[반도체] 포토리소그래피에 관한 조사[포토리소그래피의 원리, 작업공정, 사용 범위등에 대해]

[반도체] 포토리소그래피에 관한 조사[포토리소그래피의 원리, 작업공정, 사용 범위 등에 대해]

목 차

1. 서론
2. 본론
1) Photoresist coat(PR코팅)
2) Soft Bake
3) Photo exposure
4)Develop
5)Hard bake
3.결론

1. 서론

시대는 변화하고 그 시대에 변화에 따라 과학기술 또한 매우 발전하였다. 예전에는 상상으로만 해왔던 모든 일들이 지금 현실로 이루어져 있고, 앞으로는 어떠한 기술이 나타나게 될지 항상 기대하고 상상하게 한다.
이러한 과학기술의 발전으로 인해 우리는 지금 매우 편리한 생활을 하고 있다. 현대사회의
일상생활에서 누구나가 흔히 사용하는 컴퓨터, 스마트폰 등에는 반도체 소자가 핵심 부품으로 사용되는데 반도체 소자는 수십에서 수백 나노미터 크기의 패턴으로 이루어져있다.
반도체 소자의 크기는 패턴의 크기에 달려 있기 때문에 패턴의 크기를 줄여 반도체 소자의 집적도를 높이는 것이 반도체 생산 공정에서는 매우 중요하다. 반도체 소자의 집적도는 매년 꾸준하게 증가하였으며 여기에 가장 핵심적인 역할을 한 것이 바로 포토리소그래피이다.
따라서 나는 이러한 핵심적인 역할을 한 포토리소그래피에 대해 살펴보고 더 나아가서는 포토리소그래피의 원리, 작업공정, 사용 범위등에 대해 알아보고자 한다.

2. 본론

리소그라피는 리소(돌) + 그라피(인쇄술)의 합성어이다. 말 그대로 석판인쇄술이라고 할 수 있다. 여기서 기원한 것이 리소그라피이다. 인쇄술이라는 것은 자신이 원하는 대로 디자인하여 그리는 것을 말한다.
이것은 미술에 응용되기도 하고 오늘날에는 포토리소그라피 라 하여 빛을 이용하여 그리는 것으로 반도체와 LCD공정에 이용된다.
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