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| FET특성 및 증폭기
1. 관련 이론
전기장 효과 트랜지스터(FET: field effect transistor)
: 단극(單極)트랜지스터 또는 FET라고도 한다. 원리는 반도체의 소스(source)에서 집전극(集電極)의 드레인(drain)에 흐르는 전자류(電子流)를 게이트(gate)에 가한 전압에 의한 전기장으로 제어하는 것이다. 즉, 채널의 저항을 변화시켜 다수 캐리어의 흐름을 제어하는 것이다.
실효단면적을 변화시키는 것과(.. |
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| 트랜지스터 특성 실험
10조
목차
트랜지스터의 구조
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터 특성과 파라미터
트랜지스터의 구조
바이폴라 접합 트랜지스터
BJT(Bipolar Junction Transistor)
에피택셜 플래너(epitaxial planar) 구조
두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 세 개의 반도체 영역으로 구성
이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터의 동.. |
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| Hwang s Law
1. 황의 법칙
‘황의 법칙’이란 반도체 메모리의 용량이 1년마다 2배씩 증가한다는 이론으로 삼성전자의 황창규 사장이 메모리 신성장론 을 발표하여 그의 성을 따서 황의 법칙 이라고 한다. 1960년대에 반도체 시대가 시작되면서 인텔의 공동설립자인 고든 무어(Gordon Moore)는 마이크로칩에 저장할 수 있는 데이터 용량 (직접회로에 들어가는 최소 component인 Transistor) 이 18개월마다 .. |
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| 기초전기전자 실험 - 트랜지스터(고정 bias 회로설계)
1. 목 적
1)TR의 특성을 이해하고 특성중 전류증폭을 확인하라.
2)펑션 제너레이터를 이용하여 전류증폭작용을 DSO를 통해 확인하자.
2. 이 론
저번주 실험은 트랜지스터의 “스위치작용”였고
이번 실험은 “전류증폭”이다. 그래서 이론은 트랜지스터 이므로 동일하여
같이 사용하고 전류증폭에 관련된 것을 뒤에 더 추가하였다.
트렌지스터 (TR)
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| 전략 경영론
삼성전자 반도체 사업의 환경분석
0.Contents
서 론
본 론
결 론
01.서 론
1. 반도체 정의
2. 반도체 종류
3. 반도체 역사
서 론
정 의
메모리 반도체 : 두뇌의 기억능력
비 메모리 반도체 : 두뇌의 사고능력
반도체란
자연상태에서는 전기가 거의 통하지 않으나 인위적으로 빛이나 열, 또는 불순물을 가해 주면 전기가 쉽게 통하는 특성을 가진 물질
반도체 정의
반도체 종류
반도체 역사
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| 디스플레이 부품 및 소재
1. 서론
최첨단 컴퓨팅 환경이 언제, 어디에나 우리 곁에 있는 유비쿼터스 시대를 맞이하여 여타의 전자 기기는 점차 소형화되고 있지만, 디스플레이만은 더 큰 것이 요구되고 있다.
세계 각국이 아날로그 TV 방송 중단을 연이어 예고하고 있어, 디스플레이의 수요가 확대될 것으로 예상된다.
디스플레이 부품 및 소재 분야에 대한 개요 및기술개발 동향을 분석하고, 이에 따른 .. |
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