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| 국내 다이오드, 트랜지스터 및 반도체 부품 시장통계(2008년까지) 자료 입니다.(사업체수, 생산액, 출하액 포함)
* 시장통계 목차 *
1. 산업 동향
가. 조사범위
나. 제조업 동향(2008년만)
다. 상위 산업통계(2006년부터 2008년까지)
2. 시장 동향
가. 연간 시장통계(2008년까지)
- 사업체수, 생산액(백만원), 출하액(백만원)
나. 지역별 현황 분석
본 제공 자료는 국내 2008년까지 다이오.. |
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| 기초전기전자 실험 - 트랜지스터(고정 bias 회로설계)
1. 목 적
1)TR의 특성을 이해하고 특성중 전류증폭을 확인하라.
2)펑션 제너레이터를 이용하여 전류증폭작용을 DSO를 통해 확인하자.
2. 이 론
저번주 실험은 트랜지스터의 “스위치작용”였고
이번 실험은 “전류증폭”이다. 그래서 이론은 트랜지스터 이므로 동일하여
같이 사용하고 전류증폭에 관련된 것을 뒤에 더 추가하였다.
트렌지스터 (TR)
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| BJT IC 및 동작특성 기술
◎ RTL (Resistor Transistor Logic)
◆ 기판 위에 저항을 부착시키고 거기에 트랜지스터를 설치해 모듈화시킨 IC
◆ 디지탈 IC로서는 최초
◆ 현재는 거의 사용치 않음
▷ 3- Input NOR 동작원리
입력 A,B,C 단자는 출력에 대하여 각각 병렬로 연결되어 있으므로 OR게이트로 동작한다. 트랜지스터의 출력 Y는 저항에 의하여 전압강하가 발생하여 NOT게이트의 기능을 가지므로 결.. |
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| 목차
실험 목적
예비 지식
준비
기기 및 부품
실험 과정
PSPICE 실험 결과
고찰
결론 및 오차
실험 목적
활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.
BJT를 활성 모드에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱(biasing) 회로를 실험을 통해 이해한다.
예비 지식
트랜지스터는 세 개의 반도체영역, 즉 emitter영역, base영역,collector영역으로 구.. |
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| 공통 소스 트랜지스터 증폭기
실험 순서
1. Idss와 Vp측정
a. Vdd=+20V, Rg=1MΩ, Rd=510Ω, Rs=0Ω으로 설정하고 그림 20-1의 회로를 구성하라. Vd의 값을 측정하고 기록하라.
Vd(측정값)=18.95V
드레인 전류 Id의 값을 계산하라.
Id(계산값)=2.06mA
이값은 Vgs=0V일 EO의 드레인 전류이므로 Idss와 같다.
Idss=Id=2.2
d. 이제 Rs=1KΩ를 연결하라. 다음 값을 측정하고 기록하라.
Vgs(측정값)=-0.63
V.. |
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| 실험 5 FET
요약 - FET가 각 조건에 따라 어떻게 동작하는지 바이어스, 동작점, 증폭 작용, 스위치 작용 사이의 상관관계를 인식한다. 아울러 동작점이 회로 및 소자와 어떻게 연관되어 있는지 이해한다.
Ⅰ. 실험의 필요성 및 배경
FET의 실험을 통하여 동작에 대한 특징을 이해함으로써 FET를 이용한 증폭회로, 스위치회로를 해석하고 구현할 수 있다. 또한 BJT와의 차이를 확인함으로써 FET의 장점과 .. |
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| 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor(FET))
1)접합형 FET (Junction FET(JFET))
그림13-1. n-channel JFET
그림은 접합형 FET를 보인다.
위의 그림에서 전하 운반자는 n-type 즉, 전자(electron)이 되고, 전하운반자는 n-type 반도체를 통해 흐르므로 n-channel이라 한다. 또다른 형태의 JFET는 p-channel이 있을 수 있다.
