전자회로실험 - JEFT 바이어스 회로

전자회로실험 - JEFT 바이어스 회로

목 차

1. 목적

2. 실험장비

3. 이론개요

4. 실험순서

5. 토의 및 고찰

1. 목 적
고정, 자기 전압분배기 바이어스 JEFT 회로를 해석한다.

2. 실험장비
(1) 계측장비
DMM
(2) 부품
◇ 저 항
1kΩ (1개)
1.2kΩ (1개)
2.2kΩ (1개)
3kΩ (1개)
10kΩ (1개)
10mΩ (1개)
1kΩ 전위차계 (1개)
◇ 트랜지스터
JEFT 2N4116 (1개)
(3) 공급기
직류전원 공급기
리드선이 있는 9V 배터리

3. 이론개요
이 실험에서는 세가지 다른 바이어싱 회로 취급된다. 이론적으로 JEFT를 바이어싱 하기 위한 실험절차 BJT에 대한 것과
동일 하다. 틀히 JEFT의 드레인 특성곡선과 JEFT에 연결된 외부회로가 주어지면, 부하선은 VDD, VDS, ID 를 포함하여
구성된다. 드레인 특성곡선과 부하선의 교차점은 JEFT의 직류 동작점을 결정한다. 소자 특성은 JEFT의 성질이다. 그에 반해서
부하선은 JEFT에 연결된 외부회로 요소에 의해 결정된다. 직류 동작점은 두 곡선의 교차점으로 결정된다.
실질적으로 같은 타입의 JEFT일지라도 드레인 특성곡선에서 상당한 변화를 보여준다. 결과적으로, 제조자는 때때로 이러한
곡선의 값을 발표하지 않고 오히려 포화전류와 핀치오프 전압의 값만 규격표의 한 부분으로 나타낸다. 이것을 JEFT의 직류
동작점을 결정하기 위한 또 다른 접근이다.
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