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| 기초전기전자실험
다이오드 특성 실험 보고서
1. 관련이론
반도체 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류를 잘 통과시키지만 반대 방향으로는 거의 전류를 통과시키지 않는다. 이것은 순방향 저항은 낮은 반면에 역방향 저항은 매우 높기 때문이다. 모든 반도체 다이오드는 대체적으로 단방향적 특성을 가지고 있다.
순방향 전류
오른쪽 그림 11-1-(a)와 같이 전원을 pn접합 다이오드의 p형 쪽에 +극을 n형 .. |
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| 접합 다이오드의 특성
1. 실험 목적
(1) 순방향 및 역방향 바이어스(bias)전압이 접합 다이오드(Junction diode)의 전류에 미치는 효과를 측정한다.
(2) 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 실험적으로 결정하고 도시한다.
(3) 접합 다이오드를 저항계로 시험하는 법을 익힌다.
2. 실험 이론
1) pn접합 다이오드
p형 반도체와 n형 반도체가 금속적으로 접합된 것. 이 pn접합은 전기적으로 어느 한쪽 .. |
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| 1. 실험 목적
(1) 반도체 다이오드(diode)의 순방향 및 역방향의 전압 전류 특성을 이해한다.
(2) 실리콘과 게르마늄 다이오드의 문턱 전압을 측정한다.
2. 이론
(1) 다이오드
반도체 다이오드는 셀레늄(selenium : Se)을 주체로 한 것과 실리콘(silicon : Si), 게르마늄(germanium : Ge)을 주체로 한 것이 있으나 정류용으로는 Si이 주로 쓰인다.
[그림 19-1] 다이오드의 기본 구조
다이오드는 그림.. |
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| 1.실험제목
- 다이오드(Diode)
2.실험목표
- Si, Ge, zenor, 발광 다이오드의 특성을 실험을 통해 이해한다.
3.실험재료
- 디지털 멀티미터, 전원공급기, 오실로스코프, 함수발생기, Si, Ge, zenor, 발광 다이오드
4.실험과정 및 결과
1) 그림 4(a)의 회로를 결선하라.
V
그림4(a)
2) 다이오드 양단의 순방향 전압을 측정하라.
- 0.6895[V]
3) 회로에 흐르는 전류 를 측정하라.
- 9.42[mA]
4) 발광.. |
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| Diode 특성 곡선 및 LED 구동
⒈ 목적
다이오드의 극성에 대해 알아보고 특성곡선을 이해하고 이것에 대한 실험을 하여 알아본다.
2. 이론
반도체의 기본적인 요소. 단자의 한쪽 방향을 애노드(양극), 다른 한쪽 방향을 캐소드(음극)라고 부르며, 전류는 애노드에서 캐소드 방향으로만 흐른다. 이와 같은 성질은 정류 회로 등에 이용된다. 또, 애노드→캐소드로 전류가 흐르는 경우에도 조건이 있어 애노드·.. |
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| 반파 전파 정류 회로
실험 주제 : 반파 전파 정류 회로
실험 목적 : 다이오드를 이용해 만든 반파 및 전파 정류회로의 특성을 공부한다.
실험 이론
(1) 정류회로
교류를 직류로 하기 위한 회로. 한쪽 방향으로만 전류를 흘리는 정류기(다이오드)를 사용해서 구성한다. 단상반파 정류회로가 가장 간단하지만 몇 가지 결점이 있다. 이 때문에 특별히 소 전력의 경우를 제외하고, 일반적으로 단상브리.. |
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| 1
기초전기전자실험
실험명 : 제너다이오드의 특성
2007-09-11
2
실 험 목 표
Zener Diode의 정전압원에 가까운 전류-전압 특성을 이용한 정전압원 회로에서 정전압원의 동작 특성과 제너다이오드 전류-전압 특성 사이의 상관 관계를 이해한다.
제너 다이오드의 pspice 모델을 이해함으로써 제너 다이오드가 포함된 회로의 pspice simulation 능력을 배양한다.
2007-09-11
3
기 본 이 론
① 부하선(Lordli.. |
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| 1. 실험제목
가. 소비전력 및 최대전력전달 실험
2. 실험목적
가. 전원부로부터 부하로 최대전력이 전달될 조건을 이해하고 이를 관찰한다.
