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(검색결과 약 1,463개 중 7페이지)
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| 물리응용실험 - 정류다이오드, 제너 다이오드의 특성 실험
* 실험목적
p-n접합형 반도체 다이오드의 정 특성과 제너다이오드의 역 특성을 측정하고 다이오드의 정류작용의 원리를이해한다.
* 실험원리
게르마늄과 실리콘은 4족 원소로서 이들 원자는 이웃 4원자의 4개 전자를 공유하는 결정상태에 있다. 이들 전자는 결합력이 강해 순수한 게르마늄이나 실리콘의 결정은 아주 큰 저항을 가지고 있다. 이 .. |
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| 현대물리학 레포트
(반도체 레이저 다이오드에 대해)
1. 반도체 레이저(semiconductor laser)란
레이저 다이오드(laser diode :LD)와 같은 말이며, 반도체 내에서 전자의 광학천이에 의한 광자의 유도방출을 이용한 광파의 발진기 및 증폭기를 총칭하는 말이다. 다시 말하자면 반도체 레이저는 p-n 접합 다이오드를 사용하며, pn접합 다이오드에 순방향 바이어스(순방향 전류)를 인가하면 pn접합부의 전.. |
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| 본 컨텐츠는 시장조사, 수요예측 전문업체인 ㈜밸류애드에서 다이오드에 대한 시장동향 정보입니다.
작성일자를 반드시 확인하시고, 최근에 작성된 정보를 구매하시기 바랍니다.
본 컨텐츠에서는 세세분류 : 다이오드에 대한 간략 개요, 산업동향(2000년부터 2006년4분기까지) 등이 기술되어 있습니다.
통계 중심으로 작성되어 있으며, <밸류애드 산업동향(2005년도) [견본]>이 무료로 제공되오니 .. |
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| 1. 다이오드
(1) 다이오드의 구조와 동작
다이오드 : + 의 전기를 많이 가지고 있는 p형 물질과 - 의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있다. p는 인듐(In)이나 갈륨(Ga)과 같은 물질을 규소에 합성하여 + 성분(hole:정공)이 많게 만든 물질이고, n은 비소(As)나 안티몬(Sb)과 같은 물.. |
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| [일반물리학 실험] 전기 저항(옴의 법칙 및 다이오드 특성)
1. 실험 제목 : 전기 저항(옴의 법칙 및 다이오드 특성)
2. 실험 목적 : 저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 옴의 법칙을 확인하고 반도체 다이오드의 전기(정류)특성을 측정하여 정류특성을 확인한다. 또한 여러 개의 저항과 기전력원이 연결된 회로의 측정을 통해 Kirchhoff의 법칙을 실험적으로 확인한.. |
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| 1. 다이오드
(1) 다이오드의 구조와 동작
다이오드 : + 의 전기를 많이 가지고 있는 p형 물질과 - 의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있다. p는 인듐(In)이나 갈륨(Ga)과 같은 물질을 규소에 합성하여 + 성분(hole:정공)이 많게 만든 물질이고, n은 비소(As)나 안티몬(Sb)과 같은 물.. |
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| 다이오드 리미터
1. 실험목적
이번 실험의 목적은 신호전압에서 어떤 수준 이상 또는 이하가 되는 값을 제거할 때 사용되는 일종의 파형을 다듬는 회로인 다이오드 리미터의 동작을 살펴보는 것에 있다. 제거하는 수준은 다이오드의 장벽전위와 같을 수 있고 직류전원장치를 이용하여 다르게 할 수도 있다. 파형을 자르는 기능을 갖기 때문에 리미터는 클리퍼(clipper)라고 부르기도 한다.
2. 배선(회로)도.. |
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| 목적 및 배경
반파정류, 중간 탭 전파정류, 전파 브릿지 정류의 세 가지 정류회로의 특성을 설명. 이들은 각각 입력 교류 전압을 직류 출력전압 또는 평균값을 갖는 펄스의 파형으로 바꾸는 것이다. |
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| 다이오드, 트랜지스터, 유사반도체, 제조업, 연도별, 사업체수, 월평균종사자수, 연간급여액, 출하액, 생산액, 부가가치, 유형고정자산 연말잔액, 주요생산비, 그래프, 연간자료, 제조업시장동향, 시장, 동향, 년간, 년간동향, Manufacture of Diodes, Transistors and Simi
1991년부터 2000년까지 연도별 다이오드, 트랜지스터 및 유사반도체 제조업의 사업체수, 월평균종사자수, 연간급여액, 출하액, 생.. |
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다이오드, 트랜지스터, 유사반도체, 제조업, 연도별, 사업체수, 월평균종사자수, 연간급여액, 출하액, 생산액, 부가가치, 유형고정자산 연말잔액, 주요생산비, 그래프, 연간자료, 제조업시장동향, 시장, 동향, 년간, 년간동향, Manufacture of Diodes, Transistors and Simi |
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| 광전자기기
LED용어정리
용어 정리 목차
발광 다이오드
(가) 발광다이오드
(나) 발광다이오드 구조와 재료 및 조건
(다) 발광 다이오드의 종류
(라) 발광 다이오드의 특성
1.발광 다이오드 2.발광 다이오드 구조와 재료
1) 발광 다이오드
발광 다이오드 = 순방향으로 전압을 가했을 때 발광하는 반도체 소자이다. LED라고 불리운다.
2)발광 다이오드 구조와 재료
구조 = 실리콘인 게르마늄의 PN접합과 동.. |
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| 본 컨텐츠는 시장조사, 수요예측 전문업체인 ㈜밸류애드에서 다이오드,트랜지스터및유사반도체제조업에 대한 시장동향 정보입니다.
작성일자를 반드시 확인하시고, 최근에 작성된 정보를 구매하시기 바랍니다.
본 컨텐츠에서는 [세세분류] 다이오드,트랜지스터및유사반도체제조업에 대한 간략 개요, 산업동향(2003년부터 2005년까지), 산업 동향 분석 등이 기술되어 있습니다.
통계 중심으로 작성.. |
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| 전자회로 및 실험 - Diode Characteristics
1.실험 제목 : Diode Characteristics
2.실험 목적
① PN 접합 다이오드인 실리콘 다이오드의 순방향 전류 및 전압 특성을 조사한다
② PN 접합 다이오드인 실리콘 다이오드의 역방향 전류 및 전압 특성을 조사한다
③ PN 접합 다이오드의 순방향,역방향 저항을 측정한다
④ 제너 다이오드에 흐르는 전류에 대한 순방향,역방향 바이어스가 미치는 영향을 측정한다
⑤.. |
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| 1. 실험 목적
발광 다이오드 (LED)와 제너 다이오드의 사용법과 특성을 익힌다.
2. 실험 장비
DMM,저항(100Ω,220Ω,330Ω,2.2㏀,3.3㏀,1㏀)
다이오드(Slicon,LED,Zener(10V)),DC power supply
3. 실험방법 및 결과
1) LED 특성
a. 그림 7-1의 회로를 구성하라. 저항 R의 측정치를 기록하라.
R(meas) = 98.8Ω
b. first light 와 good brightness 에서의 VD와 VR의 값과 ID = VR/R를 사용하여 ID를 계산치.
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| DIODE 온도 변화에 따른 특성
1. 실험 목표
소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 측정한다.
DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다.
2. 실험 결과
2.1. Si DIODE
Si DIODE의 온도 변화에 따른 I-V 특성과 각 온도에 따른 n, IS, RS값을 구해보고 Spice 시뮬을 통해 결과값과 비교해보자.
2.1.1. Linear Forward.. |
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