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| 전자회로 실험
실험 BJT의 특성 및 DC Bias 회로
실험 11.1 바이어스에 따른 BJT Transistor(CA3046)의 aF와 bF, 그리고 동작영역을 그림 7 회로의 실험을 통해 알아본다. VCC=10V, RC=10㏀
(1) VBB 전압을 조절하여 VB전압을 0~0.8 V의 범위에서 증가시키면서 컬렉터 전압 VC,가지 전류 IB, IC, IE를 측정한다. VB와 VC결과로부터 동작영역을 구하고, IB*,IC*,IE*값으로부터 aF와 bF를 구하여 표 2에 기록.. |
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| 트랜지스터 특성 실험
10조
목차
트랜지스터의 구조
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터 특성과 파라미터
트랜지스터의 구조
바이폴라 접합 트랜지스터
BJT(Bipolar Junction Transistor)
에피택셜 플래너(epitaxial planar) 구조
두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 세 개의 반도체 영역으로 구성
이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터의 동.. |
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| ◈ 실험 제목 : 중첩의 원리
◈ 실험 목적 : 중첩의 원리를 실험적으로 확인한다.
◈ 실험 관련 이론
(1) 중첩의 원리
중첩의 원리는 고성능 음향계통, 전화, 방송 등 수많은 측정기기의 기본 원리가 되는 중요한 법칙이다.
중첩의 원리란 “다수의 전원을 포함하는 선형 회로망에 있어서 회로내의 임의의 점의 전류의 크기 또는 임의의 두 점간의 전압의 크기는 개개의 전원이 단독으로 존재할 때에 그 점.. |
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| Report
설계1 제안서
목차
1.실험 목표
2.관련 이론
3.브레인스토밍
4.브레인스토밍(결과)
5.사용재료
6.역할 분담
7.설계 일정
8.문제 및 해결방안
1.실험 목표
a)부품이해와 회로도 분석능력을 키우려 노력한다.
b)라디오를 설계함으로서 주파수의 원리에 대하여 숙지한다.
c)AM라디오를 제작하고 완성한다.
d)예상된 문제들을 해결해 본다.
e)조원들과의 협동심을 키운다.
2.관련 이론
1)AM전파.. |
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| 기초전기전자 실험 - 트랜지스터(고정 bias 회로설계)
1. 목 적
1)TR의 특성을 이해하고 특성중 전류증폭을 확인하라.
2)펑션 제너레이터를 이용하여 전류증폭작용을 DSO를 통해 확인하자.
2. 이 론
저번주 실험은 트랜지스터의 “스위치작용”였고
이번 실험은 “전류증폭”이다. 그래서 이론은 트랜지스터 이므로 동일하여
같이 사용하고 전류증폭에 관련된 것을 뒤에 더 추가하였다.
트렌지스터 (TR)
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| 목차
실험 목적
예비 지식
준비
기기 및 부품
실험 과정
PSPICE 실험 결과
고찰
결론 및 오차
실험 목적
활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.
BJT를 활성 모드에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱(biasing) 회로를 실험을 통해 이해한다.
예비 지식
트랜지스터는 세 개의 반도체영역, 즉 emitter영역, base영역,collector영역으로 구.. |
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| 1장 직류회로
직류 회로란
전류, 전압 개념
저항
직류회로 분석법
회로꾸미기
2
1.1 기본개념
직류회로(dc circuit)
시간에 따라 전류가 변하지 않는 회로
전류
전하(전자)의 운동
I = dQ/dt
1 A(Ampere) = 1 쿨롱/1 초
3
1.1 기본개념
전위(전압)차
전하 q를 한 점 A 에서 다른점 B로 이동시키는데 필요한 단위 전하당 에너지(일)
V = WAB/q
단위: 볼트(V)
전류는 전압이 높은 곳에서 낮은 곳으로 .. |
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| 1.과제명: PN접합
2.이론: PN Diode 순방향과 역방향의 특성
P형과 N형 반도체가 서로 맞닿아 있는 부분을 PN접합 이라하고, PN접합으로 이루어진 소자를 PN접합 diode라 한다.
3.실험
실험① 그림 3-3의 회로에서 저항 R1의 값을 10～1000의 범위로 변화시키면서
정 특성의 순방향 특성을 측정하시오.
