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(검색결과 약 2,657개 중 12페이지)
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| 1. 실험목적
(a)직-병렬회로의 총 저항 Rt를 구하기 위한 규칙들을 실험적으로 입증한다.
(b)지정된 전류조건을 만족하는 직-병렬회로를 설계한다.
2. 이론적 배경
2.1 직-병렬회로의 총 저항
그림 14-1은 저항기의 직-병렬연결을 보여준다. 이 회로에서 R₁은 B-C 사이의 병렬회로 및 R₃에 직렬이다. 점 A-D 사이의 총 저항은 얼마인가 Rt는 저항계를 사용하여 측정될 수도 있으며, EH한 실험 8에서 설명된.. |
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| 논리회로 실습 보고서 - 코드 변환기
7486 IC 핀 배치도를 참조하여 아래 회로를 구성한다. 7486의 7번 핀은 접지하고, 14번 핀은 +5V의 전압을 인가한다. B4, B3, B2, B1, B0에 입력신호를 표와 같이 변화시키면서 출력 상태를 기록하여라.
B4
B3
B2
B1
B0
G4
G3
G2
G1
G0
01011011101010111010101110000
▌검토▐ 실험 결과를 토대로 이 회로는 어떤 회로인지 동작을 설명하여라.
▷ 2진 코드를 입력받.. |
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| 1. 실험제목
가. 테브난의정리
2. 실험목적
가. 선형 저항성 회로망을 테브낭의 등가회로로 변환한다.
나. 여러 가지 부하저항의 효과를 비교함으로써 테브낭의 등가회로를 확인한다.
3. 관련이론
가. 테브낭정리 정의
복잡한 회로에서 어떤 한 부분의 전류나 전압값만 알고 싶을 경우가 있을 것이다. 그럴 때 테브냉의 정 리를 이용하면 모든 회로를 다 해석할 필요 없이 복잡한 부분은 단순한 등.. |
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| 회로 이론 및 실험
인덕턴스
(1)인덕턴스의 정의와 단위
하나의 회로에 전류 I를 흘리면 주위에 자계가 발생해서 그 회로는 자체의 전류에 의해서 생긴 자속과 항상 쇄교하게 된다. 이 때, 전류 I를 변화시키면 그 전류에 의한 자속과 회로와의 쇄교수가 변화하고 회로 내에 자속의 변화를 방해하려는 방향으로 기전력 e가 유도된다. 이 기전력 e는 전류 I의 시간적 변화의 비율에 비례해서 로 표시된다. .. |
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| R C 회로의 과도응답 및 정상상태 응답
1. 실험의 목적
-RC 회로의 과도 응답과 정상상태응답을 수학적으로 도출하고 이를 확인한다.
2. 실험 준비물
▶ 오실로스코르 1대
▶ 함수 발생기(Function Generator) 1대
▶ 저항 1㏀, 10㏀ 각 1개씩
▶ 커패시터 10㎌, 100㎌ 각 1개씩
3. 기초 이론
1] R C 회로 분석
+-+-CR
vi(t)
+-+-CR
vi(t)
RC-회로도 CR-회로도
RC, CR 회로에서의 출력 전압은 각.. |
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| 실험. 윈-브리지 발진기
1.Orcad 결과
[리미팅 회로를 붙이지 않은 윈-브리지 발진기의 파형]
-회로-
-파형-
[리미팅 회로를 붙인 윈-브리지 발진기의 파형]
-회로-
-파형-
-스펙트럼 파형-
2.오실로스코프 파형 - ( Ch1 : 입력 전압 / Ch2 : 출력 전압 )
[리미팅 회로를 붙이지 않은 윈-브리지 발진기의 파형]
[리미팅 회로를 붙인 윈-브리지 발진기의 파형]
3. 실험 결과 값과 이론 값 비교
① fo .. |
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| 중첩의 정리
1. 실험 목적
- 중첩의 정리를 실험적으로 입증한다.
2. 기본 이론
(a)
(b) (c)
- 위 그림 a는 두 개의 전압원 과 을 갖는 회로, b와 c는 각각 a의 회로에서 , 를 제외한 회로이다,
- (a)에 흐르는 전류는 회로 b에서 흐르는 전류와 회로 c에서 흐르는 전류의 대 수적 합이다.
