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(검색결과 약 17,467개 중 20페이지)
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| 1. 실험제목 : 테브닌 등가회로
2. 실험목표
테브닌 등가회로를 해석해 보고 그 결과를 실습을 통해 확인한다.
3. 실험이론
-두개의 단자를 지닌 전압원, 전류원, 저항의 어떠한 조합이라도 하나의 전압원[V]와 하나의 직렬저항[R]로 등가화하는 테브닌의 정리
전압원,전류원,2개 이상의 저항이 있는 복잡한 회로를 하나의 전압원과 하나의 저항으로 간단하게 표현하였다. 이를 테브닌의 정리라 한다.
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| 트랜지스터 특성 실험
10조
목차
트랜지스터의 구조
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터 특성과 파라미터
트랜지스터의 구조
바이폴라 접합 트랜지스터
BJT(Bipolar Junction Transistor)
에피택셜 플래너(epitaxial planar) 구조
두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 세 개의 반도체 영역으로 구성
이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터의 동.. |
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| 전파브리지 정류회로 실험
1. 실험 목적
1) 반파 및 전파 평활회로의 동작을 이해한다.
2) 전파평활회로가 반파평활회로보다 평균전압이 더 크고 리플은 더 적어 효율이 우수함을 확인한다.
3) 정전용량이 큰 콘덴서로 평활할 때 평균전압이 더 크고, 리플이 더 적게 됨을 확인한다.
2. 실험 기기 및 부품
1) 파형발생기 : 정현파, 전압 10[10], 주파수60[]
2) 오실로스코프 : 2채널
3) 디지털 멀티미터 :.. |
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| 1. 실험의 목적
재료의 표면을 현미경으로 관찰하면 석출상이나 결정립의 크기 및 형상 등을 판단할 수 있다. 광학 현미경이 배율 X 2,000 이하의 이미지를 얻을 수 있는데 비해 일반적으로 사용되는 주사전자현미경(Scanning Electron Microscopy)은 배율 X 100,000 이하의 고배율 이미지를 얻을 수 있고, FE-SEM(Field Emission Scanning Electron Microscopy)는 최고 X 500,000의 배율로도 재료를 관찰 .. |
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| 전자회로실험 - 부귀환과 기본적인 연산 증폭기 회로
[예비]
1. 실험 목적
- 폐루프 전압 이득 측정하고, 이득-대역폭 곱을 계산, 이득과 대역폭간의 절충점을 알아본다.
- 전압-전류 변환기와 전류-전압 변환기에 대해 분석하고, 전류 증폭기를 시험한다.
2. 기초 이론
- 증폭기의 전압 이득이 증가되었다고 가정했을 때 출력 전압도 상승한다. 이러한 출력 전압의 상승분은 더 큰 부전압이 입력으로 귀환.. |
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| 실험목표
화학 실험의 기본 중의 하나인 물질의 질량이 반응 전과 반응 후 질량의 값이 같은가 을 알아보는 실험이고 화학반응은 원자들이 재배열할 뿐이지 원자들을 창조시키거나 소멸시키지는 않는다는 것이다. 따라서 반응계 물질의 총량을 측정하여 질량보존의 법칙을 실험적으로 밝힌다.
실험 준비물
삼각 플라스크, 유리병, 양초, 시험관, 비커, 전자저울,
BaCl2, Na2SO4
실험 방법
1. 침전 생성.. |
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| 목차
-예비-
1. 실험 목적
2. 실험 원리
3. 실험 방법
실험 A. K3[Fe(C2O4)3]․3H2O의 합성
실험 B. K3[Fe(C2O4)3]․3H2O의 광반응
실험 C. 청사진 만들기
4. 실험 결과처리
5.실험 시 주의사항
6.실험 기구와 시약
-결과-
1. 실험결과
★결론 및 고찰
참고문헌
실험.옥살레이트-철 착화합물의 합성과 광화학 반응
1.실험목적
철 착화합물을 합성하고 이의 광화학 반응을 이용해서 청사진을 만든다.
2.실.. |
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| Logic 연산과 Gates
1. Diode logic 연산
☞ 학습목표
AND, OR diode circuit 의 특성을 diode logic 연산으로 알아보자.
