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(검색결과 약 122,344개 중 21페이지)
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| 전기전자공학 및 실습 - 테브닌 정리
1. 실험목적
(1) 단일 전압원을 갖는 직류회로의 테브닌 등가전압()과 등가저항 ()을 결정한다.
(2) 직-병렬회로의 해석에 있어서 와 의 값을 실험적으로 입 증한다.
2. 이론적 배경
테브닌 정리는 복잡한 선형회로의 해석에 매우 유용한 수학적 방법이며, 회로내의 임의의 부분에서 전압과 전류를 결정하는데 이용될 수 있다. 테 브닌 정리의 기본개념은 복잡한 .. |
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| 현대물리실험
Hall Effect
1. 실험 소개
전도성 측정으로는 반도체가 한 종류의 운반자인지 여러 종류의 운반자인지 판단할 수 없고, 둘을 구별할 수 없다. 그러나 유동성을 결정하는 데 기본적인 도구가 되는 Hall Effect 측정을 통해 이러한 정보를 얻을 수 있다. 이 효과는 1879년에 E. H. Hall에 의해 발견되었다.
2. 실험 결과 및 분석
1)실험 데이터와 그래프
먼저, 자기장을 발생시키는 기계.. |
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| 전자회로 - 바이폴라 트랜지스터의 원리
1. 실험주제
바이폴라 트랜지스터의 원리
2. 실험 목표
npn 바이폴라 트랜지스터의 특성 이해
3. 부품과 실험장치
① 트랜지스터 : 2N2222 npn 또는 2N3904 npn 2개
② 저항 : 100(1), 1㏀(1), 10㏀(4), 100㏀(1), 10㏀가변저항(1)
③ DVM
④ 전원장치
⑤ 2 채널 오실로스코프
⑥ 파형 발생기
⑦ 저항에서의 전압강하를 측정하여 간접적으로 전류를 구할 예정이므로, 정.. |
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| ◉ 실험 날짜:
날 씨 : 맑음
온 도 : 27°
습 도 : 43%
1. 실험 목적
- MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다.
C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다.
2. 관련 지식
관련 parameters : Tox NA, ND, VFB, VT, Qf(Nf), Qm(Nm), Qit(Nit)
MOS capacitor
C-V 장치
Metal-oxide-P type Silicon
MOS Caoacitor는 전계를 이용한 소자중 하나이며, 그래서 일반적으로 MOSFET(Metal-Oxid e-Semiconduc.. |
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| 1. 목적 및 동기
각종 소자를 이용하여 디지털 시계를 만들며 이번 학기동안 배워왔던 소자들의 특성과 디지털 시스템 관련 이론을 적용시켜보고 회로구성의 용이성과 범용성 등의 장점과 외부환경에 따라 민감하게 작동하는 전자기기에 대해서 경험해 볼 수 있다.
2. 수행내용
1) 클럭 발생
- NE555와 2.2uF, 470kΩ, 270kΩ을 이용하여 1Hz의 클럭 발생
2) 초 기능
- 7490의 출력을 받아 Counting.
- 6.. |
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| 물리 실험 보고서
전하와 전하사이
(쿨롱의 법칙)
1. Introduction
전기 현상의 요인을 전하라고 부르며 전하는 질량과 같이 입자가 갖는 한 속성이다. 또한, 전기 현상이란 전하와 전하 사이에 영향(힘)을 미치는 것을 가리킨다. 전기힘과 전하 q1, q2 사이의 정량적인 관계 F ∝ q1q2/r2 를 쿨롱의 법칙이라고 부르며, 전기힘도 중력과 마찬가지로 전하 사이의 거리 r 의 거꿀(역)제곱에 비례하는 것.. |
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| 전치증폭기
Inverting (반전)
Non-Inverting (비반전)
Differential Amplifier (차동증폭기)
Preamplifier (전치증폭기)
○ Inverting Non-Inverting
반전증폭기(Inverting)와 비반전증폭기(Non-Inverting)가 연산증폭기의 기본회로이다. 비반전증폭기는 입력전압과 출력전압의 위상차이가 영이고, 반전증폭기에서는 입력전압과 출력전압의 위상차이는 역상인 180°이다.