나. 저항에서의 소모전력을 실험하고 확인하여 본다.
3. 관련이론
가. 최대전력이란 부하의 사용시에 발생하는 전력의 최대값
전력 부하는 사람들의 생활이나 생산 활동, 기상 조건 등을 반영하여 시시각각으로 변화하고 있다. 1년 동안이나 혹은 하루동안 어.. |
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| 목 적
지너다이오드의 특성과 동작원리를 이해하고, 정류전원, 이완발진기, 영점조절전압계 등의 예를 통하여 그 응용에 대해 알아본다.
이 론
(1) 항복현상과 그 이용
앞 실험에서 다이오드에 역방향바이어스를 걸어주면 역포화전류만이 흐르다가, 바이어스가 어느 수준을 넘어서면 역방향전류가 급격히 증가하는 항복현상이 일어남으로 바이어스가 지나치지 않은 범위 안에서 다이오드를 사용해야 한.. |
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| ●실험제목
에미터 공통회로의 출력 특성곡선
●목적
∘에미터 공통회로의 컬렉터 특성(VCE-IC)을 실험 한다.
●실험재료
전원공급기, 전류계2대, 저항(100Ω, 470Ω), 트랜지스터(2N6004), 2.5kΩ 가변저항기
●관련이론
1. 평균 컬랙터 특성, 에미터 공통회로 구성
[그림 10.1 2N4047의 특성곡선(주위온도 25°C)] [그림 10.2 2N217 에미터 공통의 컬랙터 특성곡선]
그림 10.1은 2N4074, 그림 10.2는 PNP.. |
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| 전 자 회 로 실 험
다이오드 정류회로
이 실험의 목적은 세 가지 다른 형태의 다이오드 정류회로, 즉 반파정류기, 중간탭 변압기를 사용한 전파정류기, 브리지형 전파정류기의 특성을 관찰하는 것이다.
목적 및 배경
회로의 전력 공급을 위해 교류 전원으로부터 직류 전원을 얻는 방법이 널리 사용되고 있으며 이를 정류기라 한다.
이 론
p-n 접합의 명백한 성질은 그의 단일방향성(unilateral)이다. .. |
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| 본 자료는 공업전문대학교 전기공학, 전자공학과의 전력변환실습 과목 강의에 이용되는 자료로서 단상 다이오드 정류기(2)에 대해 상세하게 설명하였으며, 실습에 꼭 필요한 자료임.
1. 실험 목적
2. 관련 이론
가. 단상 브리지정류기
나. 2상 반파정류기(Two-phase half-wave rectifier)
3. 실험 요약
4. 실험 순서
가. 단상 브리지 정류기
나. 변압기 중성탭을 이용하여 두 개의 다이오드를 사.. |
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| DIODE 온도 변화에 따른 특성
1. 실험 목표
소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 측정한다.
DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다.
2. 실험 결과
2.1. Si DIODE
Si DIODE의 온도 변화에 따른 I-V 특성과 각 온도에 따른 n, IS, RS값을 구해보고 Spice 시뮬을 통해 결과값과 비교해보자.
2.1.1. Linear Forward.. |
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| 정류 회로
목 차
1. 실험목표
2. 배경이론
3. 실험 방법
4. 실험 결과
5. 고찰
다이오드 개수와 저항의 크기 그리고 축전기의 크기변화에 따른 전압의 변화.
다이오드와 축전기의 역할
실험 목표
4개의 다이오드를 사용한 회로는 브리지정류라고도 불리며 전파정류의 일종이다.
4개의 다이오드 이외 또 다른 전파정류
배경 이론
Sine 파 정류하기
(1) 다이오드에 1K옴 저항을 연결하여 실험
(2) 다이오드를.. |
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| 정류회로
목 차
1. 실험 목적
2. 배경 이론
3. 실험준비물
4. 실험방법
5. 결과 그래프
6. 결과 분석
7. 참고 문헌
실험 목적
1.다이오드의 기초적인 작용을 실험을 통해 알아본다.
2. 교류를 여과하고 정류하는 방법을 실험을
통해 알아본다.
배경 이론
다이오드는 한 방향으로 전류가 흘러가는 것을 허용하는 전기 장치이다.
정류회로에서 축전기는 정류된 전류를 원활하게 한다.
다이오드는 전력 .. |
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