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| 목 차
1. 설계 주제
2. 설계 목적
3. 설계 내용
4. 차동 증폭기란
5. 이론을 사용한 설계
(1) 설계회로
(2) 설계수식
1) 수식
2) 수식
3) 공통모드 이득계산
4) 차동모드 이득계산
5) CMRR 수식
6) MOSFET 트랜지스터 포화상태 확인
6. P-spice를 활용한 설계 시뮬레이션
(1) Trans (공통모드 / 차동모드) 해석
(2) AC sweep (공통모드 / 차동모드) 해석
(3) 이론값들과 시뮬레이션 값 오.. |
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| 실험: Annealing(Silcidation)
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Metal deposition 을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 변화 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정하여 온도에 따라 어떻게 변화.. |
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| 실험: Photo Lithography
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 Photo lithography 를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
PR공정 결과.. |
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| 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
목 차
I. Abstract.
II. Introduction
III. Materials Methods
IV. Result
V. Discussion
VI. Conclusion
I. Abstract
이번 실험은 트랜지스터 2N7000의 특성을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 특성을 이해한다. 실험한 결과,
II. Introduction
1. 2N7000
2. 결과 예측
VGS=-5.348nV IDS.. |
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| 1. 들어가는 말- 새로운 니즈를 스스로 창출하자...
2. 성장과정 - 강한 자립심과 유연한 사고방식의 전략적 시너지...
3. 성격소개 - 끊임없는 전진만을 반복...
4. 학창시절 - 내일을 위한 과감한 투자들...
5. 지원동기 - 미완의 모습이 아니라 무한한 성장 가능성을 지닌 모습으로...
6. 입사 후 포부 - 신바람 나는 조직을 만드는 핵심인재...
7. 맺은 말- 먼저 행동하지 않는다면...
[※ 일반.. |
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| [홀센서]
1. 실험목적
실험을 통해 홀센서의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할수 있다.
2. 홀센서의 정리
1) Hall IC
Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.
현재 많은 온도 센서, 압력 센서, 광센서 등의 제품이 IC화.. |
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| 실험: Dry etching
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Photolithography 공정을 실시한 후 Si기판을
플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 Dry etching 을 실시하며 FE-SEM을 이용하여
SiO2 inspection을 측정한다. 이번 실험에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을
3min, 5min, 7min으로 변화를 주어 에칭 시간을 조정함에 따라 제품의 SiO2 inspection이
어떤 영향을 받는지 확인하고.. |
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| 실험 1 : Cleaning Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
Wafer
Oxidation temperature
Oxidation time
Si (100)
p-type, 1~10 cm
1000℃
2 hours
4 hours
6 hours
나.. |
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| 오픈 콜렉터와 오픈 드레인 회로
디지털 소자를 사용하다 보면 간혹 TTL에서 개방 콜렉터(open collector)나 CMOS에서
개방드레인(open drain)형이라는 말을 듣게 된다. 이는 도대체 무엇인가
이를 이해하기 위해서는 먼저 앞의 [기술 노트 1]에서 설명한 TTL 및 CMOS의 기본 원리나
[기술 노트 2]에서 설명한 토템폴(totem-pole) 방식의 TTL 회로를 알아야 한다.
일반적인 TTL 소자는 출력간의 회로가 .. |
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| 오픈 콜렉터와 오픈 드레인 회로
디지털 소자를 사용하다 보면 간혹 TTL에서 개방 콜렉터(open collector)나 CMOS에서
개방드레인(open drain)형이라는 말을 듣게 된다. 이는 도대체 무엇인가
이를 이해하기 위해서는 먼저 앞의 [기술 노트 1]에서 설명한 TTL 및 CMOS의 기본 원리나
[기술 노트 2]에서 설명한 토템폴(totem-pole) 방식의 TTL 회로를 알아야 한다.
일반적인 TTL 소자는 출력간의 회로가 .. |
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| 실험 4 : Metal Deposition
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Dry etching 을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 Metal deposition 을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다. 증착시키는
금속을 Ni로 증착 두께를 10nm, 20nm, 30nm로 변화를 주어 증착 두께를 조정함에 따라
제품의 면저항에 어떤 영향을 끼치는지 확인하고자 한다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
증착 금속
증.. |
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| 1.다이오드
1)원리
다이오드는 순방향 바이어스에 의해서 작동하며, 이 경우 작은 전압의 변화에도 전류는 큰 변화를 보인다. 역방향 바이어스인 경우는 소수 캐리어에 의해 매우 작은 누설전류(역방향 전류)만 흐르게 되는데 역방향 바이어스가 어느 이상이 되면 갑자기 큰 역방향 전류가 흐르게 되고 다이오드는 파손된다. 이런 현상을 항복(breakdown)이라 하는데 다이오드를 손상시키지 않으면서 의도적.. |
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| - 자기소개서 최우수 예문 -
대한전선 자기소개서
대한전선
1. 입사지원동기와 지원하신 직무를 잘 수행하기 위하여 어떤 준비를 했는지를 본인의 경험과 관련하여 기술하시오.
“한 줄기의 줄기세포가 되어”
대한전선은 1955년 전선제조업으로 출발한 이래 늘 기본과 원칙에 충실해왔으며, 신뢰로 다져온 반세기의 역사에 이어 고객과 함께하기 위한 새로운 100년을 준비하기 위해 최선을 다하고 있습.. |
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| 1. 실험목적
실험을 통해 HALL IC의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할 수 있다.
2. 실험이론
1) Hall IC
Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.
현재 많은 온도 센서, 압력 센서, 광센서 등의 제품이 IC화되었지만 그 .. |
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| 1. 실험목적
실험을 통해 HALL IC의 자력선 세기에 의한 동작특성과 그 원리를 이해할 수 있다.
2. 실험이론
1) Hall IC
Si 홀 소자는 자계 감도가 10~20mV/KOe 정도이고, 다른 재료를 사용한 것보다 감도가 낮은 결점이 있다. 이 결점을 개선하기 위해 IC 기술을 사용해 신호 처리 회로를 센서와 일체화 시킨 것이 Si Hall IC이다.
현재 많은 온도 센서, 압력 센서, 광센서 등의 제품이 IC화되었지만 그 .. |
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