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(검색결과 약 8,600개 중 10페이지)
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| ① 실험목적
1. 트랜지스터의 기본 동작원리를 이해하며
2. 트랜지스터의 단자를 식별하고
3. ICBO를 측정한다
② 사용기기 및 부품
1. 직류가변전원 : 0-30V*2
2. 멀티미터
3. 저항 : 100Ω 1/2W, 820Ω/10W
4. 가변저항 : 2.5kΩ 1/2W
5. 트랜지스터 : 2SC1815, 2SA1270
6. 스위치
③ 이론
(그림 6-1)
트랜지스터는 다이오드와는 달리 3단자 소자로서, 소형이고 가볍고 낮은 전압에서 동작하고 전력.. |
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| 1. 목 적
차동 증폭기회로에서 DC와 AC전압을 측정한다
2. 실험장비
(1) 계측장비
오실로스코프
DMM
함수 발생기
직류전원 공급기
(2) 부품
◇ 저항
4.3k
10k
20k
◇ 트랜지스터
2N3823(혹은 등가) (3개)
3. 이론개요
▪ BJT 차동증폭기
차동 증폭기는 (+), 혹은 (-) 입력을 가지는 회로이다. 전형적인 동작에서 반대
위상의 입력은 크게 증폭되지만, 동위상의 출력에서 상쇄된다. 그림.. |
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| 전자회로 설계 및 실험 - 다이오드 특성
실험 목적 : 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 측정한다.
*실제 실험은 si 다이오드만 이용하여 측정하였다.
실험 순서
1.다이오드 검사
다이오드 검사 단자
그림과 같이 다이오드 양쪽에 멀티미터를 연결하여 전위를 측정한다.
다이오드가 정상이라면 순방향 연결시 약간의 전압강하가 일어난다.
역방향 연결시는 개방회로를 .. |
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| 광전자 소자
광전자 소자
1. 실험 목적
- 적색과 녹색 LED의 특성을 측정한다.
- 7세그먼트로 숫자를 나타낸다.
- 광커플러(optocoupler)를 통해 신호를 전달한다.
2. 관련이론
발광 다이오드
(a) 순방향 바이어스된 LED (b) 역방향 바이어스로부터 LED를 보호하기 위한 회로
- 발광 다이오드(LED)는 고체 광원이다 낮은 전압과 긴 수명, 빠른 on‐off 스위칭의 장점을 갖기 때문에 백열광 대신 .. |
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| 1.증폭기
http://blog.naver.com/syun/60008063104
* 증폭이란
1) 미소한 입력신호를 큰 출력신호로 변환시키는 작용
2) 전압, 전류, 전력 등을 큰 에너지로 변환시키는 작용
* 증폭기의 종류
- 목적에 따라 : 전압증폭기, 전류증폭기, 전력증폭기
- 주파수에 따라 : 직류증폭기, 저주파증폭기, 고주파증폭기, 초고주파증폭기
- 부하 결합 방식에 따라 : R-C결합증폭기, 임피던스 결합 증폭기, 트랜.. |
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| 접합 다이오드의 특성
1. 실험 목적
(1) 순방향 및 역방향 바이어스(bias)전압이 접합 다이오드(Junction diode)의 전류에 미치는 효과를 측정한다.
(2) 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 실험적으로 결정하고 도시한다.
(3) 접합 다이오드를 저항계로 시험하는 법을 익힌다.
2. 실험 이론
1) pn접합 다이오드
p형 반도체와 n형 반도체가 금속적으로 접합된 것. 이 pn접합은 전기적으로 어느 한쪽 .. |
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| 전자회로실험 - 푸쉬풀 증폭기
●목 적
1. B급 동작을 정의하고
2. 푸쉬풀 전력증폭기의 원리를 이해하며
3. 이 증폭기의 주파수 특성을 조사한다.
●기기 및 부품
1. 직류가변전원 : 0-30V
2. 오실로스코프
3. 저주파신호발생기
4. 저항: 10Ω 1/2W, 2.2kΩ 1/2W*2, 8.2kΩ, 18kΩ 1/2W, 27kΩ 1/2W
5. 가변저항: 5kΩ
6. 커패시터: 0.0uF/50V
7. 트랜지스터: TIP41C(NPN), TIP32C(PNP)
●관련 이론
증.. |
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| [1] 실험목적
① 측정을 위하여 오실로스코우프와 프로브를 점검한다.
