MOS Capacitor의 제작 방법과 특성와 C-V등을 측정

◉ 실험 날짜:
날 씨 : 맑음
온 도 : 27°
습 도 : 43%

1. 실험 목적
- MOS Capacitor의 제작 방법과 특성을 알아본다.
C-V 등을 측정하여 원리를 이해한다.

2. 관련 지식
관련 parameters : Tox NA, ND, VFB, VT, Qf(Nf), Qm(Nm), Qit(Nit)
MOS capacitor

C-V 장치

Metal-oxide-P type Silicon

MOS Caoacitor는 전계를 이용한 소자중 하나이며, 그래서 일반적으로 MOSFET(Metal-Oxid e-Semiconductor Field-Effect-Transistor)라고 불린다. 단자수에서 같이 3단자 소자인 BJT와는 달리 MOSFET에서는 다수캐리어에 의해 전류가 조절되며, 하나의 캐리어만을 쓰게 되어 단극성(unipolar) 소자라고도 한다. 그리고 MOSFET은 제어전압(Gate voltage)이 기판의 종류가 p-type인 경우에는 순방향 전압으로 n-type인 경우에는 역방향 전압으로 쓰이며, 전도상태와 비전도상태 사이에서 제어되는 스위칭작용을 시키는 데 매우 적합해서 디지털회로에서 유용하게 사용된다. 또한 공정상으로는 BJT보다 단위 면적당 작업 면적이 훨씬 적어서 대규모 집적회로(VLSI)설계시 많은 비중을 차지하고 있다. 그럼 MOSFET의 소자내에서 벌어지는 내부 작용에 대해서 알아보도록 하자.

(1) 기본동작

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[hwp/pdf]MOS Capacitor의 제작 방법과 특성와 C-V등을 측정