- 회로 b에서
= + + = 150
= = 133mA
= 133mA
= 133mA
= 66.7mA
= 66.7mA
= 66.7mA
6.67 v
6.67.. |
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| 주기억장치(main memory)는 컴퓨터가 동작하는 동안 데이타와 프로그램을
저장하고 있는 비교적 크고 빠른 속도의 메모리이며, 반도체 집적 회로 기술을
바탕으로 한다.
RAM은 두 가지 종류가 있는데, 정적(static)RAM은 하나의 이진 정보를 저장할
수 있는 플립플롭들로 구성되어 있어서 전원이 연결되어 있는 동안 저장되어
있는 정보를 유지한다. |
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| 반도체란 무엇이며, 반도체는 어떻게 만들어 지는가에 대하여 그림과 함께 설명하였습니다.
반도체는 어떻게 만드는가
반도체 집적회로는 손톱만큼이나 작고 얇은 실리콘칩에 지나지 않지만 그 안에는 수만 개에서
천만개 이상의 전자부품들(트랜지스터, 다이오드, 저항, 캐패시터)이 가득 들어있다. 이러한 전자부품들이 서로 정확하게 연결도어 논리게이트와 기억소자 역할을 하게되는 것이다.
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| 실험 5 FET
요약 - FET가 각 조건에 따라 어떻게 동작하는지 바이어스, 동작점, 증폭 작용, 스위치 작용 사이의 상관관계를 인식한다. 아울러 동작점이 회로 및 소자와 어떻게 연관되어 있는지 이해한다.
Ⅰ. 실험의 필요성 및 배경
FET의 실험을 통하여 동작에 대한 특징을 이해함으로써 FET를 이용한 증폭회로, 스위치회로를 해석하고 구현할 수 있다. 또한 BJT와의 차이를 확인함으로써 FET의 장점과 .. |
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| (접수인란)
(결재인란)
담당
심사관
배치설계관리인말소등록신청서
신청인
(관리인 또는 배치설계권자)
성명
주민등록번호
주소
(전화번호)
국적
배치설계권설정등록번호
반도체집적회로의 명칭
권리의표시
등록원인 및 발생연월일
등록의목적
반도체집적회로의배치설계에관한시행규칙 제20조의 규정에 의하여 위와
같이 신청합니다.
년월일
신청인(관리인 또는 배치설계권자) (인)
특허청장.. |
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| 반도체와 초전도체
Ⅰ실리콘계 반도체
Ⅱ화합물 반도체
Ⅲ초전도체
초기의 반도체 소자를 제작하는데 쓰인 물질은 Ge이며 현재는 Si 및 고속 또는 빛을 방출, 흡수하는데 필요한 소자로 화합물 반도체를 사용한다.
특히 실리콘은 정류소자, 트랜지스터 및 집적회로에 이용되는 아주 중요한 반도체 물질이다. |
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| AND, OR, NOT 게이트를
통한 논리회로 설계
Ⅰ. 목 표
AND, OR, NOT 게이트의 기호와 동작특성을 이해고, 실험을 통해 AND, OR, NOT 게이트의 진리표(Truth Table)를 이해하며, 논리소자들의 작동법을 익힌다. 그리고 슬라이드 스위치 2개로 배운 이론으로 7-segment를 0 부터 3 까지 켤 수 있다.
Ⅱ. 실험장비 및 부품
- 7-segment (cathode type)
- 저항(330Ω) : 9개
- IC MC74HC08A(AND 게이트)
- IC.. |
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| 반도체 공학 - 반도체 제조 공정 단계
목 차
1. 단결정 성장
2. 규소봉 절단
3. Wafer 표면 연마
4. 회로 설계
5. Mask 제작
6. 산화공정
7. 감광액 도포
8. 노광공정
9. 현상공정
10. 식각공정
11. 이온주입공정
12. 화학기상 증착
13. 금속배선
14. Wafer 자동선별
15. Wafer 절단
16. 칩 집착
17. 금속연결
18. 성 형
1. 단결정 성장
특수 공정을 이용해 웨이퍼 위에 전자회로를 새긴 후, 웨이퍼 위 .. |
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| (접수인란)
(결재인란)
담당
심사관
배치설계관리인선임(변경)등록신청서
신청인
(관리인 또는 배치설계권자)
성명
주민등록번호
주소
(전화번호)
국적
배치설계권설정등록번호
반도체집적회로의 명칭
권리의표시
배치설계권자의 표시
(배치설계권자가 신청하는 경우 관리인의 표시)
성명
주민등록번호
주소
(전화번호
국적
대리권의범위
등록원인 및 발생연월일
등록의목적
반도체집적회.. |
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