※ 가상 접지 (virtual groun.. |
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| 전치증폭기
Inverting (반전)
Non-Inverting (비반전)
Differential Amplifier (차동증폭기)
Preamplifier (전치증폭기)
○ Inverting Non-Inverting
반전증폭기(Inverting)와 비반전증폭기(Non-Inverting)가 연산증폭기의 기본회로이다. 비반전증폭기는 입력전압과 출력전압의 위상차이가 영이고, 반전증폭기에서는 입력전압과 출력전압의 위상차이는 역상인 180°이다.
※ 가상 접지 (virtual groun.. |
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| 1.실험 제목
플립플롭
2.실험 목적
순서논리회로의 기반이 되는 플립플롭을 RS, D, T, JK , 주종플립플롭 등을 대상으로 하여 동작 원리를 살펴보고 전반적인 이해를 도모하도록 한다.
3.관련 이론
(1)RS 플립플롭
동기식 RS 플립플롭은 S단자와 R단자에 입력을 가하되 인가되는 클록 CK에 의해 회로의 동작 여부가 결정되는 트리거형 플립플롭이다. 플립플롭은 상승에지 플립플롭과 하강 에지 플립플.. |
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| 1. 실험목적
실험을 통해 HALL IC의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할 수 있다.
2. 실험이론
1) Hall IC
Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.
현재 많은 온도 센서, 압력 센서, 광센서 등의 제품이 IC화되었지만 그 .. |
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| 1. 실험목적
실험을 통해 HALL IC의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할 수 있다.
2. 실험이론
1) Hall IC
Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.
현재 많은 온도 센서, 압력 센서, 광센서 등의 제품이 IC화되었지만 그 .. |
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| OP-AMP를 이용한 복합 증폭 예비 보고서
1. 실험목적
▣ 본 실험에서는 보다 다양한 기능의 OP-AMP 증폭에 대해 공부한다.
2. 실험이론
1)가산 증폭기
여러 개의 입력저항을 동시에 OP-Amp의 반전입력(-)단자에 연결한 회로를 가산기 회로라고 한다.
이 회로의 출력전압은 여러 개의 입력전압이 합해져서 다음과 같은 식이 된다.
위의 식은 전체 응답은 부분응답의 합과 같다는 중첩의 원리를 나타내는 .. |
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| 공통 베이스 및 에미터 플로워 트랜지스터 증폭기
1. 실험 목적
○ 공통 베이스와 이미터 플로우(공통콜렉터) 트랜지스터 증폭기에 있어서 전압증폭(), 입력 임피던스(), 출력 임피던스()를 측정한다.
2. 이론
○ 공통 베이스(CB) 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 동작에 사용되며, 입력 임피던스가 낮으며, 출력임피던스는 높으면서 큰 전압이득을 제공한다. 이 공통 베이스 증폭회로의 교류 전압이득과 .. |
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| 1. 실험목적
- power supply, bread board, multimeter 의 작동 원리를 알 수 있다.
- 전압, 전류를 직접 측정한다.
2. 실험과제
실험. bread board에 회로를 꾸미고 전류, 전압을 측정한다.
3. 실험준비물
- power supply, bread board, multimeter, 저항(10kΩ)1개, 저항(20kΩ)2개, 전선
4. 이론
◎ 옴의 법칙
회로의 저항Ｒ에 흐르는 전류Ｉ는 저항의 양끝에 가해진 전압Ｅ에 비례하고 저항Ｒ에 반비.. |
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| 실험목적
1. 직렬 연결된 저항기에 걸리는 전압강하의 합과 인가전압 사이의 관계를 구한다.
2. 목적 1에서 구해진 관계를 실험적으로 확인한다.
이론적 배경
키르히호프의 전압법칙은 복잡한 전기회로의 해석이 이용된다. 회로에서 직렬 저항기 R₁, R₂, R₃, R₄는 그것의 등가저항 또는 총 저항 RT로 대체될 수 있으며 RT는 총 전류 IT에 영향을 받지 않는다. IT, RT와 전압원 V 사이의 관계는 옴의 법칙.. |
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