위의 그림에서 검은 부분은 금속전극(electrode)이며 JFET에서 각.. |
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| 전기전자회로실험
제안서
Contents
1. transistor
2. Brain Storming
3. Circuit Diagram, Description
4. Motivation
5. Function Summary
6. Problem Solution
7. Weekly Plans
8. Individual Role
1. transistor
트랜지스터의 역사
1.1948년 미국의 벨 전화연구소에서 탄생
1948년에 트랜지스터가 발명되었으며 당시 전자 공업계에 상당한 충격을 주었습니다. 그로부터 전자 산업은 빠르.. |
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| 오픈 콜렉터와 오픈 드레인 회로
디지털 소자를 사용하다 보면 간혹 TTL에서 개방 콜렉터(open collector)나 CMOS에서
개방드레인(open drain)형이라는 말을 듣게 된다. 이는 도대체 무엇인가
이를 이해하기 위해서는 먼저 앞의 [기술 노트 1]에서 설명한 TTL 및 CMOS의 기본 원리나
[기술 노트 2]에서 설명한 토템폴(totem-pole) 방식의 TTL 회로를 알아야 한다.
일반적인 TTL 소자는 출력간의 회로가 .. |
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| BJT의 특성과 바이어스회로
1. 실험 목적
- 바이폴라 접합 트랜지스터의 직류 특성을 직류 등가 회로와 소신호 등가회로의 모델 파라미터들을 구한다. 그리고 바이어스 원리와 안정화를 학습하고, 전압 분할기 바이어스 회로에서 동작점의 변화에 대한 출력 파형의 변화를 실험으로 관측한다.
2. 실험 해설
- 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT:bipolar junction transistor)는 개별회로나 집접회로의 설계에.. |
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달링턴 ( 16Pages ) |
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| 달링턴(Darlington) 쌍
목차
실험 제목, 동기 및 목적
달링턴쌍 이론
실험준비물 및 실험절차
실험결과 및 Simulation 결과
달링턴(Darlington)쌍을 이용한 달링턴 증폭회로 실험
실험 동기
실험 목적
달링턴쌍이란
두 개의 트랜지스터를 접속하여 하나의 트랜지스터로 동작 시키는 결합
달링턴 결합
실험준비물 및 실험절차
실험회로
회로 구성
실험준비물 및 실험절차
트랜지스터
Q2N3904 (x2)
저항 1.. |
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| 오픈 콜렉터와 오픈 드레인 회로
디지털 소자를 사용하다 보면 간혹 TTL에서 개방 콜렉터(open collector)나 CMOS에서
개방드레인(open drain)형이라는 말을 듣게 된다. 이는 도대체 무엇인가
이를 이해하기 위해서는 먼저 앞의 [기술 노트 1]에서 설명한 TTL 및 CMOS의 기본 원리나
[기술 노트 2]에서 설명한 토템폴(totem-pole) 방식의 TTL 회로를 알아야 한다.
일반적인 TTL 소자는 출력간의 회로가 .. |
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| ⑴제1세대 컴퓨터(first generation; 1951∼1959 : 진공관시대)
⑵제2세대 컴퓨터(second generation; 1959∼1963 : 트랜지스터 시대)
⑶제3세대 컴퓨터(third generation; 1964∼1971 : 집적회로시대)
⑵제4세대 컴퓨터(forrth generation ; 1971∼)
⑸제5세대 컴퓨터(fifth generation ;∼) |
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| ●실험제목
에미터 공통회로의 출력 특성곡선
●목적
∘에미터 공통회로의 컬렉터 특성(VCE-IC)을 실험 한다.
●실험재료
전원공급기, 전류계2대, 저항(100Ω, 470Ω), 트랜지스터(2N6004), 2.5kΩ 가변저항기
●관련이론
1. 평균 컬랙터 특성, 에미터 공통회로 구성
[그림 10.1 2N4047의 특성곡선(주위온도 25°C)] [그림 10.2 2N217 에미터 공통의 컬랙터 특성곡선]
그림 10.1은 2N4074, 그림 10.2는 PNP.. |
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| 전자회로실험 - 푸쉬풀 증폭기
●목 적
1. B급 동작을 정의하고
2. 푸쉬풀 전력증폭기의 원리를 이해하며
3. 이 증폭기의 주파수 특성을 조사한다.
●기기 및 부품
1. 직류가변전원 : 0-30V
2. 오실로스코프
3. 저주파신호발생기
4. 저항: 10Ω 1/2W, 2.2kΩ 1/2W*2, 8.2kΩ, 18kΩ 1/2W, 27kΩ 1/2W
5. 가변저항: 5kΩ
6. 커패시터: 0.0uF/50V
7. 트랜지스터: TIP41C(NPN), TIP32C(PNP)
●관련 이론
증.. |
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