화학공학 - wafer cleaning(웨이퍼 세척) 과제

Wafer cleaning

1. Types and sources of contamination

Particles- 먼지, 꽃가루, clothing particles, 박테리아 등. 보통의 공간(1큐빅 피트 안에)에는0.5 micron 이상 크기의 입자 10 6 개 이상 있다. 20 micron 이상의 지름을 갖는 입자의 경우 쉽게 가라 앉으므로 주로 문제가 되는 입자는 0.1 to 20 micron 의 지름을 갖는 입자이다.
Inorganic contaminants - 염, 용액의 이온, 무거운 metal 원자. recirculation systems이나 특별한 용액에 의해 제거된다.
Organic contaminants - smog, skin oil, fluxes, lubricants, solvent vapors, monomers from plastic tubing and storage boxes that can condense on substrate. strong oxidizers, gaseous or liquid을 이용하여 제거된다.
Impurities- incorporated during the formation of substrates or over layer films. 보통 제거되지 않는다.

2. Wet cleaning
: Conversion of contaminant into a soluble compound or its washing off force by the force altering its adhesion to the surface

[용도에 따른 약품 분류]
Particles
Organic
Metals
Native/Chemical oxides
APM
SPM
SPM
DHF

APM
HPM
BHF

DHF

[약품의 성분, 주요용도]
....

[docx/pdf]화학공학 - wafer cleaning(웨이퍼 세척) 과제