저항이 1 일 때
저항이 10 일 때
저항이 100 일 때
저항이 500 일 때
저항이 1000 일 때
저항.. |
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| 전압 분배 회로
요약 - 전압 분배 실험을 통해 측정 하는 전압이 클 때는 스케일링해서 작은 전압을 측정하여 원래의 전압과 비교를해 보고, 저항값을 바꿔 보며 Loading effect(부하효과)가 실제적인 전압측정에 어떤 영향을 미치는지 알아본다.
Ⅰ 실험의 필요성 및 배경
A. 가변저항의 값을 바꾸면서 출력 전압을 측정하며 전압 분배 법칙에 대해 이해 한다.
B. 저항 값을 변경하며 전압을 측정하고 저.. |
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| MOSFET 증폭회로
1. 실험 목적
- MOS 전계 효과 트랜지스터의 소신호 동작과 등가회로를 이해하고, 공통 소스 증폭기와 공통 드레인 증폭기를 구성하여 증폭현상을 관측하며, 증폭기의 중요한 특성을 측정한다. 그리고 동작점의 이동으로 인한 출력 신호 파형의 변화를 실험으로 관찰한다.
2. 실험 해설
A. 소신호 동작과 모델
- 활성 영역에서 동작하도록 바이어스된 MOS 트랜지스터는 신호를 증폭할 .. |
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| 대학 전자회로 실험 결과 리포트
접합다이오드
실험일시 :
실험시간 :
담당교수 :
실험부품 : 직류전원장치, 멀티미터, 다이오드(1N4001), 저항(250, 4.7k, 10M)
실험이론
1.다이오드의 원리
접합 다이오드는 한방향으로만 전류를 흐르게 하는 반도체 소자이다.
종류에는 P형과 N형 실리콘을 서로 결합한 접합 다이오드이다.
용도는 정류기, 통신용 수신기 회로의 검파기등으로 사용된다.
2.다이오드의 .. |
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| 목 차
1. 설계 주제
2. 설계 목적
3. 설계 내용
4. 차동 증폭기란
5. 이론을 사용한 설계
(1) 설계회로
(2) 설계수식
1) 수식
2) 수식
3) 공통모드 이득계산
4) 차동모드 이득계산
5) CMRR 수식
6) MOSFET 트랜지스터 포화상태 확인
6. P-spice를 활용한 설계 시뮬레이션
(1) Trans (공통모드 / 차동모드) 해석
(2) AC sweep (공통모드 / 차동모드) 해석
(3) 이론값들과 시뮬레이션 값 오.. |
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| 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성
실험 목적 : 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 측정한다.
*실제 실험은 si 다이오드만 이용하여 측정하였다.
실험 순서
1.다이오드 검사
다이오드 검사 단자
그림과 같이 다이오드 양쪽에 멀티미터를 연결하여 전위를 측정한다.
다이오드가 정상이라면 순방향 연결시 약간의 전압강하가 일어난다.
역방향 연결시는 개방회로를 .. |
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3. 전자 접촉기 제어
학습의 주안점
전자 접촉기의 동작 원리와 기능을 설명할 수 있다.
전자 개폐기의 동작과 기능을 말할 수 있다.
주회로와 보조 회로를 이해하고, 설비할 수 있다.
1. 전자 접촉기
① 전자 접촉기의 구조와 기능
㉮ 전자 접촉기(Electromagnetic Contactor : MC)는큰 접점 용량과 내압을 가진 전자 계전 기의 일종으로 전자석에 의한 흡인력을 이용하여 주접점을 열고, 닫음으로.. |
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| 다이오드 특성 및 정류 회로
1.목적
(1) 접합 다이오드의 전류에 대한 바이어스 효과를 측정한다.
(2) 전류-전압 특성을 실험적으로 결정하고 그린다.
(3) 저항계로 접합 다이오드를 측정한다.
(4) 정류기의 출력 파형을 관찰하고 측정한다.
2.이론
-그림1-
접합 다이오드 전류-전압 특성
PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성은 그림1에 보인 것같이 단방향 전류 특성이다. 다이오드에서는 단지 한 방향.. |
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