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(검색결과 약 2,820개 중 12페이지)
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| [전자회로실험]온도 상승 경보기
1. 프로젝트 개요
회로의 특성을 이해한다.
서미스터 : 온도제어용 센서
체온계,온도계,습도계,기압계, 화재경보시
2. 이론적 배경
.... |
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| 본인의 전공과 경험이 회로 설계 직무에 어떻게 연관되는지
실제 회로 설계 프로젝트 및 인턴 경험 사례
전원 관리회로 설계 역량입니다.
회로 설계는 협업이 필수인 업무입니다.
회로 설계 직무에서 가장 중요하다고 생각하는 역량은 무엇인가요?
그 이후 전자공학을 전공으로 선택했고, 회로 설계야말로 가장 직접적으로 전자의 세계와 연결된 영역이라 생각하여 이분 야를 집중적으로 공부해왔습니다.
전.. |
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설계, 회로, 경험, 이다, 제품, 통해, 직접, 실제, 안정, 되어다, 신호, 기능, 설계자, 가장, 문제, 단순하다, 성, 발열, 전류, 화 |
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| 평형 브리지(Balanced Bridge) 회로
목차
1. 실험목적
2. 실험기구 및 장치
3. 이론 및 원리
4. 실험방법
5. 결과 분석 및 토의
6. 참고문헌
1. 실험목적
- 평형브리지 회로의 저항기들 사이의 관계를 구한다.
- 평형브리지 회로의 저항기들 사이의 관계를 이용하여 미지의 저항을 측정한다.
- 브리지 곱 수를 이해하고 응용한다.
- 측정 오차의 원인을 생각해보고 규명한다.
2. 실험기구 및 장치
Brea.. |
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| 1. 실험목적
(a)직-병렬회로의 총 저항 Rt를 구하기 위한 규칙들을 실험적으로 입증한다.
(b)지정된 전류조건을 만족하는 직-병렬회로를 설계한다.
2. 이론적 배경
2.1 직-병렬회로의 총 저항
그림 14-1은 저항기의 직-병렬연결을 보여준다. 이 회로에서 R₁은 B-C 사이의 병렬회로 및 R₃에 직렬이다. 점 A-D 사이의 총 저항은 얼마인가 Rt는 저항계를 사용하여 측정될 수도 있으며, EH한 실험 8에서 설명된.. |
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| 논리회로 실습 보고서 - 코드 변환기
7486 IC 핀 배치도를 참조하여 아래 회로를 구성한다. 7486의 7번 핀은 접지하고, 14번 핀은 +5V의 전압을 인가한다. B4, B3, B2, B1, B0에 입력신호를 표와 같이 변화시키면서 출력 상태를 기록하여라.
B4
B3
B2
B1
B0
G4
G3
G2
G1
G0
01011011101010111010101110000
▌검토▐ 실험 결과를 토대로 이 회로는 어떤 회로인지 동작을 설명하여라.
▷ 2진 코드를 입력받.. |
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| 1. 실험제목
가. 테브난의정리
2. 실험목적
가. 선형 저항성 회로망을 테브낭의 등가회로로 변환한다.
나. 여러 가지 부하저항의 효과를 비교함으로써 테브낭의 등가회로를 확인한다.
3. 관련이론
가. 테브낭정리 정의
복잡한 회로에서 어떤 한 부분의 전류나 전압값만 알고 싶을 경우가 있을 것이다. 그럴 때 테브냉의 정 리를 이용하면 모든 회로를 다 해석할 필요 없이 복잡한 부분은 단순한 등.. |
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| 회로 이론 및 실험
인덕턴스
(1)인덕턴스의 정의와 단위
하나의 회로에 전류 I를 흘리면 주위에 자계가 발생해서 그 회로는 자체의 전류에 의해서 생긴 자속과 항상 쇄교하게 된다. 이 때, 전류 I를 변화시키면 그 전류에 의한 자속과 회로와의 쇄교수가 변화하고 회로 내에 자속의 변화를 방해하려는 방향으로 기전력 e가 유도된다. 이 기전력 e는 전류 I의 시간적 변화의 비율에 비례해서 로 표시된다. .. |
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| R C 회로의 과도응답 및 정상상태 응답
1. 실험의 목적
-RC 회로의 과도 응답과 정상상태응답을 수학적으로 도출하고 이를 확인한다.
