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| 활성탄[Activated Carbon ]
목차
활성탄
활성탄 구조 및 성질
활성탄 제조
활성탄 재생
활성탄의 기술 현황
활성탄의 기술 동향
활용탄의 활용 범위
기술의 활용
참고 문헌 및 자료
활성탄
목재, 갈탄, 무연탄, 및 야자껍질 등을 원료로 제조되는 미세세공이 잘 발달된 무정형 탄소의 집합체
활성화 과정에서 분자 크기 정도의 미세세공이 잘 형성되어 큰 내부표면적을 가지게 되는 흡착제
활성탄 구조 및 .. |
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| 건축재료시험
슈미트 해머에 의한 콘크리트 강도의 비파괴시험
1. 시험목적
(1) 슈미트 해머를 사용하여 콘크리트의 반발경도를 측정한 값으로부터 기존 철근콘크리 트구조물의 강도를 추정하기 위하여 실시한다.
(2) 측정이 콘크리트 표면에 국한되나 조작이 간단하고 강도 판정도 비교적 정확하므로 비파괴시험법 중 가장 널리 이용된다. 이 시험법은 보통 또는 중량 콘크리트에 한하 여 적용되며 경량.. |
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| [기초유체역학 및 실험] Hydrostatic Pressure[정유체압 실험]
1. 실험 목적
물속에 완전히 잠긴 평면의 표면에 가해지는 압력의 중앙 위치를 알아보고, 실험 결과 얻어진 위치를 이론적 결과와 비교해본다.
2. 배경이론
● Fluid pressure (유압)
- 유체의 한 부분에서의 압력을 뜻함
● Fluid statics (유체 정역학)
- 유체 요소 간 상대적인 움직임이 없는 상황
- 전단력이 없음 ==] 압력은 표면에 수.. |
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| 뉴턴의 원무늬
1. 연구 목적
Na lamp의 단색광으로 뉴턴 원무늬를 만들고 렌즈의 곡률 반지름을 측정한다.
2. 이론
평면 유리판 위에 곡률반경(R)이 큰 평볼록렌즈를 올려 놓으면 렌즈의 곡면과 평면 유리면 사이에 얇은 공기층이 생긴다. 여기서 수직으로 파장이 인 단색광을 입사시키면 렌즈의 구면에서 반사한 빛과 유리판의 표면에서 반사한 빛이 서로 간섭을 일으켜 위에서 보면 둥근 간섭무늬가 나.. |
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| 재료 현대 물리 - 터널링 디바이스 및 자연현상에서의의 터널링
-터널링 관련 디바이스
주사터널링현미경 [scanning tunneling microscope(STM)]
전도성을 가진 시료의 표면을 아주 첨예한 터널링 탐침으로 스캐닝하여 시료표면의 형태를 관찰하는 디바이스이다. 뾰족한 탐침을 시료 표면에 접근시키고 양단간에 적당한 전압을 걸어주면 비록 두 개의 도체가 떨어져 있다 하더라도 그 간격이 아주 작을 .. |
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| TIG 용접 기법 검토
1. 극성
TIG용접에서는 직류나 교류가 사용되며, 직류의 극성은 용접결과에 큰 영향을 미친다. 직류 정극성(D.C straight polarity)에서는 아래의 그림과 같이 음전기를 띤 전자는 전극에서 모재쪽으로 흐르므로 모재를 강하게 충격하여 깊은 용입을 일으키며, 전극은 속도가 느린 가스 이온의 충돌을 받아 별로 가열되지 않으므로 지름이 작은 전극에서도 큰 전류를 흐르게 할 수 있.. |
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| 분석기기에 관해 - 주사전자현미경[SEM, FE-SEM], X선 형광 분석기[XRF], X선 회절 분석기[XRD], 시차 열 중량 열량 분석기[TG-DTA], 입도분석기
1. 주사전자현미경 (SEM, FE-SEM)
- 개요 -
NT(Nano Technology)의 연구가 증가하면서 자연스럽게 미세구조물 또는 재료의 표면 형상에 대한 정보가 요구되고 있는 것이 현재의 추세이다. 이러한 요구를 충족시키기 위하여 전자현미경이 계발 되었다.
