[전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 결과

실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱
1.Orcad 결과
1) ID - VGS 특성
-회로-

-파형-

2) ID - VDS 특성
-회로-

-파형-

3) 마디전압
-회로-

-파형-

4)드레인 전류
-회로-

-파형-

2.실험 결과 값
n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 특성 측정

VGS(V)
10
VDS(V)
1234579
11
ID(mA)
0
0.142
0.424
3.760
6.832
14.654
23.582
33.101

n-채널 MOSFET 의 ID - VDS 특성 측정

VGS(V)
2
VDS(V)
1234579
11
ID(mA)
0.118
0.122
....

[hwp/pdf][전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 결과