전자 회로실험 - 트랜지스터 특성 실험

트랜지스터 특성 실험
10조
목차

트랜지스터의 구조
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터 특성과 파라미터
트랜지스터의 구조
바이폴라 접합 트랜지스터
BJT(Bipolar Junction Transistor)
에피택셜 플래너(epitaxial planar) 구조
두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 세 개의 반도체 영역으로 구성
이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터의 동작
증폭기(amplifier)로 동작시키기 위해서는 적절한 바이어스(bias) 배열이 필요함
Base-Emitter(BE) 접합은 순방향으로 바이어스 시킴
Base-Collector(BC) 접합은 역방향으로 바이어스 시킴
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터의 동작
순방향 바이어스된
베이스-이미터에서의
전자 이동

베이스-이미터의
공핍층이 좁아짐
이미터의 전자들이
쉽게 베이스로 이동
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터의 동작
역방향 바이어스된
베이스-컬렉터에서의
전자 이동

도핑 폭이 좁은
베이스는 한정된
정공수를 가지고 있음
이미터에서 넘어온
전자들이 베이스
영역에서 대부분
컬렉션 영역으로 이동
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터 전류
이미터에서 흐르는 전류는 컬렉터와 베이스에서 흐르는 전류의 합과 같음
키르히호프의 전류법칙 (KCL)
트랜지스터 특성과 파라미터
직류베타(DC)
직류 컬렉터 전류(IC)와 직류 베이스 전류(IB)의 비
트랜지스터의 직류 전류 이득(gain)이라 함
트랜지스터 특성과 파라미터
직류알파(DC)
직류 컬렉터 전류(IC)와 직류 이미터 전류(IE)의 비
트랜지스터 회로에서 직류베타보다 적게 사용됨

트랜지스터 특성과 파라미터
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