전류는 같은 방향으로 흐른다. 교류(AC)회로에서 전류는 한쪽 방향으 로 잠깐 흘렀다가 방향을 바꾸어 역방향으로 같은 시간 ..
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 트랜지스터등가회로 ( 4Pages )
목 적 정상바이어스된 트랜지스터의 소신호 입력에 대한 하이브리드 파라미터 모델(hybrid parameter model) 과 T-등가회로 (T-equivalent circuit)를 각각, 그리고 상호 연관지어, 이해하고 측정하여 트랜지스터의 등가회로를 꾸민다. 이 론 여기서 는 가 순방향바이어스 되어 나타나는 저항으로서 작은 값을 가지며, 정상온도에서 동작점이 정해지면 동작점의 전류 (mA)에 대해서 (Ω) 식 1 의 관계..
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공학, 기술
 일반물리학 실험 - RLC 회로의 임피던스 실험 ( 4Pages )
일반물리학 실험 - RLC 회로의 임피던스 실험 1.실험제목 -RLC 회로의 임피던스 실험 2.실험목적 -저항, 인덕터 및 축전기로 구성된 교류회로에서 주파수에 따라 변화하는 리액턴스 ,를 각각 측정하고, RLC회로의 임피던스 를 구한다. 3.관련이론 -직류(DC)회로에서 전류는 같은 방향으로 흐른다. 교류(AC)회로에서 전류는 한쪽 방향으로 잠깐 흘렀다가 방향을 바꾸어 역방향으로 같은 시간 동안 흐르고..
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 전자회로실험 - 푸쉬풀 증폭기 ( 3Pages )
전자회로실험 - 푸쉬풀 증폭기 ●목 적 1. B급 동작을 정의하고 2. 푸쉬풀 전력증폭기의 원리를 이해하며 3. 이 증폭기의 주파수 특성을 조사한다. ●기기 및 부품 1. 직류가변전원 : 0-30V 2. 오실로스코프 3. 저주파신호발생기 4. 저항: 10Ω 1/2W, 2.2kΩ 1/2W*2, 8.2kΩ, 18kΩ 1/2W, 27kΩ 1/2W 5. 가변저항: 5kΩ 6. 커패시터: 0.0uF/50V 7. 트랜지스터: TIP41C(NPN), TIP32C(PNP) ●관련 이론 증..
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