☞ 실험
1. AND gate
AB
A·B
5V
5V
5.15V
5V
0V
0.64V
0V
5V
0.64V
0V
0V
0.64V
2. OR gate
AB
A+B
5V
5V
4.54V
5V
0V
4.51V
0V
5V
4.51V
0V
0V
0V
오차 및 결과
오차 : And Input에 거짓=0V가 걸리면 Output에 거짓=0V가 걸려 야하나. Diode 전압강하 특징으로 0.64V의 전.. |
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| 전자회로및실험
최종 보고서
목 차
1. 제작동기
2. 개요
3. 관련이론
4. 문제점 및 개선안
5. 작품사진
6. 소모부품
7. 고찰
1. 제작동기
- 회로이론, 전자회로 수업에 배운 이론을 토대로 실제 실생활에 쓰일 수 있는 작품을 만드는 것을 목표로 한다.
- 이론을 바탕으로 회로도를 분석하고 적용하는 능력을 기르고자 한다.
- 문제점이 발견 되었을 때 해결할 수 있는 대처 능력을 기르고자 한다.
-
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| BJT의 특성과 바이어스회로
1. 실험 목적
- 바이폴라 접합 트랜지스터의 직류 특성을 직류 등가 회로와 소신호 등가회로의 모델 파라미터들을 구한다. 그리고 바이어스 원리와 안정화를 학습하고, 전압 분할기 바이어스 회로에서 동작점의 변화에 대한 출력 파형의 변화를 실험으로 관측한다.
2. 실험 해설
- 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT:bipolar junction transistor)는 개별회로나 집접회로의 설계에.. |
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| 공통이미터 증폭기와 이미터 폴로어의 조합
1. 실험목적
이 실험의 목적은 공통이미터 증폭기와 이미터 폴로어를 조합한 증폭기의 동작특성을 알아보는 것에 있다. 즉 컬렉터로부터 얻는 출력신호에 관한 한 전압이득이 1이면서 입력신호와의 위상차가 180°인 공통이미터 증폭기의 특성과 이미터 폴로어로부터 얻은 출력신호와 입력신호의 위상이 같음을 확인하는 것에 있다.
2. 배선(회로)도
[그림 1]
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| 활성 슬러지 침강 실험Report
실험제목
활성 슬러지 침강실험
Report
실험일: 제출일:
실험조: 조
제출자: 학번
실험 기구 및 기기
10mL 눈금 간격을 가지는 1L 메스실린더, 전자 저울, 여과지 ,여과기
흡입기
실험에 사용한 시약
시료 : 가좌하수처리장 최종 폭기조 유출수
이론 및 실험내용
(실험순서,그림,실험결과 등)
◈ 정의 : 2차침전조 침강 SS
활성슬러지 고형물의 침강성은 2차 침전조(메스실린.. |
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| 전자공학실험
다이오드 특성곡선
결과보고서
목차
실험목적
결과 및 결과분석
예비문제
연습문제
실험 후 소감
1. 실험 목적
1) 다이오드의 양호 혹은 불량 판정 시험을 한다. 전류-전압 특성곡선을 측정하고, 그 특성곡선을 사용 해서 다이오드의 모델링 회로를 그린다.
2. 결과 및 결과 분석
1) 다이오드의 양호/불량 시험
① DMM 측정기를 다이오드 시험 표시에 둔다. 그 후 DMM의 (+)및 (-) 측.. |
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| 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성
실험 목적 : 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 측정한다.
*실제 실험은 si 다이오드만 이용하여 측정하였다.
실험 순서
1.다이오드 검사
다이오드 검사 단자
그림과 같이 다이오드 양쪽에 멀티미터를 연결하여 전위를 측정한다.
다이오드가 정상이라면 순방향 연결시 약간의 전압강하가 일어난다.
역방향 연결시는 개방회로를 .. |
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| 실 험 목 적
전자 회절을 관찰하고 Bragg방정식을 이용하여 입사 전자의 de Broglie 파장 및 흑연의 격자 간격을 구함으로 흑연의 격자 구조를 이해한다. 흑연에 부딪치는 가속된 전자가 왜 원모양처럼 나타나는지 또한 어떻게 해서 회절이 일어나는지에 대한 것을 이해하는 것이 이 실험의 목표이다.
실 험 원 리
✓ 보강간섭의 조건
회절된 X-선이 보강간섭을 일으키기 위한 조건
1) 입사각은 반사하.. |
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