② 오실로스코우프를 이용하여 교류와 직류 전압을 정확히 측정한다.
③ 오실로스코우프를 이용하여 시간과 주파수를 정확히 측정한다.
[2] 이론적 배경
① 주의사항
- 측정을 시작하거나 회로에 오실로스코우프를 연결하기 전에 반드시 접지 상태를 확인
(이는 과전압에 의하여 오실로스코우프 및 회로에서 발생할 수 있는 손상을 .. |
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| [1] 실험목적
① 측정을 위하여 오실로스코우프와 프로브를 점검한다.
② 오실로스코우프를 이용하여 교류와 직류 전압을 정확히 측정한다.
③ 오실로스코우프를 이용하여 시간과 주파수를 정확히 측정한다.
[2] 이론적 배경
① 주의사항
- 측정을 시작하거나 회로에 오실로스코우프를 연결하기 전에 반드시 접지 상태를 확인
(이는 과전압에 의하여 오실로스코우프 및 회로에서 발생할 수 있는 손상을 .. |
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| 목적
트랜지스터의 개념을 이해하고, 베이스공통(common base)회로의 특성을 알아본다.
이론
(1) 트랜지스터의 구조
트랜지스터는 p형과 n형의 반도체 세 개를 결합시킨 소자로써, 그 구성에 따라서 pnp형과 npn형으로 나뉜다. 세 부분의 반도체는 각각 이미터(emitter) E, 베이스 (base) B, 컬렉터 (collector) C로 명명되며, 각각 진공관의 음극(cathode) K, 그리드 (grid) G, 양극 (plate) P와 비슷.. |
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| 목 적
지너다이오드의 특성과 동작원리를 이해하고, 정류전원, 이완발진기, 영점조절전압계 등의 예를 통하여 그 응용에 대해 알아본다.
이 론
(1) 항복현상과 그 이용
앞 실험에서 다이오드에 역방향바이어스를 걸어주면 역포화전류만이 흐르다가, 바이어스가 어느 수준을 넘어서면 역방향전류가 급격히 증가하는 항복현상이 일어남으로 바이어스가 지나치지 않은 범위 안에서 다이오드를 사용해야 한.. |
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| 기초 전자 회로실험 - 다이오드 특성
목 차
1. 목 적
2. 실험장비
(1) 계측장비
(2) 부품
•저항
•다이오드
(3) 공급기
3. 실험순서
(1) 다이오드 테스트
• 다이오드 테스트 스케일
• 저항 스케일
(2) 순방향 바이어스 다이오드 특성
(3) 역방향 바이어스
(4) DC 저항
(5) AC 저항
(6) 점화전위
4. 토의 및 고찰
1. 목적
실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성을 익힌다.
2. 실험장비
(1) 계.. |
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| Contents
ⅠⅡ
레이저 열처리의 적용 사례
전도대
가전자대
반도체의 에너지띠 구조
전도대 : 전자가 존재하거나 존재할 수 있는 부분
가전자대 :전자가 꽉 차있는 부분
레이저의 발진원리
정공주입
전자주입
전류방향
P형
N형
재결합
레이저광
①순방향 바이어스 전압을 걸면 전자는 N형 영역에서 P형 영역까지 이동
②P형 영역에서는 정공이 같은 형태로 흘러간다.
③접합부에서 전자와 정공이 대응하기 떄.. |
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PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR
>>>목적
1. PUT의 도식적인 기호를 그려라.
2. PUT의 작동을 설명하라.
3. PUT의 firing point를 어떻게 계산하고 회로에 맞출수
있는지 보여라.
4. 진동회로에서 PUT가 어떻게 사용 되는지 보여라.
5. PUT를 저항계로 측정하라.
6. PUT진동회로의 고장을 해결하라.
>>>이론
7-1a 구조와 도식적인 기호
PUT는 반도체의 나눔이며 그림 7-1과같이 P와 N물질.. |
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| 6)음악-케냐의 민요 잠보 부르기(약안)
수업실습 교수-학습 계획
월․일(교시)
교과
단원
학습주제
학습목표
6/13(4)
음악
3. 세계와 함께
케냐의 민요 잠보 부르기
케냐의 민요 잠보를 익혀 부를 수 있다.
단계
교수-학습 활동
학습자료 및 유의점
(시간)
케냐의 위치 알기
- 구글 어스로 케냐의 위치 보여주기
- 케냐에 대한 대략적인 설명하기
학습목표 확인하기
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