2. 실험 준비물
▶ 오실로스코르 1대
▶ 함수 발생기(Function Generator) 1대
▶ 저항 1㏀, 10㏀ 각 1개씩
▶ 커패시터 10㎌, 100㎌ 각 1개씩
3. 기초 이론
1] R C 회로 분석
+-+-CR
vi(t)
+-+-CR
vi(t)
RC-회로도 CR-회로도
RC, CR 회로에서의 출력 전압은 각.. |
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| 실험. 윈-브리지 발진기
1.Orcad 결과
[리미팅 회로를 붙이지 않은 윈-브리지 발진기의 파형]
-회로-
-파형-
[리미팅 회로를 붙인 윈-브리지 발진기의 파형]
-회로-
-파형-
-스펙트럼 파형-
2.오실로스코프 파형 - ( Ch1 : 입력 전압 / Ch2 : 출력 전압 )
[리미팅 회로를 붙이지 않은 윈-브리지 발진기의 파형]
[리미팅 회로를 붙인 윈-브리지 발진기의 파형]
3. 실험 결과 값과 이론 값 비교
① fo .. |
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| 주기억장치(main memory)는 컴퓨터가 동작하는 동안 데이타와 프로그램을
저장하고 있는 비교적 크고 빠른 속도의 메모리이며, 반도체 집적 회로 기술을
바탕으로 한다.
RAM은 두 가지 종류가 있는데, 정적(static)RAM은 하나의 이진 정보를 저장할
수 있는 플립플롭들로 구성되어 있어서 전원이 연결되어 있는 동안 저장되어
있는 정보를 유지한다. |
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| 반도체란 무엇이며, 반도체는 어떻게 만들어 지는가에 대하여 그림과 함께 설명하였습니다.
반도체는 어떻게 만드는가
반도체 집적회로는 손톱만큼이나 작고 얇은 실리콘칩에 지나지 않지만 그 안에는 수만 개에서
천만개 이상의 전자부품들(트랜지스터, 다이오드, 저항, 캐패시터)이 가득 들어있다. 이러한 전자부품들이 서로 정확하게 연결도어 논리게이트와 기억소자 역할을 하게되는 것이다.
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| 실험 5 FET
요약 - FET가 각 조건에 따라 어떻게 동작하는지 바이어스, 동작점, 증폭 작용, 스위치 작용 사이의 상관관계를 인식한다. 아울러 동작점이 회로 및 소자와 어떻게 연관되어 있는지 이해한다.
Ⅰ. 실험의 필요성 및 배경
FET의 실험을 통하여 동작에 대한 특징을 이해함으로써 FET를 이용한 증폭회로, 스위치회로를 해석하고 구현할 수 있다. 또한 BJT와의 차이를 확인함으로써 FET의 장점과 .. |
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| (접수인란)
(결재인란)
담당
심사관
배치설계관리인말소등록신청서
신청인
(관리인 또는 배치설계권자)
성명
주민등록번호
주소
(전화번호)
국적
배치설계권설정등록번호
반도체집적회로의 명칭
권리의표시
등록원인 및 발생연월일
등록의목적
반도체집적회로의배치설계에관한시행규칙 제20조의 규정에 의하여 위와
같이 신청합니다.
년월일
신청인(관리인 또는 배치설계권자) (인)
특허청장.. |
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| 반도체와 초전도체
Ⅰ실리콘계 반도체
Ⅱ화합물 반도체
Ⅲ초전도체
초기의 반도체 소자를 제작하는데 쓰인 물질은 Ge이며 현재는 Si 및 고속 또는 빛을 방출, 흡수하는데 필요한 소자로 화합물 반도체를 사용한다.
특히 실리콘은 정류소자, 트랜지스터 및 집적회로에 이용되는 아주 중요한 반도체 물질이다. |
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| AND, OR, NOT 게이트를
통한 논리회로 설계
Ⅰ. 목 표
AND, OR, NOT 게이트의 기호와 동작특성을 이해고, 실험을 통해 AND, OR, NOT 게이트의 진리표(Truth Table)를 이해하며, 논리소자들의 작동법을 익힌다. 그리고 슬라이드 스위치 2개로 배운 이론으로 7-segment를 0 부터 3 까지 켤 수 있다.
Ⅱ. 실험장비 및 부품
- 7-segment (cathode type)
- 저항(330Ω) : 9개
- IC MC74HC08A(AND 게이트)
- IC.. |
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