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반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)  반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation) ( 3Pages )
반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)
실험: Annealing(Silcidation) 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Metal deposition 을 실시한 후 실리콘 기판 위에 규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 ..
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반도체공정 실험 - Photo Lithography반도체공정 실험 - Photo Lithography  반도체공정 실험 - Photo Lithography ( 3Pages )
반도체공정 실험 - Photo Lithography
실험: Photo Lithography 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한 후 Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 Photo lithography 를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing tim..
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반도체공정 실험 - Dry etching반도체공정 실험 - Dry etching  반도체공정 실험 - Dry etching ( 7Pages )
반도체공정 실험 - Dry etching
실험: Dry etching 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 Photolithography 공정을 실시한 후 Si기판을 플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 Dry etching 을 실시하며 FE-SEM을 이용하여 SiO2 inspection을 측정한다. 이번 실험에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을 3min, 5min, 7..
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반도체공정 실험 - Cleaning Oxidation반도체공정 실험 - Cleaning Oxidation  반도체공정 실험 - Cleaning Oxidation ( 5Pages )
반도체공정 실험 - Cleaning Oxidation
실험 1 : Cleaning Oxidation 1. 실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 Wafer cleaning Oxidation 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지 확인하여본다. 2. 실험 방법 가. 실험 변수 Wafe..
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반도체 공학 - 반도체 공정에 관해서반도체 공학 - 반도체 공정에 관해서  반도체 공학 - 반도체 공정에 관해서 ( 18Pages )
반도체 공학 - 반도체 공정에 관해서
Semiconductor-Grade Silicon Table 4.1 CVD 이용// PVD이용 Back End Processing 1243 5
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미세조직 실험 - 인장실험미세조직 실험 - 인장실험  미세조직 실험 - 인장실험 ( 6Pages )
미세조직 실험 - 인장실험
미세조직 실험 - 인장실험 목 차 Ⅰ. 서론 Ⅱ. 실험목적 Ⅲ. 실험방법 Ⅳ. 실험결과 Ⅴ. 결론 Ⅵ. 참고문헌 Ⅰ. 서론 (1) 인장 어떤 힘이 물체의 중심축에 평행하게 바깥 방향으로 작용할 때 물체가 늘어나는 현상 (2) 응력 물체에 외부 힘이 가해졌을 때 외력에 저항하여 형태를 유지하려고 하는 내력을..
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미세조직 실험 - 경도 실험미세조직 실험 - 경도 실험  미세조직 실험 - 경도 실험 ( 6Pages )
미세조직 실험 - 경도 실험
경도 실험 목 차 Ⅰ. 서론 Ⅱ. 실험목적 Ⅲ. 실험방법 Ⅳ. 실험결과 Ⅴ. 결론 Ⅵ. 참고문헌 Ⅰ. 서론 (1) 경도(Hardness) 국부소성변형에 ‘압입에 대한 저항’을 말하며, 더 쉽게 말하면 굳기, 물질의 단단하고 무른 정도를 표현되나 정확한 것은 아니다 그 이유는 경도는 재료의 물리적 성질에 직접 연관..
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미세조직 실험 - 가공경화 및 압축 실험미세조직 실험 - 가공경화 및 압축 실험  미세조직 실험 - 가공경화 및 압축 실험 ( 7Pages )
미세조직 실험 - 가공경화 및 압축 실험
목 차 Ⅰ. 서론 Ⅱ. 실험목적 Ⅲ. 실험방법 Ⅳ. 실험결과 Ⅴ. 결론 Ⅵ. 참고문헌 1. 가공경화 실험 Ⅰ. 서론 (1) 구리 Table 1.1 구리의 성질 원소기호 Cu 원자 번호 29 원자량 63.549 녹는점 1084.5℃ 끓는점 2595℃ 비중 8.92 (20℃) 구리는 동 이라고도 하며, 은 ·금과 함께 화폐금속이라고도 한다. 2종(6..
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디지털 통신 - AM, FM 신호의 변조와 복조, 통신 코딩 및 그래프 해석디지털 통신 - AM, FM 신호의 변조와 복조, 통신 코딩 및 그래프 해석  디지털 통신 - AM, FM 신호의 변조와 복조, 통신 코딩 및 그래프 해석 ( 28Pages )
디지털 통신 - AM, FM 신호의 변조와 복조, 통신 코딩 및 그래프 해석
1. 주어진 메시지 신호를 시간 축에서 한주기, 주파수축에서 magnitude 스펙트럼을 그리시오. 먼저 주어진 신호는 이다. 이 신호를 푸리에 변환 하면 이다. 코드를 설명하면 message_input함수는 m(t)를 입력하는 함수로서 배열을 이용하여 mt_real, mt_image변수에 입력하였다. 각 코사인함수 안..
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나노소재 - CdS 나노입자에 관한 분광학적성질나노소재 - CdS 나노입자에 관한 분광학적성질  나노소재 - CdS 나노입자에 관한 분광학적성질 ( 22Pages )
나노소재 - CdS 나노입자에 관한 분광학적성질
CdS 나노입자에 관한 분광학적성질 순 서 실 험 목 적 이 론 실 험 방 법 실 험 결 과 고 찰 실 험 목 적 CdS 나노입자를 합성하고 그 분광학적 성질을 관찰하여 크기와 분광학적 성질 사이의 관계를 고찰하는데 목적이있다. 이 론 나노입자의 특성 * 광학적 특성 * 화학적 특성 * 전자기..
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