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| BJT의 특성과 바이어스회로
1. 실험 목적
- 바이폴라 접합 트랜지스터의 직류 특성을 직류 등가 회로와 소신호 등가회로의 모델 파라미터들을 구한다. 그리고 바이어스 원리와 안정화를 학습하고, 전압 분할기 바이어스 회로에서 동작점의 변화에 대한 출력 파형의 변화를 실험으로 관측한다.
2. 실험 해설
- 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT:bipolar junction transistor)는 개별회로나 집접회로의 설계에.. |
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| 중첩의 정리와 가역정리
1. 실험의 목적
중첩의 원리와 가역 정리를 이해하고 이를 실험적으로 확인한다.
2. 실험 준비물
▶ 멀티 미터 (전류측정)
▶ 직류 전원 장치 (DC Power Supply)
▶ 저항
3. 기초 이론
1] 중첩의 정리
다수의 전원을 포함하는 선형 회로망에서 회로내의 임의의 점의 전류 또는 두 점간의 전압은 개개의 전원이 개별적으로 적용될 때 흐르는 전류 또는 두 점간의 전압을 합한.. |
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| 1. 목적
(1) 트랜지스터의 단자 구별 방법을 익힌다.
(2) 트랜지스터의 바이어스 방법을 숙지한다.
(3) 트랜지스터의 동작원리를 이해한다.
(4) 에미터-베이스 회로에서 순방향 및 역방향 bias가 에미터-베이스 전류에 미치는 영향을 측정한다.
(5) 에미터-베이스 회로에서 순방향 및 역방향 bias가 콜렉터전류에 미치는 영향을 측정한다.
2. 관련 이론
트랜지스터
(1) 트랜지스터의 구조와 동작
[1] .. |
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| 1. 실험장비 및 부품
1) 디지털 멀티미터 : 1대
2) 캐패시터 : 3개(전해, 마일라, 세라믹)
3) 트랜지스터 : 2개(PNP , NPN)
4) 다이오드 : 2개(발광, 정류)
5) 전원공급장치 : 1개
6) 브레드 보드 : 1개
2. 실험방법
1) 부품 판독법
(1) 각각의 캐패시터에 대해 용량값을 판독하고, 저항계를 사용하여 직류저항치를 측정하여 [표 2.5]에 기입하라.
(2) 각각의 다이오드에 대하여 순방향저항 및 역.. |
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| 목 차
서론
1. 실험 목표
2. 실험 준비물
본론
3. 실험과정 및 결과
결론
4. Discussion
접합 다이오드의 특성
1. 실험목적
반도체의 기본 소자인 Junction Diode(접합 다이오드)의 전압·전류 특성을 실험적으로 측정하고 원리를 이해한다.
2. 실험준비물
다이오드 1N4001, 1N60
가변저항 10K VR
3. 실험과정 및 결과
1) 순방향 바이어스
① 다음의 그림 1.7회로를 구성하고, 표1.1에서 요구하는 사항들.. |
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| 1.서론
1)실험목적
전도체와 LED, LD등의 개념과 원리를 익힌다. LED의 극성(순방향바이어스와 역방향바이어스)을 알아보고, LED와 LD의 특성평가를 통해 이것들이 의미하는 것을 알아본다.
