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| 반도체 공정
(wafer fabrication)
목차
1. 반도체란
2. 반도체의 기본이 되는 트랜지스터, 그 중 대세인 MOSFET
3. 풀노드와 하프노드
4. 공정에서 칩의 크기를 줄이려는 이유
5. 반도체 공정재료와 장비
6. 반도체 관련 용어
7. 반도체 공정 요약
8. 구체적인 반도체공정
1. 반도체란
전기전도도에 따라 물질을 분류하면 크게 도체, 반도체, 부도체로 나뉜다. 반도체는 순수한 상태에서 부도체와 비슷한.. |
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| 본 컨텐츠는 시장조사, 수요예측 전문업체인 ㈜밸류애드에서 반도체장비에 대한 시장동향 정보입니다.
작성일자를 반드시 확인하시고, 최근에 작성된 정보를 구매하시기 바랍니다.
본 컨텐츠에서는 세세분류 : 반도체장비에 대한 간략 개요, 산업동향(2000년부터 2006년4분기까지) 등이 기술되어 있습니다.
통계 중심으로 작성되어 있으며, <밸류애드 산업동향(2005년도) [견본]>이 무료로 제공되.. |
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| Hazard of TFT-LCDManufacturing Process
2004. 4. 26
한 승 용
Contents
TFT-LCD(Thin Film Transistor LCD)
LC(Liquid Crystal)
Manufacturing Process
TFT Process
Cell Process
Module Process
Hazards
MSDS NFPA 704 M Code
TFT-LCD
구성
TFT가 형성되어 있는 아래 유리기판
Color Filter가 형성되어 있는 윗 유리기판
TFT 와 Color Filter 사이에 주입된 액정(LC)으로 구성
원리
TFT는 전기적 신호.. |
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| 실리콘 웨이퍼의 개요
오늘날 반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)는 다결정의 실리콘(Si)을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말합니다.
실리콘은 일반적으로 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재하며 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부 하게 존재하고 있으며 따라서 반도체산업에 매우 안.. |
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| 1. 실험목적
실험을 통해 HALL IC의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할 수 있다.
2. 실험이론
1) Hall IC
Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.
현재 많은 온도 센서, 압력 센서, 광센서 등의 제품이 IC화되었지만 그 .. |
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| 1. 실험목적
실험을 통해 HALL IC의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할 수 있다.
2. 실험이론
1) Hall IC
Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.
현재 많은 온도 센서, 압력 센서, 광센서 등의 제품이 IC화되었지만 그 .. |
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| ◀목 차▶
【성공사례】
1. 회사개요
2. 기업개선작업 신청 배경
3. 기업개선작업 진행 경과 및 경영관리단
4. 기업개선작업 계획
5. 구조조정 추진 전략 및 현황
6. 장기 경영전망 및 과제
【실패사례】
1. 솔루션 업체 S사의 잘못된 판단
2. 비즈니스 마인드, 현실 감각 부족
3. 위기, 어떻게 극복해야 했을까
4. 구조조정 기회를 놓쳤다
보고서를 작성하면서...
【성공사례】
1. 회사 .. |
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| 1. 한국 반도체의 역사
우리나라 반도체 산업의 최초 시작은 1965년 ~ 1970년대에 외국의 자본에 의한 조립 생산단계로부터 시작하여 1983년 ~ 1990년대 국내 기업들에 의한 조립 및 개별소자 생산단계로 발전하였고 국산 고유 상표에 의한 수출단계 이후 1996년 이후 생산체제 고도화 단계의 순서로 발전이 되었다.
국내 반도체 산업의 역사는 1965년 미국 코미(Commy) 사와 국내 코미 반도체의 합작에 .. |
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