주사.. |
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| [재료 거동학] 부식에 관해서
부식이란
: 금속이 외부로부터의 환경과 화학적, 전기 화학적 반응을 일으켜 손상되는 것
수분의 관여 여부에 따라서 건식 및 습식으로 나뉜다.
Fe → Fe2+ + 2e- : anode 반응
2H+ + 2e- → H2: cathode 반응
그러나 용액 중에 용존 산소가 존재하면 cathode반응으로서
2H++1/2 O2+2e-→ H2O
되는 산소환원반응이 일어난다.
부식환경
1. 건식(dry corrosion)수분이 존재하.. |
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| 환경오염을 일으키는 분진의 특성 및 배출원
Ⅰ. 분진의 특성
1. 입자의 형태
입자의 크기를 보통 입경이라 하며 입자가 구형인 것은 거의 없고 현미경을 통해서 보면 각양 각색의 형태를 하고 있다.
분진은 구형이나 불규칙한 모양을 가지며 최초에 구형이었던 것도 응집에 의해서 비구형이 될 수도 있다.
분진의 형상과 크기 분포는 매우 중요한 매개변수인데, 이는 분진의 제거 방법이 분진의 크기에 의.. |
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| 용접의 원리와 분류 및 응용사례와 특징
1. 용접의 원리
금속의 표면은 실제로 항상 얇은 산화막으로서 둘러 쌓여져 있어, 금속의 원자끼리의 인력에 의한 결합으로의 접근을 방해한다. 또한 금속의 표면은 평활 하게 보이나 초현미경적으로 확대해 보면 요철 이어서 그대로는 넓은 면적의 금속이 원자간의 인력으로 결합이 어렵게 된다.
그러므로 용접의 목적을 달성하기 위해서는 첫째로 산화막을 제거.. |
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| 생체적합성 고분자막
목 차
INTRODUCTION(서론)
EXPERIMENT(실험)
RESULT DISCUSSION(결과와 토의)
CONCLUSION(결론)
ACKNOWLEDGEMENT(감사의 말씀)
REFERENCES(참고문헌)
21세기 전세계인구는 무섭게 늘어나고 있으며 인구증가와 함께
사람들의 삶의 수명 또한 늘어가고 있다.
사람이 나이가 들면서 조직이 약해지고 병이 드는 데 이 문제를
근본적으로 해결하기 위해서는 동종이식을 받는 것이 가.. |
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| 실험 제목 : Strain Gage를 이용한 변형률 측정
1.목적
Strain Gage의 기본 이론을 알고 직접 Strain Gage를 설치 한 후 이를 이용하여 보에 가해지는 하중에 의해 발생되는 변형률을 구하고, 실험값과 이론값을 비교 및 분석 해본다. 측정한 실험값을 바탕으로 무게를 알 수 없는 미지의 추의 하중을 계산해 본다.
2. 이론
스트레인 게이지는 구조체의 변형되는 상태와 그 양을 측정하기 위하여 구조.. |
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| 산화공정
1. 실험목적
실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼 표면에 산화층을 열적으로 성장시키는 능력이다. 실리콘 기판 속으로 불순물을 확산시켜서 산화층을 열적으로 성장시키고 식각시키고 패턴화되는 산화막 마스킹 공정이 1950년부터 두드러지게 개발되었다. 이 개발은 트랜지스터를 대량으로 제작하기 위한 공정 개발에 있어서 기본적인 요소이다. 이러한 방법으로 산화공정은 실리콘 평면 기.. |
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| ․ 실험제목 : 정밀측정 실습보고서
․ 안전수칙
① 측정기나 시편을 떨어뜨리지 않도록 한다.
② 측정시 충격이나 진동 등을 주지 않도록 한다.
③ 측정실내에서는 항상 정숙을 유지한다.
④ 측정시 측정압이 일정하도록 노력한다.
⑤ 필요 이상의 무리한 힘을 가하지 않는다.
⑥ 측정하기 전에 측정시편은 항상 깨끗이 한다.
⑦ 심한 충격 및 진동은 금한다.
⑧ 측정범위를 벗어난 측정은 금한다.
⑨ 측정기는 습기 |
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| 핸드폰을 비롯한 표면 Decoration용
Aluminium 가공 |
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