2)이론
반도체는 전기적인 도체와 절연체 사이의 저항 값을 가지는 고체이다. 반도체 제품으로는 트랜지스터, 접합 다이오드, IC, SCR 등 헤아릴 수 없을 정도로 많다. 그 중에서 가장 기본이라고 할 수 있는 것이 .. |
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| 접합 다이오드의 특성
목차
1. 목 적
2. 서 론
1) 반도체란
2) 순수 반도체와 불순물 반도체
3) 순방향 및 역방향 바이어스
4) 다이오드 전압전류 특성 및 극성 테스트
3. 실험 방법
4. 사용기기 및 부품
5. 실험 결론 및 고찰
1. 목 적
순방향 및 역방향 바이어스가 접합 다이오드의 전류에 미치는 영향을 측정하고, 접합 다이오드의 전압▪전류 특성을 실험적으로 측정하여 그래프로 그리며 ohmmete.. |
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| 접합 다이오드의 특성
목차
1. 목 적
2. 서 론
1) 반도체란
2) 순수 반도체와 불순물 반도체
3) 순방향 및 역방향 바이어스
4) 다이오드 전압전류 특성 및 극성 테스트
3. 실험 방법
4. 사용기기 및 부품
5. 실험 결론 및 고찰
1. 목 적
순방향 및 역방향 바이어스가 접합 다이오드의 전류에 미치는 영향을 측정하고, 접합 다이오드의 전압▪전류 특성을 실험적으로 측정하여 그래프로 그리며 ohmmete.. |
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| 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor(FET))
1)접합형 FET (Junction FET(JFET))
그림13-1. n-channel JFET
그림은 접합형 FET를 보인다.
위의 그림에서 전하 운반자는 n-type 즉, 전자(electron)이 되고, 전하운반자는 n-type 반도체를 통해 흐르므로 n-channel이라 한다. 또다른 형태의 JFET는 p-channel이 있을 수 있다.
위의 그림에서 검은 부분은 금속전극(electrode)이며 JFET에서 각.. |
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| 결과 보고서
제목: 정류회로
[1] 측정값
가. 반파 정류회로
파형 발생기 주파수 = 60 Hz
Time/Div = 5 ms/div
Volt/Div = 1 volt/div
[sine 파]
나. 전파 정류회로
다. 필터 회로
[ 60 Hz]
[ 200 Hz]
[2] 계산 및 결과
1)다이오드의 특징
다이오드는 한쪽 방향으로는 전류를 잘 통과시키지만 반대 방향으로는 거의 전류를 통과시키지 않는다. 이것은 순방향 저항은 낮은 반면에 역방향 저항은 .. |
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| 1. 반도체 다이오드
실험 목적
1. 접합 다이오드에서 전류에 대한 순방향, 역방향 바이어스 효과를 측정한다.
2. 접합다이오드의 전류―전압 특성을 실험적으로 결정하고 그래프를 그린다.
3. 저항계로 접합다이오드를 시험한다.
4. 순방향과 역방향 바이어스에서 제너다이오드의 전류를 측정한다.
관련이론
다이오드의(Diode) 개요
다이오드란 전류를 한쪽 방향으로만 흘리는 반도체 부품이다 반도체의 재.. |
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| 1. 다이오드
(1) 다이오드의 구조와 동작
다이오드 : + 의 전기를 많이 가지고 있는 p형 물질과 - 의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있다. p는 인듐(In)이나 갈륨(Ga)과 같은 물질을 규소에 합성하여 + 성분(hole:정공)이 많게 만든 물질이고, n은 비소(As)나 안티몬(Sb)과 같은 물.. |
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| 1. 다이오드
(1) 다이오드의 구조와 동작
다이오드 : + 의 전기를 많이 가지고 있는 p형 물질과 - 의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있다. p는 인듐(In)이나 갈륨(Ga)과 같은 물질을 규소에 합성하여 + 성분(hole:정공)이 많게 만든 물질이고, n은 비소(As)나 안티몬(Sb)과 같은 물.. |
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| Office Business plan
신규 오피스 개발을 위한 사업성 검토 결과 보고서
서초구 서초동
●본 계획서는 서울시 서초동 오피스 개발 사업에 대하여
입지여건, 개발 환경 및 시장 환경을 분석 자료를 토대로 작성
되었습니다.
●본 사업에 대한 관계자 여러분께 사업계획서를 제출합니다.
A Proposition
사업지 개요
Chapter Ⅰ.
건축개요
사업지 위치도
사업지 전경사진
사업.. |
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| 트랜지스터 특성 실험
10조
목차
트랜지스터의 구조
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터 특성과 파라미터
트랜지스터의 구조
바이폴라 접합 트랜지스터
BJT(Bipolar Junction Transistor)
에피택셜 플래너(epitaxial planar) 구조
두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 세 개의 반도체 영역으로 구성
이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터의 동.. |
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