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| 1. 실험목적
실험을 통해 HALL IC의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할 수 있다.
2. 실험이론
1) Hall IC
Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.
현재 많은 온도 센서, 압력 센서, 광센서 등의 제품이 IC화되었지만 그 .. |
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| June, 1950, 'Jin-Tae' whobringsthebaconhadbeenworkinghardandalways energetic, activeandpos itvethinkingabouth is fiancee'You ng-sin'and' Jin-Suk 'whohelovesthemostintheworld.
Theoth erdayonJune, thes itu ationofthecou ntrybecamechaoticwithexplos ion, si rensands creamswhenthew arhappened.So'Jin-Tae' and'You ng-Sin' decidedtoevacuatetowards Southandbecomeapartofrefugees.Theyar.. |
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jin, tae, suk, so, and, sin, ng, you, whowas, is, ere |
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| 다이오드 실험 1
1. 그림자료
① 다이오드(0.620 , 2.002)
1) x축은 전압, y축은 전류이며 기울기는 즉 1/저항 이다.
2) 2.002 mA 일때 0.620V이다.
② 적색 (1.729 , 2.002)
1) x축은 전압, y축은 전류이며 기울기는 즉 1/저항 이다.
2) 2.002 mA 일때 1.729V이다.
③ 노란색(1.875 , 2.002)
1) x축은 전압, y축은 전류이며 기울기는 즉 1/저항 이다.
2) 2.002 mA 일때 1.875V이다.
④ 녹색(1.904 , .. |
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| 1. 실험목적
실험을 통해 HALL IC의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할 수 있다.
2. 실험이론
1) Hall IC
Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.
현재 많은 온도 센서, 압력 센서, 광센서 등의 제품이 IC화되었지만 그 .. |
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| JIN-SUK KO
Ma-210, #4 Jangmi Apts., 123-45, Haengshin-dong, Goshin-gu, Goyang-si, Gyeonggi
031-123-4567/ 010-1234-5678
QUALIFICATION SUMMARY
- Works effectively with diverse groups of people
- Long experience in sales field of stated businesses
▒ WORK EXPERIENCE---
PROFESSIONAL EMPLOYMENT/ KEY PROJECT & ACCOMPLISHMENTS
Hae Sung Aida November 2002-Present
Ov.. |
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| InGimje-si, Jeollabuk-do, backin1935, ChoiBae-Dal, whowasasonoftheleaderoftown, startedlearningTaekkyonfromhisservantBum-Sooanddream ingofbecomingastrongfighter.Bytheway, Bum-Soogotinvolvedinanindependence movementandBae-Dalwhohadlosthismastersm uggledhims elfintoJapantobeapilot. However, allthatwaswaitingforhim attheaviations choolwasdis crim ination.
Beingdis criminatedfort.. |
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| 충격시험
▶ 실험 목적
- 충격시험에 대한 이해 및 실험 방법을 익히고, 재료의 충격에 대한 저항(인성 및 취성의 정도)을 측정해 본다. 실험 결과를 토대로 Charpy 충격치, 취성 및 연성 파면율, 횡 팽창 등의 특성도 직접 구해보고 알아본다.
▶ 실험 재료 및 준비물
- S45C(V노치 4호), 샤르피 충격시험기
Sharpy 충격시험기
Izod 충격시험기
※ 시편의 성분 구성
규격명
C
Si
Mn
PS
S20C
0.18~0.2.. |
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| DIODE 온도 변화에 따른 특성
1. 실험 목표
소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 측정한다.
DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 PSPICE 결과를 비교한다.
2. 실험 결과
2.1. Si DIODE
Si DIODE의 온도 변화에 따른 I-V 특성과 각 온도에 따른 n, IS, RS값을 구해보고 Spice 시뮬을 통해 결과값과 비교해보자.
2.1.1. Linear Forward.. |
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| 탄소강의 열처리
1.소개
일반적으로 탄소강이랑 철과 탄소의 합금 중 열처리에 의해서 성질과 조직을 개선 보강 할수 있는 것으로 0.026~2.11%의 탄소를 함유한 강을 말한다. 이번실험에서는 두가지의 탄소강, Sm20c와 Sm4c를 가지고 실험을 하게 되는데 이 두 탄소강의 화학성분은
SM20C
SM45C
c: 0.18~0.23
si: 0.15~0.35
Mn: 0.30~0.60
p: ≤ 0.030
s: ≤ 0.035
c: 0.42~0.48
si: 0.15~0.35
Mn: .. |
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| 실험: Dry etching
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Photolithography 공정을 실시한 후 Si기판을
플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 Dry etching 을 실시하며 FE-SEM을 이용하여
SiO2 inspection을 측정한다. 이번 실험에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을
3min, 5min, 7min으로 변화를 주어 에칭 시간을 조정함에 따라 제품의 SiO2 inspection이
어떤 영향을 받는지 확인하고.. |
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| 실험 1 : Cleaning Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
Wafer
Oxidation temperature
Oxidation time
Si (100)
p-type, 1~10 cm
1000℃
2 hours
4 hours
6 hours
나.. |
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| [별지 제1호 서식]
처리기한
소프트웨어사업자 신고서 (□S/W전업 □ 기타겸업)
7일이내
신고분야
□ 컴퓨터관련(SI포함) 서비스사업 □ 패키지 S/W 개발․공급사업
□ 디지털컨텐츠 개발․공급사업 □D/B 제작․공급사업
회사명
(http://)
사업자등록번호
법인등록번호
-
대표자
설립년월
년월
본사소재지
전화번호
()-
FAX번호
()-
기업형태
□ 개인 □ 법인
□ 상장 □ 코스닥등록 □ 비상장(비등록)
종업.. |
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| Principles of Marketing TEAM PROJECT
TOUS les JOURS
AUTHENTIC BAKERY
TOUS les JOURS
뚜레쥬르 연혁
기업 미션/비전
뚜레쥬르
기업 현황
TOUS les JOURS
AUTHENTIC BAKERY
1996.04 cj 주식회사 내 project 팀 발족
1996.09 뚜레쥬르 브랜드네임 확정 프랑스어로 매일매일
1996.11 테스트샵 오픈( 분당, 상계 ) 앙브레뜨라는 브랜드 네임으로 제품 테스트 및 프랜차이즈 시스템 운영
1997.04 bi 도.. |
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| 1. 알루미늄과 그 합금의 용접
■ 개 요
알루미늄과 그 합금은 내식성도 좋고 강도도 있으며, 비중이 2.7 로 연강이 약1/3의 경합금이므로 공업용이나 가정용품으로서도 널리 사용되고 있다.
■ 종 류
알루미늄과 그 합금은 전신재와 주조재로 대별된다. 알루미늄 클래드 재 KS합판은 판의 표면에 순알루미늄의 박판을 압연으로 붙여서 내식성을 향상시킨 합판이다.
KS규격에는 알루미늄 합금주물, 동 다.. |
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| Hazard of TFT-LCDManufacturing Process
2004. 4. 26
한 승 용
Contents
TFT-LCD(Thin Film Transistor LCD)
LC(Liquid Crystal)
Manufacturing Process
TFT Process
Cell Process
Module Process
Hazards
MSDS NFPA 704 M Code
TFT-LCD
구성
TFT가 형성되어 있는 아래 유리기판
Color Filter가 형성되어 있는 윗 유리기판
TFT 와 Color Filter 사이에 주입된 액정(LC)으로 구성
원리
TFT는 전기적 신호.. |
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